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多年來(lái)，芯思想研究院（ChipInsights）對(duì)國(guó)內(nèi) 12 英寸、8 英寸、6 英寸晶圓生產(chǎn)線的情況進(jìn)行了長(zhǎng)期深入的跟蹤調(diào)研。
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根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計(jì)，截止 2019 年底我國(guó) 12 英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約 90 萬(wàn)片，較 2018 年增長(zhǎng) 50%；8 英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約 100 萬(wàn)片，較 2018 年增長(zhǎng) 10%；6 英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約 230 萬(wàn)片，較 2018 年增長(zhǎng) 15%；5 英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約 80 萬(wàn)片，較 2018 年下降 11%；4 英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約 260 萬(wàn)片，較 2018 年增長(zhǎng) 30%；3 英寸晶圓制造廠裝機(jī)產(chǎn)能約 40 萬(wàn)片，較 2018 年下降 20%。
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為了讓大家對(duì)我國(guó)新的晶圓制造線的最新情況有個(gè)了解，本文對(duì) 2019 年度有關(guān)中國(guó)晶圓生產(chǎn)線的最新情況進(jìn)行盤(pán)點(diǎn)，現(xiàn)將調(diào)研情況梳理如下。
共計(jì) 63 個(gè)項(xiàng)目，其中 6 個(gè)項(xiàng)目已經(jīng)停擺，刨除停擺項(xiàng)目外，其他 57 個(gè)項(xiàng)目宣布投資總額超過(guò) 15000 億人民幣，較 2018 年統(tǒng)計(jì)增長(zhǎng) 7%。
本文分為兩大部分，一是硅基項(xiàng)目，二是化合物項(xiàng)目；每部分包括投產(chǎn)篇、產(chǎn)能爬坡篇、在建篇、規(guī)劃篇、停擺篇。
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投產(chǎn)篇：2019 年度宣布投產(chǎn)的晶圓制造生線
產(chǎn)能爬坡篇：2019 年前投產(chǎn)的生產(chǎn)線，2019 年產(chǎn)能較 2018 年開(kāi)始提升
在建篇：2019 年度還在建設(shè)的晶圓生產(chǎn)線
規(guī)劃篇：宣布建線計(jì)劃
停擺篇：2019 年度停止建設(shè)的項(xiàng)目
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一、硅基項(xiàng)目（53）?
投產(chǎn)篇（12）
中芯南方集成電路制造有限公司（12 英寸 14 納米）
華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司（12 英寸）
武漢新芯集成電路制造有限公司二期（12 英寸）
三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司二期一階段
廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（12 英寸）
重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司（12 英寸）
江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司（12 英寸）
SK 海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司（12 英寸）
福建省晉華集成電路有限公司（12 英寸）
中芯集成電路制造（紹興）有限公司（中芯紹興，8 英寸）
北京燕東微電子科技有限公司（8 英寸）
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司（6 英寸）
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產(chǎn)能爬坡篇（14）
上海華力集成電路制造有限公司（12 英寸）
長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（12 英寸）
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（12 英寸）
合肥晶合集成電路有限公司（12 英寸）
聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司（12 英寸）
臺(tái)積電（南京）有限公司（12 英寸）
英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司（12 英寸）
中芯國(guó)際集成電路制造（深圳）有限公司（12 英寸）
中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司（8 英寸）
中芯集成電路（寧波）有限公司（N1，8 英寸）
杭州士蘭集昕微電子有限公司（士蘭集昕，8 英寸）
上海新進(jìn)芯微電子有限公司（8 英寸）
四川廣義微電子股份有限公司（6 英寸）
河南芯睿電子科技有限公司（芯睿電子 6 英寸）
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在建篇（15）
廈門士蘭集科微電子有限公司（12 英寸）
武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司（弘芯半導(dǎo)體，12 英寸）
三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司二期二階段（12 英寸）
成都紫光國(guó)芯存儲(chǔ)科技有限公司（12 英寸）
芯恩（青島）集成電路有限公司（芯恩，12 英寸）
泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司（泉芯集成，12 英寸）
芯恩（青島）集成電路有限公司（芯恩，8 英寸）
賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司（賽萊克斯，8 英寸）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，8 英寸）
中芯集成電路（寧波）有限公司二期（中芯寧波二期，8 英寸）
杭州士蘭集昕微電子有限公司（士蘭集昕二期，8 英寸）
海辰半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司（無(wú)錫海辰，8 英寸）
濟(jì)南富能半導(dǎo)體有限公司（富能半導(dǎo)體，8 英寸）
吉林華微電子股份有限公司（華微電子，8 英寸）
山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（6 英寸）
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規(guī)劃篇（7）
華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司（華潤(rùn)重慶，12 英寸）
華潤(rùn)微電子無(wú)錫項(xiàng)目（華潤(rùn)微電子，8 英寸）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，12 英寸）
紫光 DRAM 項(xiàng)目（紫光 DRAM，12 英寸）
青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司（城芯半導(dǎo)體，12 英寸）
四川中科晶芯集成電路制造有限責(zé)任公司（中科晶芯，8 英寸）
贛州名芯半導(dǎo)體項(xiàng)目（贛州名芯，8 英寸）
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停擺篇（5）
南京紫光存儲(chǔ)科技控股有限公司（12 英寸）
格芯（成都）集成電路制造有限公司（格芯成都，12 英寸）
德淮半導(dǎo)體有限公司（12 英寸）
德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司（德科碼南京，8 英寸）
江蘇中璟航天半導(dǎo)體實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司（中璟航天，8 英寸）
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二、化合物項(xiàng)目（10）
投產(chǎn)篇（1）
廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（6 英寸）
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產(chǎn)能爬坡篇（4）
英諾賽科（珠海）科技有限公司（8 英寸）
株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司（6 英寸碳化硅）
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司（氮化鎵）
江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司（氮化鎵）
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在建篇（3）
英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（8 英寸）
北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司（6 英寸碳化硅）
濟(jì)南富能半導(dǎo)體有限公司（6 英寸）
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規(guī)劃篇（1）
上海積塔半導(dǎo)體有限公司（積塔半導(dǎo)體，6 英寸）
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停擺篇（1）
北京雙儀微電子科技有限公司（6 英寸砷化鎵）
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一、硅基項(xiàng)目
投產(chǎn)篇?
中芯南方集成電路制造有限公司
（中芯南方，12 英寸 14 納米）
2019 年中芯南方集成電路制造有限公司 12 英寸 14 納米生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，標(biāo)志著中國(guó)大陸集成電路生產(chǎn)工藝向前推進(jìn)一步，順利完成《推進(jìn)綱要》的目標(biāo)。。
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2019 年第一季度，中芯南方 FinFET 工廠首臺(tái)光刻機(jī)搬入，開(kāi)始產(chǎn)能布建。目前已經(jīng)具備月產(chǎn)能 3500 片規(guī)模，最終達(dá)到每月產(chǎn)能 35000 片的目標(biāo)。
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中芯南方成立于 2016 年 12 月 1 日，是配合中芯國(guó)際 14 納米及以下先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃而建設(shè)的具備先進(jìn)制程產(chǎn)能的 12 英寸晶圓廠。
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華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司一期
（華虹無(wú)錫，12 英寸）
2020 年 1 月 1 日舉行首批功率器件晶圓投片儀式，并和無(wú)錫新潔能簽約。華虹無(wú)錫的 IC+Power 戰(zhàn)略，Logic、eFlash、BCD、SOI RF 和 Power 等工藝平臺(tái)陸續(xù)推出，可滿足無(wú)錫絕大多數(shù)設(shè)計(jì)公司。
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2019 年 5 月 24 日首臺(tái)設(shè)備搬入，并舉行了 HHFAB7 廠授牌儀式。2019 年 6 月 6 日華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地 12 英寸生線一期 3 臺(tái)光刻機(jī)臺(tái)搬入；2019 年 9 月 17 日試投片生產(chǎn)，標(biāo)志著中國(guó)第一條 12 英寸 90 納米 /55 納米工藝的功率器件生產(chǎn)線投產(chǎn)。
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2017 年 8 月 2 日，華虹宏力與無(wú)錫市政府及國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）簽訂了一份投資協(xié)議，三方將在無(wú)錫投資建設(shè)一座 12 英寸晶圓廠。據(jù)介紹，大基金向華虹注資 9.22 億美元，其中 4 億美元投給華虹半導(dǎo)體，持股 18.94%；5.22 億美元投給華虹無(wú)錫，持股 29%。
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華虹無(wú)錫集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目占地約 700 畝，總投資 100 億美元，一期項(xiàng)目總投資約 25 億美元，新建一條工藝等級(jí) 90-65/55 納米、月產(chǎn)能約 4 萬(wàn)片的 12 英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持 5G 和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。
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武漢新芯集成電路制造有限公司二期
（新芯二期，12 英寸）
2019 年二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目已經(jīng)順利投產(chǎn)。
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2018 年 8 月 28 日，武漢新芯集成電路制造有限公司召開(kāi)二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)會(huì)在武漢召開(kāi)。據(jù)悉武漢新芯二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目規(guī)劃總投資 17.8 億美元；2018 年 12 月開(kāi)始進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試。
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據(jù)悉，二期將緊抓物聯(lián)網(wǎng)和 5G 運(yùn)用的市場(chǎng)機(jī)遇，建設(shè) NOR Flash（自主代碼型）閃存、微控制器和三維特種工藝三大業(yè)務(wù)平臺(tái)，相當(dāng)于再造一個(gè)武漢新芯。
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根據(jù)規(guī)劃，武漢新芯的 NOR Flash 閃存能力每個(gè)月擴(kuò)充 8000 片，從月產(chǎn)能 1.2 萬(wàn)片擴(kuò)至月能 2 萬(wàn)片，微控制器每個(gè)月擴(kuò)充 5000 片，計(jì)劃用 5 年時(shí)間把武漢新芯建設(shè)成中國(guó)物聯(lián)網(wǎng)芯片領(lǐng)導(dǎo)型企業(yè)。
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三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司二期一階段
（三星西安 X2-PH1，12 英寸）?
