資訊

• 基于DPU的Openstack裸金屬服務網(wǎng)絡解決方案
  1.? 方案背景和挑戰(zhàn) 裸金屬服務器作為一類特別設計的計算類云服務，向最終用戶提供了云端部署的專屬物理服務器，這意味著最終用戶不再需要與其他租戶共享硬件資源，從而確保了資源的獨占性、性能的最優(yōu)化以及數(shù)據(jù)的最高級別安全。 裸金屬服務器作為云上資源的重要部分，其網(wǎng)絡需要與云主機和容器同樣連接在VPC下，并且能夠像云主機和容器一樣使用云上的網(wǎng)絡功能和能力。 當前，基于OpenStack的裸金屬服務實現(xiàn)主

  中科馭數(shù)

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  15小時前

  云計算 DPU
• 并聯(lián)電容器外殼最熱點溫度65度正常嗎
  

  運行溫度和環(huán)境溫度，對并聯(lián)電容器的影響非常大。如果運行溫度和環(huán)境溫度超過電容器上限后，電容器的使用壽命會大幅度縮減。那么并聯(lián)電容器的溫度為60度時，算正常范圍嗎？?并聯(lián)電容器外殼的最熱點溫度65℃通常是偏高的，但是否正常需要綜合考慮以下因素：?1、電容器的設計溫度電容器的正常工作溫度范圍通常在40℃到55℃之間，部分高溫環(huán)境專用的電容器可以耐受更高的溫度（例如最高70℃）。你需要確認該電容器的具體

  庫克庫伯電容器

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  15小時前

  電容器 電力電容器
• apf并機后為什么容量變小了
  

  APF有源電力濾波器，是比較常見的諧波治理裝置，因此被企業(yè)廣泛應用。但是當有源電力濾波器并機后一些用戶發(fā)現(xiàn)其容量變小了。那么導致APF并機后容量變小的原因有哪些？當有源電力濾波器（APF）并機運行后，容量變小的原因可能與以下幾個因素有關：1、負荷分配不均多臺APF并機時，如果設備之間的負荷分配不均，會導致某些APF承擔的補償容量較少。這可能是由于設備間的通訊或控制不完善，未能實現(xiàn)均勻的負荷分配。A

  庫克庫伯電容器

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  15小時前

  濾波器 濾波電容器
• 高通驍龍8至尊版發(fā)布:全大核CPU性能提升45%,AI算力達80TOPS！
  

  10月22日，在今天凌晨在美國夏威夷舉行的驍技術峰會上，高通正式發(fā)布了新一代旗艦移動平臺驍龍8 Elite（驍龍8至尊版），即之前外界傳聞的驍龍8 Gen 4。制程工藝方面，驍龍8 Elite預計將采用與聯(lián)發(fā)科天璣9400一樣的臺積電第二代3nm制程，即N3E制程。根據(jù)臺積電最新披露的數(shù)據(jù)顯示，N3E相比第一代的N3將帶來5%左右的性能提升，良率也更好，成本相比前代的N3也更低。

  芯智訊

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  16小時前

  CPU AI算力
• 為什么插入了幾條NOP指令，MCU的功耗就變了？
  

  我最近在測試一個M0+ MCU的運行功耗，測試代碼采用如下最簡單的方式，即main函數(shù)里只跑一個while(1)空循環(huán)，測試出來的電流是1.11mA，使用的IDE為KEIL MDK，優(yōu)化等級為0

  TopSemic嵌入式

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  18小時前

  MCU 功耗
• 小米成功流片！國內(nèi)首款3nm手機系統(tǒng)級芯片
  

  據(jù)北京衛(wèi)視《北京新聞》節(jié)目10月20日報道，北京市經(jīng)濟和信息化局總經(jīng)濟師唐建國對外透露，小米公司已成功流片國內(nèi)首款采用3nm工藝的手機系統(tǒng)級芯片，這是國內(nèi)首款采用如此先進工藝技術的手機芯片。

  旺材芯片

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  20小時前

  手機芯片 3nm工藝
• 英飛凌推出新型PSoC汽車多點觸控控制器，為OLED和超大屏幕提供卓越的觸控性能
  

  在不斷發(fā)展的汽車行業(yè)，車載信息娛樂應用需要提供絲滑的人機界面（HMI）體驗?？蛻敉镁哂邢冗M功能的大型觸控屏，并將OLED和Micro OLED作為首選的顯示屏。OLED因支持靈活的設計和自由的形狀，而被視為智能移動應用的未來趨勢。想要給終端用戶帶來絲滑的使用過程，就需要兼顧最佳客戶體驗和功能安全標準。為了應對這些挑戰(zhàn)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IF

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  21小時前

  控制器 慕尼黑電子展
• 瑞薩推出全新RX261/RX260 MCU產(chǎn)品群，具備卓越能效、先進觸控功能及強大安全特性
  

  全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出RX261與RX260微控制器（MCU）產(chǎn)品群。這兩款全新的64MHz MCU帶來出色的能效比——工作模式下僅為69μA/MHz，待機模式下為1μA。此外，它們還能幫助設計人員輕松實現(xiàn)防水的電容式觸控傳感器設計，并提供強大的安全特性。得益于卓越性能與功能的完美結合，RX261/RX260產(chǎn)品群適用于家用電器、樓宇和工廠自動化等應用，以

