超3.3億！新增4個(gè)氮化鎵項(xiàng)目

近日，山東、浙江及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)共新增了4個(gè)GaN相關(guān)項(xiàng)目，詳情請(qǐng)看：

山東：新增2個(gè)GaN單晶項(xiàng)目

“行家說三代半”獲悉，山東濟(jì)南、臨沂兩地均新增了GaN項(xiàng)目：

●?濟(jì)南：簽約晶鎵半導(dǎo)體

10月18日，據(jù)“投資濟(jì)南”官微消息，濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價(jià)值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對(duì)接會(huì)于17日在歷城區(qū)國(guó)家超級(jí)計(jì)算濟(jì)南中心舉辦，會(huì)上簽約了一個(gè)GaN單晶項(xiàng)目——

據(jù)悉，山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司入駐新一代半導(dǎo)體公共服務(wù)平臺(tái)項(xiàng)目，將依托山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、新一代半導(dǎo)體材料研究院研發(fā)的最新GaN單晶生長(zhǎng)與襯底加工技術(shù)成果，后續(xù)將開展第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，為電子、通信、計(jì)算等多個(gè)行業(yè)提供基礎(chǔ)支撐。

資料顯示，晶鎵半導(dǎo)體成立于2023年8月，主要從事第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）自支撐單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售；已與山東大學(xué)開展全方位產(chǎn)學(xué)研合作。是國(guó)際上少數(shù)具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的GaN自支撐單晶襯底生產(chǎn)制造廠家。

●?臨沂：建設(shè)2英寸氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目

10月18日，據(jù)“中交雄安建設(shè)有限公司”官微披露，臨沂市委書記任剛于16日到羅莊高新廠房項(xiàng)目調(diào)研，實(shí)地察看了一GaN項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)展。

任剛表示，羅莊區(qū)各相關(guān)部門要為項(xiàng)目建設(shè)保駕護(hù)航，保證項(xiàng)目順利投產(chǎn)，利用氮化鎵廣闊的發(fā)展和應(yīng)用前景，帶動(dòng)全市機(jī)械加工、軟件、精加工等產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。

據(jù)悉，該GaN項(xiàng)目建成后，將與北京化工大學(xué)進(jìn)行技術(shù)合作，采用具有獨(dú)立技術(shù)產(chǎn)權(quán)的單晶襯底生產(chǎn)技術(shù)，引進(jìn)先進(jìn)的HVPE單晶氮化鎵生產(chǎn)設(shè)備，特別是高HVPE單晶生產(chǎn)設(shè)備，生產(chǎn)2英寸氮化鎵單晶襯底，將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)大尺寸、多片機(jī)生產(chǎn)氮化鎵單晶襯底設(shè)備的空白。

浙江桐鄉(xiāng)：簽約GaN外延項(xiàng)目

10月10日，據(jù)“桐鄉(xiāng)發(fā)布”官微消息，桐鄉(xiāng)臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)舉行了招商推進(jìn)會(huì)，42個(gè)優(yōu)質(zhì)項(xiàng)目集中簽約，總投資達(dá)54.4億元，其中包括一個(gè)GaN外延項(xiàng)目。

據(jù)悉，一個(gè)從事高性能、高品質(zhì)氮化鎵半導(dǎo)體外延片與芯片研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的氮化鎵半導(dǎo)體外延片項(xiàng)目簽約落戶屠甸鎮(zhèn)。

目前該項(xiàng)目暫無更多信息披露，“行家說三代半”將持續(xù)關(guān)注報(bào)道，敬請(qǐng)關(guān)注。

中國(guó)臺(tái)灣：簽約GaN外延項(xiàng)目

10月4日，據(jù)“新竹科學(xué)園區(qū)”消息，中國(guó)臺(tái)灣第19次國(guó)科會(huì)科學(xué)園區(qū)審議會(huì)成功召開，會(huì)上通過了5起投資案，其中包括冠亞半導(dǎo)體GaN項(xiàng)目。

消息披露，冠亞半導(dǎo)體計(jì)劃投資15億元新臺(tái)幣（約3.3億人民幣）在新竹園區(qū)新建項(xiàng)目，生產(chǎn)氮化鎵功率器件相關(guān)產(chǎn)品，產(chǎn)品規(guī)格包括650V（GaN on Si）以下和1200V（GaN on Sapphire/SiC）以上，適用于高壓、高功率、高速及低能耗的應(yīng)用環(huán)境。

據(jù)“行家說三代半”此前報(bào)道，冠亞半導(dǎo)體于今年5月正式承接母公司臺(tái)亞半導(dǎo)體的8英寸GaN業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)分割營(yíng)業(yè)價(jià)值為10億元新臺(tái)幣（約合人民幣2.2億）。

冠亞半導(dǎo)體總經(jīng)理衣冠君曾透露，臺(tái)亞半導(dǎo)體氮化鎵初期產(chǎn)能建置以6英寸晶圓為主，現(xiàn)已完成第一代650V 150毫歐D-modeHEMT的動(dòng)態(tài)可靠度測(cè)試，并送樣給國(guó)內(nèi)外客戶，并以晶圓代工模式接受訂單（冠亞代工）。

此外，冠亞8英寸第1套生產(chǎn)線目前已完成全部設(shè)備進(jìn)機(jī)，目標(biāo)今年第三季度初啟動(dòng)相關(guān)器件開發(fā)，年底前通過產(chǎn)品驗(yàn)證。