2019 年 7 月開(kāi)始設(shè)備安裝調(diào)試，目前已經(jīng)開(kāi)始試運(yùn)行生產(chǎn)，為量產(chǎn)做準(zhǔn)備，2020 年 3 月正式量產(chǎn)。
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2018 年 3 月，三星宣布在西安舉行了 3D NAND 閃存芯片二期一階段項(xiàng)目奠基儀式。
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三星半導(dǎo)體西安存儲(chǔ)芯片基地進(jìn)行了重新規(guī)劃，將二期項(xiàng)目分為兩個(gè)階段，目前在建的做為二期第一階段，投資 70 億美元，規(guī)劃月產(chǎn)能 6 萬(wàn)片，到 2020 年底，西安 3D NAND 月產(chǎn)能將由目前的 12 萬(wàn)片增至 18 萬(wàn)片，增幅約 50%。
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廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
（廣州粵芯，12 英寸）?
2019 年 9 月 20 日，粵芯半導(dǎo)體第一階段的生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。
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2019 年 3 月 15 日，廣州粵芯半導(dǎo)體有限公司舉行了 12 英寸生產(chǎn)線設(shè)備搬入儀式，首批進(jìn)入的設(shè)備來(lái)自全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，包括 ASML 的光刻機(jī)、AMAT 的晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備、LAM Research 的刻蝕設(shè)備、TEL 的涂膠顯影設(shè)備和 KLA 的檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備。3 月 19 日，有多臺(tái)國(guó)產(chǎn)設(shè)備開(kāi)始搬入并安裝調(diào)試；2019 年 6 月 29 日，粵芯半導(dǎo)體宣布，第一階段的生產(chǎn)線調(diào)試已經(jīng)完成，首批樣品已經(jīng)出貨，良率已達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。
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2018 年 3 月開(kāi)始樁基工程，10 月 11 日舉行了 12 英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目主廠房封頂；12 月 7 日潔凈室正壓送風(fēng)。
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2017 年 12 月舉行開(kāi)工儀式，這是國(guó)內(nèi)第一座以虛擬 IDM (Virtual IDM) 為營(yíng)運(yùn)策略的 12 英寸晶圓廠，也是廣州第一條 12 英寸晶圓生產(chǎn)線。
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粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目投資 70 億元，新建廠房及配套設(shè)施共占地 14 萬(wàn)平方米。建成達(dá)產(chǎn)后，粵芯半導(dǎo)體將實(shí)現(xiàn)月產(chǎn) 40000 片 12 英寸晶圓的生產(chǎn)能力，采用 130nm 到 180nm 工藝節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)，產(chǎn)品包括微處理器、電源管理芯片、模擬芯片、功率分立器件等，滿足物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、5G 等創(chuàng)新應(yīng)用的模擬芯片需求。
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重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司
（重慶萬(wàn)國(guó)，12 英寸）
2019 年上半年，重慶萬(wàn)國(guó)完成了 12 英寸生產(chǎn)線設(shè)備安裝，7 月開(kāi)始小批量 12 英寸晶圓生產(chǎn)。
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2015 年 9 月，兩江新區(qū)管委會(huì)與萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司簽訂“12 英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封裝測(cè)試生產(chǎn)基地項(xiàng)目投資協(xié)議”，2016 年 4 月 22 日成立重慶萬(wàn)國(guó)，將主要從事功率半導(dǎo)體器件（含功率 MOSFET、IGBT 等功率集成電路）的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。2017 年 2 月動(dòng)工建設(shè)。2018 年 3 月開(kāi)始搬入設(shè)備并裝機(jī)。
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萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司是全球技術(shù)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體企業(yè)，該項(xiàng)目總投資 10 億美元，將分二期建設(shè)。其中，項(xiàng)目一期投資約 5 億美元，建筑面積 93111 平方米，預(yù)計(jì)每月生產(chǎn) 2 萬(wàn)片芯片、封裝測(cè)試 5 億顆芯片；二期投資約 5 億美元，預(yù)計(jì)每月生產(chǎn) 5 萬(wàn)片芯片、封裝測(cè)試 12.5 億顆半導(dǎo)體芯片。
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江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司
（時(shí)代芯存，12 英寸）?
2019 年 8 月 26 日，時(shí)代全芯發(fā)布了基于相變材料的 2 兆位可編程只讀相變存儲(chǔ)器產(chǎn)品（EEPROM）“溥元 611”，標(biāo)志著中國(guó)首條 PCRAM 后道生產(chǎn)線投產(chǎn)，其前道生產(chǎn)還是選擇和華力微合作。
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2019 年 4 月，KLA 和日立（Hitachi）的量測(cè)機(jī)臺(tái)，以及 Wet Etch、CVD 機(jī)臺(tái)陸續(xù)搬入。2018 年 4 月 10 日，生產(chǎn)線核心設(shè)備 ASML 1950Hi 光刻機(jī)進(jìn)廠安裝，1950Hi 可滿足 38 納米工藝生產(chǎn)。
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2018 年 12 月公司入選工信部存儲(chǔ)器“一條龍”應(yīng)用計(jì)劃“示范企業(yè)”，年產(chǎn) 10 萬(wàn)片 12 英寸相變存儲(chǔ)器項(xiàng)目入選“示范項(xiàng)目”，是少數(shù)幾家入選“示范企業(yè)”和“示范項(xiàng)目”的公司 ，更是全國(guó)唯一一家相變存儲(chǔ)器（PCM）入選的公司。
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2016 年 9 月 28 日，項(xiàng)目正式破土動(dòng)工；2017 年 3 月 1 日，年產(chǎn) 10 萬(wàn)片 12 英寸相變存儲(chǔ)器項(xiàng)目舉行動(dòng)工儀式；2017 年 11 月 9 日主廠房封頂。
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江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司正式致力于開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)搭載最新 PCM 技術(shù)的存儲(chǔ)產(chǎn)品。江蘇淮安 PCRAM 生產(chǎn)項(xiàng)目總投資 130 億元，一期投資 43 億元。公司宣稱擁有相變存儲(chǔ)器完整的技術(shù)和工藝的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及產(chǎn)業(yè)化能力，已制定了未來(lái)十年的產(chǎn)品規(guī)劃。2017 年 6 月 16 日，與 IBM 公司就相變存儲(chǔ)知識(shí)產(chǎn)權(quán)移轉(zhuǎn)淮安簽約暨大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品研發(fā)合作啟動(dòng)儀式舉行。
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SK 海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司
（SK 海力士，12 英寸）
2019 年 4 月 18 日 SK 海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司舉行了無(wú)錫工廠擴(kuò)建（C2F）竣工儀式，不過(guò)海力士對(duì)于產(chǎn)能爬坡不是太積極。
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2018 年 11 月 30 日，首臺(tái)生產(chǎn)裝備開(kāi)始搬入廠房。
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2016 年 11 月二工廠破土動(dòng)工，2017 年 10 月 29 日，SK 海力士與無(wú)錫市政府就海力士新上二工廠項(xiàng)目簽約，總投資高達(dá) 86 億美元。擴(kuò)建完成之后，到滿產(chǎn)時(shí)，無(wú)錫基地將形成月產(chǎn)能 20 萬(wàn)片 10 納米制程等級(jí)的晶圓生產(chǎn)基地。
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SK 海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司是由韓國(guó) SK 海力士株式會(huì)社于 2005 年 4 月投資設(shè)立的半導(dǎo)體制造工廠，主要生產(chǎn) 12 英寸半導(dǎo)體集成電路芯片。
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SK 海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司在錫進(jìn)行了多次增資及技術(shù)升級(jí)，累計(jì)投資額約 200 億美元。
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福建省晉華集成電路有限公司
（晉華集成，12 英寸）
2019 年以來(lái)，筆者在多個(gè)場(chǎng)合見(jiàn)到晉華集成副總，雖然并未透露任何有關(guān)晉華的信息，但其代表晉華公開(kāi)現(xiàn)身，應(yīng)該表明“晉華仍在運(yùn)轉(zhuǎn)當(dāng)中”。
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2018 年 10 月 30 日，美國(guó)商務(wù)部以國(guó)家安全為由，宣布自 10 月 30 日起對(duì)晉華集成實(shí)施出口管制，被美國(guó)列入出口管制“實(shí)體清單”的中國(guó)企業(yè)。限制對(duì)其出口，原因是該公司新增的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)能力將威脅到為軍方提供此類芯片的美國(guó)供應(yīng)商的生存能力。目前項(xiàng)目陷入危機(jī)中。
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2016 年 2 月 26 日，晉華集成在福建省晉江市成立；2016 年 4 月，中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部投審會(huì)通過(guò)聯(lián)電和晉華集成合作共同開(kāi)發(fā) 32 納米 DRAM 制程；由聯(lián)電在南科研發(fā)，再移轉(zhuǎn)到晉華集成生產(chǎn)；2016 年 5 月，晉華集成與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)議，開(kāi)發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)。由晉華支付技術(shù)報(bào)酬金，開(kāi)發(fā)出的 DRAM 技術(shù)成果，將由雙方共同擁有；2016 年 6 月 9 日晉華集成首座 12 英寸晶圓廠項(xiàng)目立項(xiàng)備案；2016 年 7 月，晉華集成首座 12 英寸晶圓廠舉行施工典禮；2016 年 10 月 18 日，晉華集成首座 12 英寸晶圓廠正式開(kāi)工建設(shè)；2017 年 11 月，晉華集成首座 12 英寸晶圓廠廠房封頂；2018 年 7 月晉華集成首座 12 英寸晶圓廠工藝設(shè)備進(jìn)場(chǎng)安裝，計(jì)劃年底進(jìn)行小規(guī)模投片試產(chǎn)。
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晉華集成是由福建省電子信息集團(tuán)、及泉州、晉江兩級(jí)政府共同出資設(shè)立，被納入我國(guó)“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃。晉華集成電路與中國(guó)臺(tái)灣聯(lián)華電子開(kāi)展技術(shù)合作，專注于 DRAM 產(chǎn)品領(lǐng)域。預(yù)估 2018 年 9 月正式投產(chǎn)，到 2019 年底一廠一期項(xiàng)目可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn) 6 萬(wàn)片 12 英寸晶圓的產(chǎn)能，到 2020 年底一廠二期也將達(dá)產(chǎn) 6 萬(wàn)片。并適時(shí)啟動(dòng)二廠的建設(shè)，到二廠達(dá)產(chǎn)時(shí)，總產(chǎn)能將達(dá) 24 萬(wàn)片。
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中芯集成電路制造（紹興）有限公司
（中芯紹興，8 英寸）?
