TiN薄膜為什么可以作為抗反射層（ARC）？

知識星球（星球名：芯片制造與封測技術社區(qū)，星球號：63559049）里的學員問：氮化鈦除了做阻擋層還有哪些作用？一般用什么方式沉積的呢？TiN的作用？

在晶圓制造中，TiN主要用3個作用：

1. 阻擋層：主要用于防止金屬的擴散。? ?在半導體制造中，金屬如Cu，Al?容易擴散到硅基底中。TiN可以作為一種有效的物理屏障，防止金屬擴散到硅中。

2. 黏附層：主要是為了增加粘附力某些膜層與膜層之間性質(zhì)差距較大，之間的粘附力較差，如銅與氧化物表SiO?。此時在SiO?表面沉積一層TiN薄膜，之后再沉積Cu，就很容易解決Cu薄膜脫落的問題。

3. 抗反射層（ARC）：減小底層反光光的反射會導致光刻時的駐波效應，從而影響圖形的精確度，特別是反射率較高的材質(zhì)。通過使用TiN作為ARC，可以減少光的反射，確保光刻圖案的準確性。

為什么TiN可以作為抗反射層？

這個主要從TiN的物理性質(zhì)入手。TiN具有較高的吸收系數(shù)，特別是在UV，DUV波段。而SiO?，Al?O?等吸光系數(shù)幾乎為0，高吸收系數(shù)意味著TiN能有效吸收大部分紫外光，減少反射光的干擾。TiN薄膜的制作方法？

一般是濺射和MoCVD這兩種方法。

濺射法：高能氬離子轟擊鈦鈀，濺射出鈦原子，鈦原子與氮氣反應，生成氮化鈦。

MoCVD法：350℃下，前驅(qū)體TDMAT, Ti[N(CH3)2]4反應生成TiN。