IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor (簡(jiǎn)稱(chēng) IGBT) 是一種新型功率半導(dǎo)體器件，常用于電力變換和控制領(lǐng)域。它具有 MOSFET 的輸入阻抗和 BJT 的低飽和壓降，并結(jié)合了二者的優(yōu)點(diǎn)。IGBT 的結(jié)構(gòu)可以將輸入電容降至最小，并通過(guò)使用 PN 結(jié)調(diào)制來(lái)實(shí)現(xiàn)零漏電流。

1.IGBT是什么電子元件

IGBT 是一種三端功率開(kāi)關(guān)，通常包含一個(gè)控制端、一個(gè)集電極和一個(gè)源極。該器件通常用于需要高電壓和高電流開(kāi)關(guān)的應(yīng)用中，例如家庭用電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

2.IGBT引腳圖

IGBT 引腳圖如下所示：

3.IGBT工作原理

IGBT 的工作原理類(lèi)似于普通的 NPN 三極管。當(dāng)正向偏置控制極時(shí)，控制區(qū)將產(chǎn)生一對(duì)電子-空穴對(duì)。由于集電區(qū)的低電阻，電子和空穴在集電區(qū)相遇并再生形成一個(gè)快速變化的電流脈沖。這個(gè)脈沖的大小取決于控制極電壓的大小。因此，正向偏置控制極可以用來(lái)控制 IGBT 的放電。

4.IGBT的作用

IGBT 主要用于大功率元件的開(kāi)關(guān)控制。由于 IGBT 自身帶有較高的電阻，因此需要乘以一個(gè)功率外部 MOSFET 來(lái)降低導(dǎo)通損耗。IGBT 可以用于交流或直流應(yīng)用，并能夠承受高達(dá)數(shù)千伏特的電壓和數(shù)百安培的電流。