2109 年 11 月 16 日，中芯集成電路制造（紹興）有限公司宣布 8 英寸生產(chǎn)線通線投片，2020 年 3 月正式量產(chǎn)。
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2019 年 6 月 19 日，主體工程結(jié)頂；9 月搬入工藝設(shè)備，10 月完成了 151 臺(tái)套設(shè)備的安裝調(diào)試。
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2018 年 5 月 18 日，中芯紹興 8 英寸廠房項(xiàng)目舉行奠基儀式，標(biāo)志著中芯國(guó)際微機(jī)電和功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式落地紹興。
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2018 年 3 月 1 日，中芯紹興項(xiàng)目舉行簽約儀式，項(xiàng)目首期投資 58.8 億元人民幣。
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北京燕東微電子科技有限公司
（北京燕東，8 英寸）
2019 年 12 月燕東微電子 8 英寸生產(chǎn)線投片，經(jīng)過(guò)多次工藝試驗(yàn)后，目前良率已經(jīng)達(dá)到預(yù)期。
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2019 年 6 月 25 日，燕東微電子 8 英寸生產(chǎn)線首批設(shè)備正式搬入。首臺(tái)搬入的設(shè)備是北方華創(chuàng)的刻蝕機(jī)。
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2018 年 12 月 31 日，燕東微電子 8 英寸 Mini-line 試驗(yàn)線第一片晶圓正式下線，實(shí)現(xiàn)了 Trench MOSFET 30V 產(chǎn)品全流程貫通，器件功能良好，電性能測(cè)試單片良率超 80%。這是燕東微電子在 8 英寸晶圓制造的里程碑。
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2018 年 4 月 15 日，燕東微電子 8 英寸集成電路項(xiàng)目舉行上梁儀式，6 月 29 日主廠房封頂。
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司
（江蘇英銳，6 英寸）
江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司 6 英寸廠于 2019 年第四季度試生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。
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江蘇英銳半導(dǎo)體有限公司是由深圳英銳集團(tuán)子公司盈信通科技（香港）有限公司投資建設(shè)，于 2018 年 3 月正式啟動(dòng)，項(xiàng)目總投資 1.5 億美元。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，可年產(chǎn)芯片 60 萬(wàn)片，主要生產(chǎn)功率分立器件。
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從日本、美國(guó)引進(jìn)生產(chǎn)所需光刻機(jī)、離子注入機(jī)、刻蝕機(jī)、PECVD、濺射臺(tái)等共計(jì) 415 臺(tái)（套）。
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產(chǎn)能爬坡篇
上海華力集成電路制造有限公司
（華力二期，12 英寸）
自投產(chǎn)以來(lái)，上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）的產(chǎn)能迅速爬坡，2019 年第二季度達(dá)月產(chǎn) 10000 片，到第四季度達(dá)月產(chǎn) 20000 片。
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2018 年 10 月 18 日，上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）生產(chǎn)線正式投片，首批 12 英寸硅片進(jìn)入機(jī)臺(tái)，開(kāi)始 28 納米工藝芯片制造。
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2016 年 12 月 30 日上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HHFAB6）12 英寸先進(jìn)生產(chǎn)線開(kāi)工建設(shè)；2017 年 5 月 20 日樁基工程完工，開(kāi)始主廠房鋼結(jié)構(gòu)屋架吊裝，11 月 2 日廠房主體結(jié)構(gòu)完成；2018 年 5 月 21 日實(shí)現(xiàn)首臺(tái)工藝設(shè)備光刻機(jī)搬入。
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上海華力集成電路制造有限公司（華力二期，HH FAB6）12 英寸先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目是上海市最大的集成電路產(chǎn)業(yè)投資項(xiàng)目，總投資 387 億元人民幣，建成月產(chǎn)能 4 萬(wàn)片的 12 英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，工藝覆蓋 28-14 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。項(xiàng)目計(jì)劃于 2022 年底達(dá)產(chǎn)。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
（長(zhǎng)江存儲(chǔ)，12 英寸）?
2019 年長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層 3D NAND 閃存芯片實(shí)現(xiàn)全速量產(chǎn)；9 月 64 層 3D NAND 閃存芯片已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)。目前月產(chǎn)能約 2 萬(wàn)片，2020 年將爬坡至 5 萬(wàn)片。
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2018 年第四季度，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期工程正式投產(chǎn)，32 層 3D NAND 閃存芯片成功實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。
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2016 年 7 月 26 日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有限責(zé)任公司成立；2016 年 12 月 30 日，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目正式開(kāi)工建設(shè)；2017 年 7 月，32 層 3D NAND 芯片 T/O（設(shè)計(jì)完成）；2017 年 9 月，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期工程提前封頂；2017 年 11 月，耗資 10 億美元、1000 人團(tuán)隊(duì)歷時(shí) 2 年研發(fā)的 32 層 3D NAND 芯片完成首次驗(yàn)證；2018 年 4 月 11 日，一期工程生產(chǎn)機(jī)臺(tái)正式進(jìn)場(chǎng)安裝。
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國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目規(guī)劃，預(yù)計(jì) 5 年投入 1600 億元（約合 240 億美元），到 2020 年形成月產(chǎn)能 30 萬(wàn)片的生產(chǎn)規(guī)模，到 2030 年建成每月 100 萬(wàn)片的產(chǎn)能。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
（長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，12 英寸）?
2019 年 9 月 20 日宣布正式量產(chǎn)，目前裝機(jī)月產(chǎn)能 20000 片。
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2019 年 5 月 15 日的 GSA Memory+論壇上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)朱一明表示，公司 DRAM 項(xiàng)目計(jì)劃年內(nèi)大規(guī)模投產(chǎn)，產(chǎn)生正向現(xiàn)金流，實(shí)現(xiàn)商業(yè)可持續(xù)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) DRAM 技術(shù)來(lái)源于奇夢(mèng)達(dá)，持續(xù)投入研發(fā)超過(guò) 25 億美元，并不斷完善自身研發(fā)技術(shù)；長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成了第一座 12 英寸 DRAM 存儲(chǔ)器晶圓廠建設(shè)，技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)有序開(kāi)展，已持續(xù)投入晶圓超 15000 片。
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2016 年 5 月 6 日合肥 12 英寸存儲(chǔ)器“506 項(xiàng)目”啟動(dòng)；2017 年 3 月廠房開(kāi)工；2018 年 1 月開(kāi)始設(shè)備安裝；2018 年 7 月 16 日，合肥 12 英寸存儲(chǔ)器“506 項(xiàng)目”正式投片；2018 年底 19 納米產(chǎn)品第一階段成果通過(guò)鑒定。
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根據(jù)規(guī)劃，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合肥 12 英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產(chǎn)能為 12 萬(wàn)片，預(yù)計(jì)分為三個(gè)階段執(zhí)行，第一階段要完成單月 4 萬(wàn)片，目前為 2 萬(wàn)片，2020 年第一季底達(dá)到 4 萬(wàn)片。2020 年開(kāi)始規(guī)劃建設(shè)二期項(xiàng)目，并于 2021 年完成 17 納米工藝的 DRAM 研發(fā)。
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合肥晶合集成電路有限公司
（合肥晶合，12 英寸）?
2019 年底月產(chǎn)能達(dá)到 20000 片規(guī)模，較 2018 年 12 月擴(kuò)增 1 倍。
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2018 年，晶合以 110 納米 -180 納米工藝制造 LCD 驅(qū)動(dòng)芯片。由于因?yàn)楣蓹?quán)問(wèn)題，和力晶陷入冷凍期，此后不再?gòu)牧нM(jìn)行技轉(zhuǎn)，而是自研 55 納米工藝技術(shù)邏輯工藝，原計(jì)劃 2019 年量產(chǎn)，目前看來(lái)較計(jì)劃有所落后。
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2015 年 10 月 20 日，晶合總投資 128.1 億元人民幣的 12 英寸晶圓制造基地項(xiàng)目（一期）開(kāi)工；2016 年 11 月 16 日晶合集成一期舉行封頂儀式；2017 年 4 月 20 日，晶合集成主機(jī)臺(tái)進(jìn)駐；2017 年 6 月 28 日投產(chǎn)；2017 年 9 月 25 日達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)；2017 年 10 月 1 日宣布正式量產(chǎn)。
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公司計(jì)劃建置 4 座 12 英寸晶圓廠。其中一期投入資金超過(guò)百億元，目前已完成 N1、N2 兩個(gè)廠房主體的建設(shè)，N1 廠計(jì)劃 2020 年達(dá)到滿產(chǎn)每月 4 萬(wàn)片規(guī)模。
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聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司
（廈門聯(lián)芯，12 英寸）
2019 年聯(lián)芯集成一期滿載月產(chǎn)能約為 25000 萬(wàn)片，實(shí)際產(chǎn)出每月 18000+片。
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聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司為中國(guó)臺(tái)灣聯(lián)華電子與廈門市人民政府及福建省電子信息集團(tuán)合資成立之一流晶圓專工企業(yè)，于福建省廈門市從事集成電路制造，提供 12 英寸晶圓專工服務(wù)。聯(lián)芯集成電路制造公司于 2014 年底開(kāi)始籌建，2015 年 3 月 26 日奠基動(dòng)工，2016 年 11 月開(kāi)始投產(chǎn)，可提供 40nm 及 28nm 的晶圓專工服務(wù)，一期月產(chǎn)能為 25000 片 12 英寸晶圓。
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廈門聯(lián)芯廠在引進(jìn) 28 納米制程后，2017 年第二季度投產(chǎn) 5000 片，第三季度投產(chǎn) 12000 片。2017 年 12 月 13 日通過(guò) 189.9 億元新臺(tái)幣（約合 6.3 億美元）資本預(yù)算執(zhí)行案，間接增資廈門聯(lián)芯集成電路制造有限公司，擴(kuò)增晶圓廠產(chǎn)能。2018 年第一季度月產(chǎn)能將擴(kuò)增至 16000 片規(guī)模，2018 年年底實(shí)現(xiàn)月產(chǎn) 25000 片的目標(biāo)。
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臺(tái)積電（南京）有限公司
（臺(tái)積電南京，12 英寸）?
