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  • 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
  • 臺積電，市值萬億美元！
    臺積電，市值萬億美元！
    首家在美股上市且市值突破萬億美元的亞洲科技公司誕生了：來自中國臺灣的半導(dǎo)體巨頭臺積電。10月17日，臺積電公布了最新財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)。今年第三季度臺積電營收高達(dá)7596.9億新臺幣（約合235億美元），同比增長39%（以美元計(jì)算同比增長36%），凈利潤3252.58億元新臺幣（101億美元），同比增長54.2%，毛利率為57.8%，稅后純益率為42.8%。資本市場立竿見影，臺積電股價一路飆升。截至10月17日收盤，臺積電股票上漲9.79%，已達(dá)205.84美元/股，市值達(dá)到了1.07萬億美元。
  • ?對話中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟理事長曹健林：根據(jù)自身需求定義中國集成電路發(fā)展路徑
    ?對話中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟理事長曹健林：根據(jù)自身需求定義中國集成電路發(fā)展路徑
    隨著《美國芯片法案》、《歐洲芯片法案》的推出，半導(dǎo)體芯片的“去全球化”趨勢愈發(fā)明顯。復(fù)雜的國際政治經(jīng)濟(jì)環(huán)境，使得半導(dǎo)體發(fā)展面臨了前所未有的難題。在全球科技的廣袤舞臺上，芯片產(chǎn)業(yè)無疑是一顆璀璨的明珠，而中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展之路也同樣充滿了坎坷與挑戰(zhàn)。
  • 芯片領(lǐng)域的隱形王者，竟然是它
    芯片領(lǐng)域的隱形王者，竟然是它
    納斯達(dá)克在1971年伴隨科技浪潮誕生，縱觀歷史，龍頭的更迭司空尋常。問題是，在過去幾十年里，有幾家科技公司在納斯達(dá)克頭部屹立不倒？科技發(fā)展的速度太快，難的不是上牌桌，也不是一把梭哈，而是一直在牌桌上玩下去。
  • 中國晶圓代工之崛起：全球產(chǎn)能占比超72%！
    中國晶圓代工之崛起：全球產(chǎn)能占比超72%！
    近年來，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，全球晶圓代工產(chǎn)能呈現(xiàn)穩(wěn)步增長態(tài)勢，同時AI、HPC、IoT等新興應(yīng)用領(lǐng)域的迅速興起，對芯片性能及產(chǎn)能提出新的要求，進(jìn)一步推動了晶圓代工的技術(shù)升級和產(chǎn)能擴(kuò)張。
  • 嚴(yán)重事故！三星將遭調(diào)查！
    5月27日，三星電子器興晶圓代工廠發(fā)生事故，兩名正在維修半導(dǎo)體晶圓分析設(shè)備的工人受到超標(biāo)輻射。他們在工作時接觸的輻射劑量分別為 94 西弗特 (Sv) 和 28 Sv，分別比適用于輻射相關(guān)工人的年度安全水平 0.5 Sv 高出約 188 倍和 55 倍。
  • 探索光耦：高速光耦與普通光耦的差異
    在現(xiàn)代電子設(shè)備中，光耦（光電耦合器）是不可或缺的重要元件。它通過光信號隔離電路，防止高電壓或高電流的干擾。然而，隨著電子技術(shù)的發(fā)展，對光耦的性能需求也在不斷提升。高速光耦的出現(xiàn)，標(biāo)志著光耦技術(shù)的一次飛躍。那么，高速光耦與普通光耦究竟有哪些不同？它們又是如何在技術(shù)進(jìn)步中發(fā)揮各自的作用呢？ ▲KINGLIGHT高速光耦參數(shù)表 ▲KINGLIGHT晶體管光耦參數(shù)表 響應(yīng)速度：從毫秒到納秒的飛躍 普通光耦
  • 又一條10nm產(chǎn)線！年底建成！
    又一條10nm產(chǎn)線！年底建成！
    三星電子正在開發(fā)的1c DRAM（第六代10納米級DRAM）正在成為半導(dǎo)體行業(yè)的最大話題。1c DRAM是三星電子、SK海力士等預(yù)計(jì)明年開始量產(chǎn)的下一代存儲器。三星電子計(jì)劃在今年年底前建成第一條 1c DRAM 量產(chǎn)線。
  • 光耦知識分享 | AC晶體管光耦在照明控制領(lǐng)域的應(yīng)用與選型推薦
    隨著智能建筑與智能家居技術(shù)的迅猛崛起，照明控制技術(shù)亦隨之日新月異。傳統(tǒng)的照明控制手段已難以適應(yīng)現(xiàn)代化、智能化的新需求。在這樣的技術(shù)革新浪潮中，AC晶體管光耦以其卓越的性能和可靠性，成為了照明控制領(lǐng)域中不可或缺的一環(huán)。AC晶體管光耦不僅具有出色的高低壓電路隔離功能，還能有效屏蔽電磁干擾，確保整個系統(tǒng)的安全、穩(wěn)定運(yùn)行。 AC晶體管光耦在照明控制中的應(yīng)用 調(diào)光控制：現(xiàn)代照明系統(tǒng)追求的不僅是亮度的簡單調(diào)節(jié)
  • 超3.3億！新增4個氮化鎵項(xiàng)目
    超3.3億！新增4個氮化鎵項(xiàng)目
    近日，山東、浙江及中國臺灣地區(qū)共新增了4個GaN相關(guān)項(xiàng)目，10月18日，據(jù)“投資濟(jì)南”官微消息，濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對接會于17日在歷城區(qū)國家超級計(jì)算濟(jì)南中心舉辦，會上簽約了一個GaN單晶項(xiàng)目。