2019 年月產(chǎn)能提升為 15000 片，2020 年第一季達(dá)到 20000 片的規(guī)劃產(chǎn)能。
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2018 年 10 月 31 日，臺(tái)積電正式對(duì)外宣布南京 12 英寸晶圓廠 FAB16 量產(chǎn)，提供 12 寸 16nm FinFET 晶圓代工業(yè)務(wù)。
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2015 年年底，臺(tái)積電宣布，已向中國(guó)臺(tái)灣“投審會(huì)”遞件申請(qǐng)赴大陸設(shè)立 12 英寸晶圓廠與設(shè)計(jì)服務(wù)中心，設(shè)立地點(diǎn)確定為江蘇省南京市江北新區(qū)，投資金額大約在 30 億美元；2016 年 3 月 28 日臺(tái)積電南京項(xiàng)目正式落戶南京，2016 年 7 月 7 日項(xiàng)目一期正式開(kāi)工建設(shè)；2017 年 9 月 12 日，臺(tái)積電南京公司舉行了機(jī)臺(tái) MOVE-IN 典禮；2018 年 5 月晶圓廠開(kāi)始試投產(chǎn)。
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這次臺(tái)積南京也打破了多項(xiàng)臺(tái)積的紀(jì)錄，第一是建廠最快，從動(dòng)土到進(jìn)機(jī)只花了 14 個(gè)月，第二是上線最快，進(jìn)機(jī)到開(kāi)始生產(chǎn)不到半年的時(shí)間；第三，這是最美、最宏偉、最有特色的臺(tái)積廠區(qū)。
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英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司
（英特爾大連，12 英寸）?
2019 年月產(chǎn)能為 85000 片。
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2018 年第二季，英特爾宣布大連的 Fab 68 二期投產(chǎn)，主要生產(chǎn) 96 層的 3D NAND 閃存。
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2015 年 10 月 19 日，英特爾與大連市舉行“大連?英特爾非易失性存儲(chǔ)制造”項(xiàng)目簽約。英特爾宣布，為了積極追趕競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的市占率，F(xiàn)ab 68 二期改造工程總投資 55 億美元，該戰(zhàn)略性計(jì)劃是英特爾深化其非易失性存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)發(fā)展戰(zhàn)略的一個(gè)重要舉措。
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此項(xiàng)投資符合英特爾大連工廠的長(zhǎng)期發(fā)展策略，也體現(xiàn)了英特爾與中國(guó)共成長(zhǎng)的長(zhǎng)期發(fā)展承諾。
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中芯國(guó)際集成電路制造（深圳）有限公司
（中芯深圳，12 英寸）
中芯國(guó)際深圳基地 12 英寸 MINI 晶圓生產(chǎn)線月產(chǎn)能 3000 片。
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中芯國(guó)際深圳基地規(guī)劃一條月產(chǎn)能 4 萬(wàn)片的 12 英寸產(chǎn)線，聚焦在 0.11 微米到 55 納米這些工藝的生產(chǎn)，2017 年第 4 季投產(chǎn)。
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中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司二期
（中芯天津，8 英寸）
2019 年二期月產(chǎn)能維持 20000 片裝機(jī)規(guī)模。
根據(jù)公司財(cái)報(bào)，天津一期裝機(jī)產(chǎn)能為 45000 片，2018 年第四季天津基地產(chǎn)能達(dá) 60000 片，較 2018 年第二季增長(zhǎng)了 20%。
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2017 年 2 月擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式啟動(dòng)。2018 年 7 月，中芯國(guó)際天津廠舉行了 P2 Full Flow 擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的首臺(tái)設(shè)備進(jìn)駐儀式。公司在 2018 年持續(xù)對(duì)天津基地進(jìn)行投資以擴(kuò)充產(chǎn)能。
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2016 年 10 月 18 日開(kāi)始，正式啟動(dòng)天津廠產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，該計(jì)劃預(yù)計(jì)投資金額為 15 億美金。在計(jì)劃完成后，產(chǎn)能將達(dá)到每月 15 萬(wàn)片的規(guī)模，有望成為全球最大的單體 8 英寸晶圓的生產(chǎn)基地。
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中芯集成電路（寧波）有限公司一期
（寧波中芯 N1，8 英寸）
一期規(guī)劃月產(chǎn)能 15000 萬(wàn)。
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2018 年第三季度，中芯寧波 8 英寸特種工藝 N1 產(chǎn)線生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)廠，2018 年 11 月 2 日正式投產(chǎn)。
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這是中芯支持建設(shè)的特色工藝生線。中芯集成電路（寧波）有限公司由中芯晶圓與寧波勝芯、華創(chuàng)投資等聯(lián)合成立。公司將通過(guò)對(duì)相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和技術(shù)的收購(gòu)、吸收、提升和發(fā)展，在高壓模擬半導(dǎo)體以及包括射頻與光電特色器件在內(nèi)的模擬和特色工藝半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)、建立新的核心器件及技術(shù)平臺(tái)，以支持客戶面向智能家電、工業(yè)與汽車電子、新一代射頻通訊以及 AR/VR/MR 等專用系統(tǒng)應(yīng)用的芯片設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
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中芯集成電路（寧波）有限公司分為 N1（租用小港安居路現(xiàn)有廠房）與 N2（柴橋）兩個(gè)項(xiàng)目，將建成為中國(guó)最大的模擬半導(dǎo)體特種工藝的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)基地，采用專業(yè)化晶圓代工與定制產(chǎn)品代工相結(jié)合的新型商業(yè)模式，并提供相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計(jì)服務(wù)平臺(tái)。
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杭州士蘭集昕微電子有限公司
（士蘭集昕，8 英寸）?
一期 8 英寸生產(chǎn)線的產(chǎn)能規(guī)劃 40000 片，目前已經(jīng)趨于飽和。
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2015 年開(kāi)工建設(shè)；2016 年 1 月主要生產(chǎn)廠房已結(jié)頂，部分生產(chǎn)設(shè)備運(yùn)抵公司；2016 年 12 月底，主廠房建設(shè)、凈化裝修和機(jī)電動(dòng)力設(shè)備安裝等均已完工，部分工藝設(shè)備也已安裝完畢并進(jìn)入調(diào)試階段預(yù)計(jì)。
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2017 年 3 月產(chǎn)出第一片合格芯片；2017 年 6 月正式投入量產(chǎn)；2017 年 12 月實(shí)現(xiàn)月產(chǎn) 15000 片；當(dāng)年共產(chǎn)出芯片 5.71 萬(wàn)片。
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2018 年公司進(jìn)一步加快 8 英寸芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)進(jìn)度，已有高壓集成電路、高壓 MOS 管、低壓 MOS 管、肖特基管、IGBT 等多個(gè)產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn)。2018 年 6 月，月產(chǎn)能達(dá) 20000 片，全年總共產(chǎn)出芯片 30 萬(wàn)片。
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上海新進(jìn)芯微電子有限公司
（上海新進(jìn)，8 英寸）?
2019 年年底增加到月產(chǎn) 15000 片晶圓。?
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自 2015 年啟動(dòng) 6 英寸升級(jí)計(jì)劃，2016 年 8 英寸設(shè)備開(kāi)始進(jìn)廠安裝調(diào)試，2017 年第四季完成了對(duì) 8 英寸晶圓質(zhì)量評(píng)估。2018 年第一季度末每月產(chǎn)能達(dá) 3000 片 8 英寸晶圓，2018 年年底增加到月產(chǎn) 10000 片晶圓。
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四川廣義微電子股份有限公司
（四川廣義，6 英寸）?
2019 年 7 月 19 日《英飛凌技術(shù)轉(zhuǎn)移項(xiàng)目》全面啟動(dòng)，按節(jié)點(diǎn)完成 IFXGEN5.0、GEN7.0 的產(chǎn)品量產(chǎn)。月產(chǎn)能爬坡順利，至 12 月，月產(chǎn)能達(dá) 60000 片。
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2018 年 12 月，在北京燕東微電子的支持下，公司 6 英寸月產(chǎn)能順利達(dá)到 30000 片，較 2018 年 7 月的 12000 片，增長(zhǎng)了 150%。
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2017 年 8 月 18 日公司“0.25 微米 6 英寸 MOSFET”芯片項(xiàng)目一期生產(chǎn)線的正式投產(chǎn)；2018 年 6 月與英飛凌簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議；2018 年 8 月與北京燕東微電子公司簽訂增資入股協(xié)議。
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四川廣義微電子股份有限公司是一家專業(yè)化的集成電路設(shè)計(jì)、制造、銷售于一體的 IDM 高科技企業(yè)，公司規(guī)劃月產(chǎn)能 15 萬(wàn)片。
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河南芯睿電子科技有限公司
（芯睿電子，6 英寸）?
2019 年底，芯睿電子 6 英寸生產(chǎn)線月產(chǎn)能達(dá) 20000 片。
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芯睿電子 6 英寸線于 2018 年 6 月 6 英寸開(kāi)始全面投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后，將形成年產(chǎn) 20 億只智能終端產(chǎn)品用超小型傳聲器。
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芯睿電子與中科院固體物理所、西安電子科技大學(xué)等知名科研院所深度合作，組建的光電傳感與集成應(yīng)用河南省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、聲電轉(zhuǎn)換專用集成電路河南省工程實(shí)驗(yàn)室、微電子研究院成為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、保持技術(shù)領(lǐng)先的秘密所在。公司獨(dú)有的“0.33 微米厚度聲電轉(zhuǎn)換芯片技術(shù)”一些關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。
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在建篇?
廈門士蘭集科微電子有限公司
（士蘭集科，12 英寸）
2019 年 5 月開(kāi)始土建；8 月完成樁基工程，主體施工開(kāi)始，2019 年 12 月 23 日主廠房封頂。預(yù)計(jì) 2020 年投產(chǎn)。
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2018 年 10 月 18 日，士蘭微廈門 12 英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線舉行開(kāi)工典禮。
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12 英寸特色工藝芯片項(xiàng)目總投資 170 億元，建設(shè)兩條以 MEMS、功率器件為主要產(chǎn)品的 12 英寸集成電路制造生產(chǎn)線。第一條 12 英寸產(chǎn)線，總投資 70 億元，工藝線寬 90nm，計(jì)劃月產(chǎn) 8 萬(wàn)片，分兩期實(shí)施：其中一期總投資 50 億元，實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能 4 萬(wàn)片，將于 2020 年投產(chǎn)；項(xiàng)目二期總投資 20 億元，新增月產(chǎn)能 4 萬(wàn)片。而第二條 12 英寸產(chǎn)線為項(xiàng)目三期，預(yù)計(jì)總投資 100 億元，工藝線寬 65nm--90nm。
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項(xiàng)目由廈門士蘭集科微電子有限公司負(fù)責(zé)，公司注冊(cè)資本為 20 億元，其中廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)以貨幣出資 17 億元，占股 85%；士蘭微以貨幣出資 3 億元，占股 15%。
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武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司
（弘芯半導(dǎo)體，12 英寸）?
2019 年 12 月 22 日，首臺(tái) ASML 光刻機(jī)搬入。
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2019 年 7 月 3 日，蔣爸尚義正式加盟弘芯；7 月 4 日，主廠房封頂。目前有消息說(shuō)公司正在商談 14 納米光掩模制版事宜。
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2018 年 9 月 11 日弘芯半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目舉行開(kāi)工儀式。公司宣稱立志成為全球第二大 CIDM 晶圓廠。（筆者實(shí)在不知全球第一大 CIDM 晶圓廠是哪家公司？）
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項(xiàng)目總投資 1280 億元，主要從事 12 英寸晶圓的集成電路制造代工業(yè)務(wù)。項(xiàng)目計(jì)劃于 2019 年上半年完成主廠房工程施工，2019 年下半年正式投產(chǎn)。項(xiàng)目一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能月產(chǎn) 4.5 萬(wàn)片，預(yù)計(jì) 2019 年底投產(chǎn)；二期采用最新的制程工藝技術(shù)，設(shè)計(jì)月產(chǎn)能 4.5 萬(wàn)片，預(yù) 2021 年第四季度投產(chǎn)。
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公司表示，主要運(yùn)營(yíng)邏輯先進(jìn)工藝、成熟主流工藝、以及射頻特種工藝，并持續(xù)研發(fā)世界先進(jìn)的制程工藝。
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三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司二期二階段
（三星西安 X2-PH2，12 英寸）?
2019 年 12 月 25 日三星西安基地二期二階段正式開(kāi)工建設(shè)。預(yù)計(jì) 2021 年投產(chǎn)。
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2019 年 12 月 10 日，三星西安基地二期二階段投資正式啟動(dòng)，預(yù)計(jì)投資達(dá) 80 億美元，規(guī)劃月產(chǎn)能 7 萬(wàn)片。
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三星西安基地二期一階段月產(chǎn)能 6 萬(wàn)片，已經(jīng)日前開(kāi)始投片試產(chǎn)，將于 2020 年 3 月正式量產(chǎn)。
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二期整體完工后，西安總產(chǎn)能將高達(dá) 25 萬(wàn)片。
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成都紫光國(guó)芯存儲(chǔ)科技有限公司
（紫光成都，12 英寸）?
目前正在澆土建筏板，整體進(jìn)度相對(duì)遲緩！原預(yù)計(jì) 2020 年第三季投產(chǎn)的時(shí)間表應(yīng)該要推后。
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2018 年 10 月 12 日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開(kāi)工。
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據(jù)介紹，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目占地面積約 1200 畝，總投資達(dá) 240 億美元，將建設(shè) 12 英寸 3D NAND 存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開(kāi)展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，旨在打造世界一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。據(jù)悉，項(xiàng)目全部建成將可形成月產(chǎn)芯片 30 萬(wàn)片。
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芯恩（青島）集成電路有限公司
（芯恩，12 英寸）?
目前 12 英寸廠房還在建設(shè)中。
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芯恩（青島）集成電路項(xiàng)目正在建設(shè)特色型工藝的 8 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國(guó)內(nèi)最先進(jìn)數(shù)?；旌瞎に嚨?40 納米 12 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國(guó)內(nèi)最先進(jìn) 14 納米光掩膜版生產(chǎn)線一條，芯片測(cè)試廠一個(gè)以及組建嵌入式芯片 32 位 MCU 集成電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。
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2018 年 3 月 30 日，寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司和青島西海岸新區(qū)管委、青島國(guó)際經(jīng)濟(jì)合作區(qū)管委、青島澳柯瑪控股集團(tuán)有限公司簽署框架協(xié)議，打造中國(guó)首個(gè) CIDM 集成電路項(xiàng)目；2018 年 4 月 6 日完成項(xiàng)目立項(xiàng)備案，4 月 18 日項(xiàng)目公司完成注冊(cè)，注冊(cè)名稱為芯恩(青島)集成電路有限公司（注冊(cè)資本 12.5 億元，實(shí)繳資本 2.231 億元），4 月 25 日完成首筆資金注入；2018 年 5 月 18 日芯恩集成電路項(xiàng)目舉行開(kāi)工典禮；2018 年 12 月 13 日，簽署投資合作協(xié)議。
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芯恩（青島）集成電路項(xiàng)目分兩期建設(shè)，總投資約 188 億元。項(xiàng)目開(kāi)工日期為 2018 年 8 月 12 日，工程接收日為 2019 年 12 月 26 日，工期總?cè)諝v天數(shù)為 501 日歷天。
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泉芯集成電路制造（濟(jì)南）有限公司
（泉芯集成，12 英寸）?
泉芯集成 12 英寸晶圓制造線于 2019 年第一季度開(kāi)工建設(shè)。目前到位資金約 50 億。
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泉芯集成 12 英寸晶圓制造線計(jì)劃采用 12nm/7nm 的工藝節(jié)點(diǎn)。
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股東包括逸芯集成技術(shù)（珠海）有限公司 80%、濟(jì)南高新控股集團(tuán)有限公司 10%、濟(jì)南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團(tuán)有限公司 10%。
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逸芯集成技術(shù)（珠海）有限公司 2018 年 11 月 28 日成立，注冊(cè)資本 1 億元人民幣。注冊(cè)地是珠海市橫琴新區(qū)寶華路 6 號(hào) 105 室 -64419(集中辦公區(qū))。法定代表人是曹山。高管信息包括：夏勁秋總經(jīng)理。
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芯恩（青島）集成電路有限公司
（芯恩，8 英寸）??
2019 年 10 月 28 日宣布 8 英寸項(xiàng)目廠房封頂，12 月 27 日高調(diào)宣布首臺(tái)設(shè)備 Olympus AL3120 搬入。經(jīng)咨詢，Olympus AL3120 是一臺(tái)顯微鏡。
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芯恩（青島）集成電路項(xiàng)目正在建設(shè)特色型工藝的 8 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國(guó)內(nèi)最先進(jìn)數(shù)?；旌瞎に嚨?40 納米 12 英寸集成電路生產(chǎn)線一條，國(guó)內(nèi)最先進(jìn) 14 納米光掩膜版生產(chǎn)線一條，芯片測(cè)試廠一個(gè)以及組建嵌入式芯片 32 位 MCU 集成電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。
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2018 年 3 月 30 日，寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司和青島西海岸新區(qū)管委、青島國(guó)際經(jīng)濟(jì)合作區(qū)管委、青島澳柯瑪控股集團(tuán)有限公司簽署框架協(xié)議，打造中國(guó)首個(gè) CIDM 集成電路項(xiàng)目；2018 年 4 月 6 日完成項(xiàng)目立項(xiàng)備案，4 月 18 日項(xiàng)目公司完成注冊(cè)，注冊(cè)名稱為芯恩(青島)集成電路有限公司（注冊(cè)資本 12.5 億元，實(shí)繳資本 2.231 億元），4 月 25 日完成首筆資金注入；2018 年 5 月 18 日芯恩集成電路項(xiàng)目舉行開(kāi)工典禮；2018 年 12 月 13 日，簽署投資合作協(xié)議。
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芯恩（青島）集成電路項(xiàng)目分兩期建設(shè)，總投資約 188 億元。項(xiàng)目開(kāi)工日期為 2018 年 8 月 12 日，工程接收日為 2019 年 12 月 26 日，工期總?cè)諝v天數(shù)為 501 日歷天。
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賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
（賽萊克斯，8 英寸）?
2019 年 12 月 25 日，賽萊克斯北京 8 英寸項(xiàng)目一期開(kāi)始設(shè)備搬入，較原計(jì)劃有所遲緩。
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2018 年賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司繼續(xù)完善核心管理及人才團(tuán)隊(duì)，推進(jìn) 8 英寸 MEMS 國(guó)際代工線建設(shè)項(xiàng)目的建設(shè)，2018 年 11 月基礎(chǔ)工程建設(shè)已部分封頂。項(xiàng)目規(guī)劃分三期建設(shè)。
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原 2019 年第 3 季度一期達(dá)到試生產(chǎn)狀態(tài)，2020 年形成新增產(chǎn)能；二期預(yù)計(jì) 2012 年投產(chǎn)；三期預(yù)計(jì)在 2023 年投產(chǎn)，2024 年力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)滿載，形成年產(chǎn)能 38 萬(wàn)片 8 英寸 MEMS 硅晶圓。
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上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，8 英寸）?
2019 年 12 月 28 日 8 英寸廠房開(kāi)始設(shè)備搬入。
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2019 年 5 月 21 日，上海積塔半導(dǎo)體有限公司 8 英寸特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目廠房舉行了結(jié)構(gòu)封頂儀式。
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積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資 359 億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能 6 萬(wàn)片的 8 英寸生產(chǎn)線和 5 萬(wàn)片 12 英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn) 12 英寸 65 納米 BCD 工藝，建設(shè)一條汽車級(jí) IGBT 專用生產(chǎn)線。
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產(chǎn)品重點(diǎn)面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國(guó)功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競(jìng)爭(zhēng)力和規(guī)?；a(chǎn)能力。
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2018 年 8 月 16 日，積塔半導(dǎo)體有限公司特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目正式開(kāi)工。
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中芯集成電路（寧波）有限公司二期
（寧波中芯 N2，8 英寸）?