  • 4個國產(chǎn)SiC項(xiàng)目新進(jìn)度：超134億、年底投產(chǎn)！
    4個國產(chǎn)SiC項(xiàng)目新進(jìn)度：超134億、年底投產(chǎn)！
    近日，國內(nèi)多個SiC項(xiàng)目建設(shè)傳新進(jìn)度：●?士蘭微：8英寸SiC項(xiàng)目進(jìn)入土方工程收尾階段，預(yù)計(jì)于明年Q3通線。●?予秦半導(dǎo)體：SiC晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評表公示，產(chǎn)能為840個晶錠/年?！?新潔能：總部基地及SiC/GaN產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目預(yù)計(jì)年底竣工投用。
  • Vishay推出通過AEC-Q102認(rèn)證
    Vishay推出通過AEC-Q102認(rèn)證
    車規(guī)級器件采用節(jié)省空間的SOP-4封裝，典型導(dǎo)通和關(guān)斷時間為0.1 ms，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的1 Form A固態(tài)繼電器--- VORA1010M4，該器件通過AEC-Q102認(rèn)證，負(fù)載電壓達(dá)100 V。Vishay Semiconductors VORA1010M4采用薄型SOP
  • 光刻膠的旋涂曲線受那些因素影響？
    光刻膠的旋涂曲線受那些因素影響？
    學(xué)員問：聽光刻的老師傅說，光刻膠的旋涂一般會遵循特定的旋涂曲線規(guī)律，可以介紹下旋涂曲線的相關(guān)知識嗎？
  • 業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
    業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列
    Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護(hù)碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關(guān)速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩(wěn)健柵極
  • 實(shí)時時鐘芯片RTC
    FRTC8563是NYFEA徠飛公司推出的一款實(shí)時時鐘芯片，采用SOP-8封裝形式。這種封裝形式具有體積小、引腳間距小、便于集成等特點(diǎn)，使得FRTC8563能夠方便地應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 FRTC8563芯片基于32.768kHz的晶體振蕩器工作，這種頻率的晶體振蕩器具有低功耗 和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)，使得FRTC8563能夠提供準(zhǔn)確可靠的時間信息。通過分頻器對振蕩信號進(jìn)行分頻處理，可以得到1Hz的時
  • 數(shù)據(jù)中心理想之選——英特爾至強(qiáng)6性能核處理器
    數(shù)據(jù)中心理想之選——英特爾至強(qiáng)6性能核處理器
    隨著企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型進(jìn)程的加速及新興技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用，業(yè)界對多元化、高質(zhì)量和綠色算力的需求與日俱增。近期，英特爾發(fā)布的英特爾? 至強(qiáng)? 6性能核處理器，憑借創(chuàng)新的微架構(gòu)、顯著提升的核心數(shù)量、雙倍內(nèi)存帶寬，以及對PCIe 5.0和CXL 2.0等最新技術(shù)的支持等領(lǐng)先特性，實(shí)現(xiàn)了整體性能的顯著提升，能夠應(yīng)對邊緣、數(shù)據(jù)中心、云環(huán)境的嚴(yán)苛挑戰(zhàn)，是數(shù)據(jù)中心的理想選擇。 在云計(jì)算領(lǐng)域，相比上一代處理器，至強(qiáng)6性
  • 德州儀器 (TI) 全新可編程邏輯產(chǎn)品系列助力工程師在數(shù)分鐘內(nèi)完成從概念到原型設(shè)計(jì)的整個過程
    德州儀器 (TI) 全新可編程邏輯產(chǎn)品系列助力工程師在數(shù)分鐘內(nèi)完成從概念到原型設(shè)計(jì)的整個過程
    全新可編程邏輯器件和無代碼設(shè)計(jì)工具可降低工程設(shè)計(jì)復(fù)雜性和成本、減少布板空間并縮短時間。 德州儀器全新可編程邏輯產(chǎn)品系列允許工程師在單個芯片上集成多達(dá) 40 個邏輯及模擬功能，與分立式實(shí)施方案相比，大幅減小了電路板尺寸。 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日推出了可編程邏輯器件 (PLD) 系列。此產(chǎn)品系列以德州儀器出色的邏輯產(chǎn)品系列為基礎(chǔ)，旨在幫助工程師簡化任何應(yīng)用的邏輯設(shè)計(jì)。德州儀

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