2019 年 2 月 28 日，中芯寧波特種工藝 N2 項(xiàng)目正式開(kāi)工。規(guī)劃月產(chǎn)能 45000 萬(wàn)。
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N2 項(xiàng)目位于寧波市北侖區(qū)柴橋，項(xiàng)目用地面積 192 畝，建筑面積 20 萬(wàn)平方米，項(xiàng)目總投資 39.9 億元，建設(shè)工期 2019 年 -2021 年，2019 年計(jì)劃投資 5 億元。
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根據(jù)規(guī)劃，N2 項(xiàng)目建成后將形成年產(chǎn) 33 萬(wàn)片 8 英寸特種工藝芯片產(chǎn)能，同期開(kāi)發(fā)高壓模擬、射頻前端、特種半導(dǎo)體技術(shù)制造和設(shè)計(jì)服務(wù)。
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這是中芯支持建設(shè)的特色工藝生線。中芯寧波分為 N1（小港）與 N2（柴橋）兩個(gè)項(xiàng)目，將建成為中國(guó)最大的模擬半導(dǎo)體特種工藝的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)基地，采用專業(yè)化晶圓代工與定制產(chǎn)品代工相結(jié)合的新型商業(yè)模式，并提供相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計(jì)服務(wù)平臺(tái)。
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杭州士蘭集昕微電子有限公司
（士蘭集昕二期，8 英寸）?
士蘭集昕擬對(duì) 8 英寸線進(jìn)行技術(shù)改造。本項(xiàng)目利用士蘭集昕現(xiàn)有的公用設(shè)施，在現(xiàn)有生產(chǎn)線的基礎(chǔ)上，通過(guò)增加生產(chǎn)設(shè)備及配套設(shè)備設(shè)施，形成新增年產(chǎn) 43.2 萬(wàn)片 8 英寸芯片制造能力。
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本項(xiàng)目總投資 15 億元，建設(shè)周期約為五年，分兩期進(jìn)行。其中，一期計(jì)劃投資 6 億元，形成年產(chǎn) 18 萬(wàn)片 8 英寸芯片的產(chǎn)能。二期計(jì)劃投資 9 億元，形成年產(chǎn) 25.2 萬(wàn)片 8 英寸芯片的產(chǎn)能。
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海辰半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司
（無(wú)錫海辰，8 英寸）?
2019 年 12 月 12 日，首批從韓國(guó)搬遷的工藝設(shè)備搬入海辰半導(dǎo)體廠房。
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2019 年 2 月 27 日，海辰半導(dǎo)體新建 8 英寸非存儲(chǔ)晶圓廠主廠房正式封頂。
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2018 年 7 月 SK 海力士表示，旗下晶圓代工子公司 SK 海力士系統(tǒng) IC 公司與無(wú)錫市政府旗下的無(wú)錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)有限公司組成的合資公司，2018 年下半年啟動(dòng)工廠的建設(shè)。
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海辰半導(dǎo)體項(xiàng)目將建設(shè) 200 毫米晶圓模擬生產(chǎn)線，項(xiàng)目總投資 67.9 億，規(guī)劃年產(chǎn)能 126 萬(wàn)片 8 英寸晶圓，主要生產(chǎn)面板驅(qū)動(dòng) IC(DDI)、電源管理 IC(PMIC)、CMOS 影像感測(cè)器(CIS)。
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SK 海力士系統(tǒng) IC 公司負(fù)責(zé)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，而無(wú)錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)則負(fù)責(zé)提供其他必要的基礎(chǔ)設(shè)施。據(jù)悉 SK 海力士位于韓國(guó)清州 M8 廠的設(shè)備將在 2021 年底前運(yùn)至無(wú)錫。
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濟(jì)南富能半導(dǎo)體有限公司
（富能半導(dǎo)體，8 英寸）?
2019 年 12 月 4 日，富能半導(dǎo)體一期項(xiàng)目成功封頂。
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2019 年 3 月 15 日，富能半導(dǎo)體一期項(xiàng)目舉行樁基工程。據(jù)悉一期項(xiàng)目投資 60 億元，建設(shè)月產(chǎn) 3 萬(wàn)片 8 英寸硅基半導(dǎo)體功率芯片（MOSFET、IGBT）和月產(chǎn)一千片的 6 英寸碳化硅功率器件的產(chǎn)能，產(chǎn)品覆蓋消費(fèi)、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車的應(yīng)用，計(jì)劃 2020 年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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富能半導(dǎo)體成立于 2018 年 11 月 8 日，法人代表陳昱升，持股 40%，另 60%的持有人是濟(jì)南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金；富能半導(dǎo)體項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn) 10 萬(wàn)片的兩個(gè) 8 英寸廠及一個(gè)月產(chǎn) 5 萬(wàn)片的 12 英寸廠。
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濟(jì)南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金的股東包括濟(jì)南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團(tuán)有限公司、思華（北京）投資管理有限公司、富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)（上海）有限公司、鴻富晉精密工業(yè)（太原）有限公司、訊芯電子科技（中山）有限公司。
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富士邁半導(dǎo)體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團(tuán)的關(guān)聯(lián)企業(yè)，這也說(shuō)明該項(xiàng)目確實(shí)和富士康有一定的關(guān)系。
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吉林華微電子股份有限公司
（華微電子，8 英寸）?
華微電子 8 英寸生產(chǎn)線籌備將近十年，終于有望實(shí)現(xiàn)。目前購(gòu)買設(shè)備和廠房建設(shè)同步進(jìn)行。
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2019 年 4 月 1 日，華微電子公告，擬配股募集資金不超過(guò) 10 億元（含發(fā)行費(fèi)用），扣除發(fā)行費(fèi)用后的凈額擬全部用于新型電力電子器件基地項(xiàng)目（二期）的建設(shè)。項(xiàng)目建成后，華微電子將具有年產(chǎn) 8 英寸芯片 24 萬(wàn)片的加工能力。產(chǎn)品包括重點(diǎn)應(yīng)用于工業(yè)傳動(dòng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，形成 600V-1700V 各種電壓、電流等級(jí)的 IGBT 芯片；同時(shí)包括應(yīng)用于各領(lǐng)域的具有成熟產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的 MOSFET 芯片，以及與公司主流產(chǎn)品配套的 IC 芯片。
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華微電子是中國(guó)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域首家主板 A 股上市公司，是飛利浦、松下、日立、海信、創(chuàng)維、長(zhǎng)虹等國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)的配套供應(yīng)商。
山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
（山東興華,6 英寸）
2019 年 6 月 15 日，據(jù)稱是由我國(guó)最早的半導(dǎo)體制造公司香港興華半導(dǎo)體工業(yè)有限公司投資的山東興華半導(dǎo)體項(xiàng)目在日照開(kāi)工。運(yùn)營(yíng)主體是 5 月 17 日注冊(cè)成立的山東興華半導(dǎo)體有限責(zé)任公司。
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項(xiàng)目計(jì)劃總投資 50 億元，分兩期建設(shè)，一期計(jì)劃建設(shè)一條年產(chǎn) 36 萬(wàn)片的 5 英寸 /6 英寸的晶圓制造線，二期建設(shè)一條 8 英寸集成電路晶圓制造線。
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香港興華成立 1979 年，1982 年 5 英寸晶圓生產(chǎn)線開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，公司主要提供 1.5μm/2.0μm/3.0μm /5.0μm 硅柵 CMOS、2.0μm 低壓金屬柵 CMOS、5.0μm 高壓金屬柵 CMOS 工藝制程。
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興華半導(dǎo)體為我國(guó)培養(yǎng)了大批的半導(dǎo)體工藝制程人才，目前國(guó)內(nèi)很多晶圓生產(chǎn)線的高管都在此工作過(guò)。
規(guī)劃篇
華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司
（華潤(rùn)重慶，12 英寸）
華潤(rùn)重慶基地將利用現(xiàn)有廠房建設(shè) 12 英寸生產(chǎn)線。
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2018 年 11 月 5 日，華潤(rùn)微電子與西永微電園簽署協(xié)議，共同發(fā)展 12 英寸晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目，該項(xiàng)目投資約 100 億元，建設(shè) 12 英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，將主要生產(chǎn) MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
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華潤(rùn)微電子無(wú)錫項(xiàng)目
（華潤(rùn)微電子，8 英寸）
根據(jù)華潤(rùn)微電子招股說(shuō)明書(shū)顯示，公司計(jì)劃在無(wú)錫基地?cái)U(kuò)建一條 8 英寸生產(chǎn)線。
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上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，12 英寸）
12 英寸特色芯片工藝生產(chǎn)線計(jì)劃 2023 年投產(chǎn)。
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積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資 359 億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能 6 萬(wàn)片的 8 英寸生產(chǎn)線和 5 萬(wàn)片 12 英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn) 12 英寸 65 納米 BCD 工藝，建設(shè)一條汽車級(jí) IGBT 專用生產(chǎn)線。
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產(chǎn)品重點(diǎn)面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國(guó)功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競(jìng)爭(zhēng)力和規(guī)模化生產(chǎn)能力。
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紫光 DRAM 項(xiàng)目
（紫光 DRAM，12 英寸）
紫光國(guó)芯 DRAM 存儲(chǔ)芯片制造工廠原預(yù)計(jì) 2019 年底開(kāi)工建設(shè)，預(yù)計(jì) 2021 年建成投產(chǎn)。但截止目前，紫光國(guó)芯集成電路股份有限公司還沒(méi)有注冊(cè)成立。
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2019 年 8 月 27 日，紫光集團(tuán)和重慶市人民政府簽署紫光存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目合作協(xié)議。
根據(jù)協(xié)議，紫光集團(tuán)將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國(guó)芯集成電路股份有限公司，建設(shè)包括 DRAM 總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光 DRAM 事業(yè)群總部、DRAM 存儲(chǔ)芯片制造工廠、紫光科技園等。
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2019 年 6 月 30 日，紫光集團(tuán)發(fā)布公告，成立 DRAM 事業(yè)部。
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青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司
（城芯半導(dǎo)體，12 英寸）
但截止目前，城芯半導(dǎo)體沒(méi)有任何實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。
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青島城芯半導(dǎo)體科技有限公司計(jì)劃建設(shè)一條月產(chǎn) 4 萬(wàn)片的 12 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線。
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2018 年 7 月 5 日，矽力杰 12 英寸先進(jìn)模擬芯片集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約，項(xiàng)目共同投資約 180 億元人民幣，建設(shè)一條 12 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線，規(guī)劃產(chǎn)能每月可達(dá) 4 萬(wàn)片。
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據(jù)悉，矽力杰半導(dǎo)體項(xiàng)目未來(lái)規(guī)劃建設(shè) 2 條 12 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線，1 條 8 英寸模擬集成電路芯片生產(chǎn)線。
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實(shí)際上，青島城芯要建設(shè)的 12 英寸生產(chǎn)線就是矽力杰半導(dǎo)體青島項(xiàng)目，令人疑惑的是，除青島項(xiàng)目外，目前有多個(gè)地方園區(qū)收到矽力杰晶圓廠的計(jì)劃書(shū)。
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四川中科晶芯集成電路制造有限責(zé)任公司
（中科晶芯，8 英寸）?
2019 年 5 月 15 日，中國(guó)華冶科工集團(tuán)有限公司、中國(guó)電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司組成聯(lián)合體與中科晶芯集成電路制造有限公司在成都簽訂了 8 寸圓晶廠項(xiàng)目合作意向書(shū)，據(jù)悉，工廠將在綿陽(yáng)設(shè)立。
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但截止目前，中科晶芯沒(méi)有任何實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。
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贛州名芯半導(dǎo)體項(xiàng)目
（贛州名芯，8 英寸）?
2019 年 6 月 6 日，贛州經(jīng)開(kāi)區(qū)與名芯有限公司、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院簽訂三方合作框架協(xié)議，總投資 200 億元的名芯半導(dǎo)體項(xiàng)目順利落戶。
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據(jù)悉，項(xiàng)目分兩期建設(shè)：一期投資 60 億元，建設(shè)一條 8 英寸功率晶圓生產(chǎn)線；二期投資 120-140 億元，規(guī)劃建設(shè)第三代 6/8 英寸晶圓制造生產(chǎn)線或 12 英寸硅基晶圓制造生產(chǎn)線。
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項(xiàng)目涉及的產(chǎn)品類型包括 IGBT、功率 MOS、功率 IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領(lǐng)域全部類別中 80%品種。
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同時(shí)，項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)與晶圓關(guān)聯(lián)的封測(cè)工廠、IC 設(shè)計(jì)公司、微電子研究院等三個(gè)項(xiàng)目。
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截止目前，公司都還沒(méi)有注冊(cè)。
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停擺篇?
南京紫光存儲(chǔ)科技控股有限公司
（紫光南京，12 英寸）
目前項(xiàng)目處于事實(shí)停工狀態(tài)，工地已經(jīng)是草長(zhǎng)鶯飛。
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2018 年 9 月 30 日，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目項(xiàng)目開(kāi)工，總投資 300 億美元。據(jù)悉，南京基地原計(jì)劃生產(chǎn) 64 層 3D NAND 芯片。
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項(xiàng)目一期投資約 105 億美元，月產(chǎn)芯片 10 萬(wàn)片，主要產(chǎn)品為 3D NAND Flash、DRAM 存儲(chǔ)芯片等。預(yù)估項(xiàng)目全部建成將可形成月產(chǎn) 12 英寸 3D NAND 存儲(chǔ)器芯片 30 萬(wàn)片。
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格芯（成都）集成電路制造有限公司
（格芯成都，12 英寸）
2019 年初，格芯（成都）集成電路制造有限公司已經(jīng)事實(shí)停擺。
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2018 年 10 月 26 日，格芯與成都合作伙伴簽署了投資合作協(xié)議修正案。基于市場(chǎng)條件變化、格芯于近期宣布的重新專注于差異化解決方案，以及與潛在客戶的商議，將取消對(duì)成熟工藝技術(shù)（180nm/130nm）的原項(xiàng)目一期投資。同時(shí)，將修訂項(xiàng)目時(shí)間表，以更好地調(diào)整產(chǎn)能，滿足基于中國(guó)的對(duì)差異化產(chǎn)品的需求包括格芯業(yè)界領(lǐng)先的 22FDX 技術(shù)。
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2017 年 2 月 10 日，格芯宣布正式啟動(dòng)建設(shè) 12 英寸晶圓成都制造基地，推動(dòng)實(shí)施成都集成電路生態(tài)圈行動(dòng)計(jì)劃，投資規(guī)模累計(jì)超過(guò) 100 億美元，其中基礎(chǔ)設(shè)施是 93 億美元，其余為基礎(chǔ)設(shè)施和生態(tài)鏈的建設(shè)，力爭(zhēng)打造中國(guó)大陸單一邏輯產(chǎn)品產(chǎn)能最大的 12 寸工廠。
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格芯 12 寸晶圓代工廠分兩期建設(shè)，第一期 0.18um 和 0.13um，技術(shù)轉(zhuǎn)移來(lái)自 GF 新加坡，2018 底預(yù)計(jì)產(chǎn)能約 2 萬(wàn)每月；第二期為重頭戲 22nm SOI 工藝，2018 年開(kāi)始從德國(guó) FAB 轉(zhuǎn)移，計(jì)劃 2019 年投產(chǎn)，預(yù)計(jì) 2019 年下半年產(chǎn)能達(dá)到約 6.5 萬(wàn)每月。
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德淮半導(dǎo)體有限公司
（德淮，12 英寸）
公司目前已經(jīng)處于停滯狀態(tài)。
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2018 年 4 月 28 日生產(chǎn)線核心設(shè)備尼康（Nikon）光刻機(jī)（S308/S206）進(jìn)廠安裝，其中 S308 可滿足 65 納米工藝生產(chǎn)，S206 可滿足 110 納米工藝生產(chǎn)。
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德淮半導(dǎo)體有限公司是一家專注于 CMOS 影像傳感器的半導(dǎo)體公司，總投資預(yù)計(jì)約 500 億人民幣。規(guī)劃建設(shè)三個(gè) 12 英寸 CMOS 圖像傳感器專屬晶圓廠。項(xiàng)目首期預(yù)計(jì)投入 150 億元，為年產(chǎn) 24 萬(wàn)片的 12 英寸晶圓廠。
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2016 年 1 月 19 日公司注冊(cè)成立；2016 年 3 月 27 日 12 英寸晶圓廠破土動(dòng)工；2016 年 4 月 1 日在日本成立芯片設(shè)計(jì)公司；2016 年 12 月與意法半導(dǎo)體簽署工藝授權(quán)；2016 年 12 月與安森美半導(dǎo)體簽署 CIS 產(chǎn)品和技術(shù)授權(quán)；2017 年 6 月公司舉行封頂儀式。
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德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司
（德科碼南京，8 英寸）?
2019 年，工地現(xiàn)場(chǎng)已經(jīng)人去樓空，廠房已經(jīng)成為爛尾樓。
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2015 年 10 月，德科碼（南京）半導(dǎo)體科技有限公司成立，服務(wù)于南京半導(dǎo)體項(xiàng)目籌建；并與南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)簽署并執(zhí)行南京 8 英寸和 12 英寸晶圓廠項(xiàng)目。
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2015 年 11 月 27 日項(xiàng)目簽約，總投資 25 億美元。項(xiàng)目將分期建設(shè)，一期項(xiàng)目為 8 英寸晶圓廠一座，規(guī)劃月產(chǎn)能 40000 片晶圓，以電源管理芯片、微機(jī)電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)為主。2017 年 8 月 21 日宣布獲得以色列 TowerJazz 技術(shù)支持。
一期建設(shè) 8 英寸晶圓廠，總投資 5 億美元，以自主設(shè)計(jì)的圖像傳感器芯片制造為主，預(yù)計(jì)投產(chǎn)后產(chǎn)能可達(dá) 4 萬(wàn)片 / 月；二期項(xiàng)目為 12 英寸晶圓廠，總投資 20 億美元，投產(chǎn)后產(chǎn)能可達(dá) 2 萬(wàn)片 / 月。
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2016 年 6 月 8 日項(xiàng)目奠基，2017 年 2 月全面啟動(dòng)廠區(qū)土木與機(jī)電建設(shè)工程。2018 年 2 月舉行上梁儀式。
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據(jù)悉，地方政府已經(jīng)推出一系列優(yōu)惠政策，希望有公司可以接手該項(xiàng)目。
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江蘇中璟航天半導(dǎo)體實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司
（中璟航天，8 英寸）
目前暫時(shí)處于停滯狀態(tài)。
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2019 年 4 月盱眙政府表示，現(xiàn)階段，中璟項(xiàng)目的推進(jìn)工作有了一定的成效，但還未形成規(guī)模，盱眙會(huì)進(jìn)一步落實(shí)項(xiàng)目主體責(zé)任，助推項(xiàng)目取得實(shí)質(zhì)性的發(fā)展。
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2017 年，中璟航天半導(dǎo)體 8 英寸晶圓制造項(xiàng)目落戶小龍蝦之鄉(xiāng)淮安市盱眙縣，盱眙成為全國(guó)第三個(gè)引進(jìn) 8 英寸生產(chǎn)線的縣城。
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據(jù)悉，項(xiàng)目晶圓制造為核心，打造半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈全域化、國(guó)家級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，創(chuàng)建以產(chǎn)學(xué)研、創(chuàng)融投相結(jié)合的共融共生全生態(tài)循環(huán)經(jīng)濟(jì)發(fā)展模式，實(shí)現(xiàn)真正的“中國(guó)芯”。當(dāng)時(shí)項(xiàng)目方表示，項(xiàng)目總投資 120 億元，其中兩條年產(chǎn) 24 萬(wàn)片 8 英寸 CIS 晶圓制造廠的投資為 60 億元，原預(yù)計(jì)將于 2018 年 12 月底前竣工投產(chǎn)。
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2018 年 4 月在南京舉行的“2018 中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨第七屆集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會(huì)”上，中璟航天獲得賽迪顧問(wèn)頒發(fā)的“最具成長(zhǎng)力企業(yè)獎(jiǎng)”和“投資新銳獎(jiǎng)”兩個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。
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中璟航天實(shí)力如何，筆者不得而知。但是中璟航天確實(shí)是高調(diào)。
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2017 年 3 月 11 日，中璟航天半導(dǎo)體宣布投資近 40 億美元的 12 英寸 CIS 晶圓廠落戶成都郫都區(qū)，沒(méi)有下文；2017 年 4 月 22 日宣布投資 60 億元半導(dǎo)體生產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶廣東江門市開(kāi)平翠山湖科技園，無(wú)疾而終；2018 年 4 月 28 日，江蘇發(fā)布了《2018 年省重大項(xiàng)目名單》，在第二部分“前期工作項(xiàng)目”中，我們也發(fā)現(xiàn)有“如皋中璟航天第三代化合物半導(dǎo)體”，沒(méi)有動(dòng)靜了。
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二、化合物項(xiàng)目
1、投產(chǎn)篇
廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
（士蘭明鎵，6/4 英寸，砷化鎵 / 氮化鎵）
士蘭化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目于 2019 年 12 月 23 日投產(chǎn)，計(jì)劃 7 款產(chǎn)品逐步投入量產(chǎn)，將于 2021 年達(dá)產(chǎn)。
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士蘭化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目由廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施運(yùn)營(yíng)，公司注冊(cè)資本為 8 億元，其中廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)以貨幣出資 5.6 億元，占股 70%；士蘭微以貨幣出資 2.4 億元，占股 30%。
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項(xiàng)目總投資 50 億元，建設(shè) 4/6 英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括下一代光模塊芯片、5G 與射頻相關(guān)模塊、高端 LED 芯片產(chǎn)品。分兩期實(shí)施，其中，項(xiàng)目一期投資 20 億元，2019 年底投產(chǎn)，2021 年投產(chǎn)；項(xiàng)目二期投資 30 億元，計(jì)劃 2021 年啟動(dòng)，2024 年達(dá)產(chǎn)。
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2018 年 10 月 18 日，項(xiàng)目舉行開(kāi)工典禮；2019 年 4 月主廠房封頂；6 月進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試階段，砷化鎵與氮化鎵芯片產(chǎn)品已分別于 10 月 18 日、12 月 10 日正式通線點(diǎn)亮。
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2、產(chǎn)能爬坡篇
英諾賽科（珠海）科技有限公司
（英諾賽科珠海，8 英寸，氮化鎵）
2019 年 8 英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線產(chǎn)能進(jìn)一步提升，公司現(xiàn)有三臺(tái)世界領(lǐng)先的針對(duì) 8 英寸硅基氮化鎵外延的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備 G5+ MOCVD 機(jī)臺(tái)。
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2017 年 11 月 9 日，英諾賽科（珠海）科技有限公司 8 英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線通線投產(chǎn)。主要產(chǎn)品包括 8 英寸硅基氮化鎵晶圓及 100V-650V 氮化鎵功率器件。
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株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司
（株洲中車，6 英寸，碳化硅)?
株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司成立于 2019 年 1 月 18 日，承接株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部的現(xiàn)有資產(chǎn)、負(fù)債及業(yè)務(wù)。專業(yè)從事大功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與制造，是我國(guó)最早開(kāi)發(fā)大功率半導(dǎo)體器件的單位之一，全面掌握晶閘管、整流管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SiC（碳化硅）器件及功率組件全套技術(shù)。
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2018 年 1 月，在中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的技術(shù)支持和協(xié)助下，株洲中車 6 英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線順利完成技術(shù)調(diào)試，廠務(wù)、動(dòng)力、工藝、測(cè)試條件均已完備，可實(shí)現(xiàn) 4 英寸及 6 英寸 SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研發(fā)與制造。這是國(guó)內(nèi)首條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線。
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生產(chǎn)廠房 2017 年 8 月交付使用，12 月 SiC 芯片生產(chǎn)線便完成了工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試，2018 年 1 月首批芯片試制成功。
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蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
（蘇州能詡，4 英寸，氮化鎵）
2019 年 5 月，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 4 英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。
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蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 3 英寸氮化鎵器件生產(chǎn)線于 2011 年開(kāi)始建設(shè)；2013 年試生產(chǎn)，2014 年投產(chǎn)，2015 年開(kāi)始批量生產(chǎn)。2017 年開(kāi)始轉(zhuǎn)換 4 英寸。
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能訊半導(dǎo)體采用整合設(shè)計(jì)與制造（IDM）的模式，自主開(kāi)發(fā)了氮化鎵材料生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)、晶圓工藝、封裝測(cè)試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)。目前完成了面向 5G 通信系統(tǒng)的技術(shù)與產(chǎn)品的積累，產(chǎn)品性能已通過(guò)國(guó)際一流通訊企業(yè)的測(cè)試與認(rèn)證。
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江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
（江蘇能華，4/6 英寸，氮化鎵）
2017 年 11 月 15 日公司生產(chǎn)線正式投產(chǎn)后，產(chǎn)能一直在穩(wěn)定提升中。
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江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司是專業(yè)設(shè)計(jì)、研發(fā)，生產(chǎn)、制造和銷售以氮化鎵（GaN）為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。
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3、在建篇
英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司
（英諾賽科蘇州，8 英寸，氮化鎵 / 碳化硅）?
2019 年 8 月 29 日主廠房封頂，預(yù)計(jì) 12 月底生產(chǎn)設(shè)備正式進(jìn)廠，2020 年投產(chǎn)。
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2018 年 6 月 23 日開(kāi)工，計(jì)劃在 5 年內(nèi)完成投資 60 億，達(dá)產(chǎn)后，月產(chǎn)能達(dá) 6 萬(wàn)片。項(xiàng)目將聚焦在氮化鎵和碳化硅等核心產(chǎn)品，目標(biāo)是打造一個(gè)包括理論研究、材料研發(fā)與制造、器件設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試、失效分析和應(yīng)用驗(yàn)證等全產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體研發(fā)基地。為 5G 通信、新能源汽車、智能制造、人工智能、電子信息、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域提供更先進(jìn)的、高效、節(jié)能和低成本的核心半導(dǎo)體芯片。?
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北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司
（世紀(jì)金光，6 英寸，碳化硅）
2018 年 2 月 1 日，北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司 6 英寸碳化硅器件生產(chǎn)線成功通線。截止目前，工藝還在調(diào)試中。
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北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于 2010 年 12 月 24 日，其前身為中原半導(dǎo)體研究所。公司主營(yíng)寬禁帶半導(dǎo)體晶體材料、外延和器件的研發(fā)與生產(chǎn)。
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濟(jì)南富能半導(dǎo)體有限公司
（富能半導(dǎo)體，6 英寸，碳化硅）
2019 年 12 月 4 日，富能半導(dǎo)體一期項(xiàng)目成功封頂。
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2019 年 3 月 15 日，富能半導(dǎo)體一期項(xiàng)目舉行樁基工程。據(jù)悉一期項(xiàng)目投資 60 億元，建設(shè)月產(chǎn) 3 萬(wàn)片 8 英寸硅基半導(dǎo)體功率芯片（MOSFET、IGBT）和月產(chǎn)一千片的 6 英寸碳化硅功率器件的產(chǎn)能，產(chǎn)品覆蓋消費(fèi)、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車的應(yīng)用，計(jì)劃 2020 年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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富能半導(dǎo)體成立于 2018 年 11 月 8 日，法人代表陳昱升，持股 40%，另 60%的持有人是濟(jì)南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金；富能半導(dǎo)體項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn) 10 萬(wàn)片的兩個(gè) 8 英寸廠及一個(gè)月產(chǎn) 5 萬(wàn)片的 12 英寸廠。
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濟(jì)南富杰產(chǎn)業(yè)投資基金的股東包括濟(jì)南產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資集團(tuán)有限公司、思華（北京）投資管理有限公司、富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)（上海）有限公司、鴻富晉精密工業(yè)（太原）有限公司、訊芯電子科技（中山）有限公司。
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富士邁半導(dǎo)體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團(tuán)的關(guān)聯(lián)企業(yè)，這也說(shuō)明該項(xiàng)目確實(shí)和富士康有一定的關(guān)系。
4、規(guī)劃篇
上海積塔半導(dǎo)體有限公司
（積塔半導(dǎo)體，6 英寸，碳化硅）?
積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資 359 億元，目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能 6 萬(wàn)片的 8 英寸生產(chǎn)線和 5 萬(wàn)片 12 英寸特色工藝生產(chǎn)線，還將建設(shè)一條 6 英寸碳化硅生產(chǎn)線，將在國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn) 12 英寸 65 納米 BCD 工藝，建設(shè)一條汽車級(jí) IGBT 專用生產(chǎn)線。
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產(chǎn)品重點(diǎn)面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域，將顯著提升中國(guó)功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競(jìng)爭(zhēng)力和規(guī)?；a(chǎn)能力。
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5、停擺篇
北京雙儀微電子科技有限公司
（北京雙儀，6 英寸，砷化鎵）
目前項(xiàng)目終止。
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2018 年 7 月 30 日，北京雙儀微電子科技有限公司宣布擬投資 10 億元，租賃北京燕東微電子科技有限公司的部分廠房建設(shè)具備規(guī)?；慨a(chǎn)能力的先進(jìn)工藝技術(shù)生產(chǎn)線，進(jìn)行 6 英寸砷化鎵微波集成電路（GaAs MMIC）芯片的代工服務(wù)，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)于 2019 年初投產(chǎn)使用，規(guī)劃每月 2 萬(wàn)片產(chǎn)能。
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北京雙儀微電子科技有限公司是一家技術(shù)初創(chuàng)公司，旨在為 5G 和 IoT 毫米波市場(chǎng)領(lǐng)域所遇到的挑戰(zhàn)開(kāi)發(fā)出新的解決方案，提供高性能的射頻組件。
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2020 年特別關(guān)注項(xiàng)目
2020 年關(guān)注以下項(xiàng)目，看命運(yùn)如何？
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福建省晉華集成電路有限公司：2020 能否滿血復(fù)活
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