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  21小時前

  MCU 數(shù)據(jù)中心
• 大聯(lián)大詮鼎集團推出基于聯(lián)詠科技和思特威產(chǎn)品的AOV攝像頭方案
  

  致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于聯(lián)詠科技（NOVATEK）NT98568 SoC芯片和思特威（SmartSens）SC450AI圖像傳感器的AOV攝像頭方案。 圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于聯(lián)詠科技和思特威產(chǎn)品的AOV攝像頭方案的展示板圖 隨著安全需求的不斷提升和產(chǎn)品的持續(xù)升級，高清畫質、低功耗和智能化成為視頻監(jiān)控產(chǎn)品發(fā)展的核心趨勢。在這一浪潮中，AO

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  21小時前

  SoC 圖像傳感器
• Diodes公司推出USB Sink控制器為電池供電裝置提供多功能PD EPR 解決方案
  

  Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出兩款 USB Type-C? Power Delivery (PD) 3.1 擴展功率范圍 (EPR) Sink 控制器。這兩款控制器可以嵌入電池供電裝置和使用 USB Type-C 接口供電的設備中，包括路由器、無線揚聲器、移動電源和電動工具。AP33771C 和 AP33772S 器件可以幫助產(chǎn)品設計人員從專有充電端口、舊版

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  21小時前

  MCU Diodes
• 無功補償中的CT一側額定值是什么意思
  

  在無功補償系統(tǒng)中，CT（電流互感器）一次側額定值是指電流互感器一次側能夠測量的額定電流范圍。這是選擇CT時的關鍵參數(shù)，它必須與被測回路中的實際電流相匹配，確保系統(tǒng)正常運行和補償效果。一、CT一次側額定值的定義一次側額定電流：這是CT在一次側接入時能夠安全、準確地測量的電流值。例如，如果CT的額定值為500 A / 5 A，意味著一次側接入的主電流最高為500 A時，二次側輸出為5 A。額定比值：C

  庫克庫伯電容器

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  10/21 14:28

  無功補償 無功補償裝置
• 電容器電壓選擇低會有哪些影響
  

  選擇電壓較低的電容器可能會導致多種不良影響，嚴重時會損壞電容器或降低系統(tǒng)的穩(wěn)定性。以下是電容器電壓選擇低于系統(tǒng)額定電壓時可能帶來的問題：1、電容器擊穿與失效當電容器的額定電壓低于實際運行電壓時，電場強度超出其設計范圍，可能會導致絕緣擊穿或金屬化膜損壞。頻繁的電壓過應力會使電容器的自愈能力失效，縮短其使用壽命，最終引發(fā)短路或開路故障。?2、容量衰減和補償效果不佳電容器的容量與運行電壓成正比，如果長期

  庫克庫伯電容器

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  10/21 14:24

  電容器 電力電容器
• 關于X86聯(lián)盟，蘇姿豐、基辛格首次表態(tài)
  

  X86陣營未來將直面ARM陣營的挑戰(zhàn)。10月16日，聯(lián)想在Tech World 2024上公布了包括個人智能體AI NOW在內(nèi)的一系列AI產(chǎn)品、技術和解決方案。作為全球PC產(chǎn)業(yè)最重要的制造商之一，聯(lián)想與AMD、英特爾等代表的芯片產(chǎn)業(yè)鏈保持著長期密切合作。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  10/21 12:35

  X86
• SK海力士大砍CIS業(yè)務
  

  最新消息，SK海力士正在削減其業(yè)務生存能力較低的圖像傳感器和代工業(yè)務，通過加強對業(yè)務的選擇和集中戰(zhàn)略，專注于高利潤的高帶寬存儲器（HBM）和AI存儲器。

  中國電子報

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  10/21 10:37

  SK海力士 HBM
• 英偉達吃透GPU紅利，GeForce 256是偉大的起點？
  

  英偉達第一張游戲顯卡面世時，游戲行業(yè)是怎樣的呢？1999 年，英偉達發(fā)布了其第一張游戲顯卡——GeForce 256。但在 GeForce 256 發(fā)布之前，市場上已經(jīng)存在多個顯卡（GPU）品牌，如 3dfx 的 Voodoo（巫毒）系列、Matrox（邁創(chuàng)）、S3 Graphics、ATI 的 Rage 系列。

  雷科技

  308

  10/21 10:20

  GPU 英偉達
• 對壘英偉達，AMD還差在哪兒？
  

  在科技飛速發(fā)展的時代，半導體行業(yè)始終是焦點所在。AI 芯片領域更是猶如戰(zhàn)場，各大廠商你爭我奪。近日，AMD 推出新款芯片 MI325X，并隨之更新了 AI 芯片路線圖，這一舉措在業(yè)內(nèi)引發(fā)了強烈反響。與此同時，人們廣泛熱議，AMD是否能夠向英偉達的領導地位發(fā)起有力挑戰(zhàn)？AMD 又能從這場激烈的競爭中攫取多少勝利的果實？除了AMD，英偉達需要面臨的挑戰(zhàn)還有哪些？

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  10/21 09:30

  AMD 英偉達
• RISC-V筆記——內(nèi)存模型總結
  

  Memory consistency model定義了使用Shared memory(共享內(nèi)存)執(zhí)行多線程(Multithread)程序所允許的行為規(guī)范。RISC-V使用的內(nèi)存模型是RVWMO(RISC-V Weak Memory Ordering)，RVWMO內(nèi)存模型是根據(jù)全局內(nèi)存順序(global memory order)定義的，全局內(nèi)存順序是所有harts產(chǎn)生的內(nèi)存操作的總順序。通常，多線程程序有許多不同的可能執(zhí)行，每個執(zhí)行都有自己對應的全局內(nèi)存順序。

  專芯致志er

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  10/21 08:50

  RISC-V 內(nèi)存模型
• RISC-V筆記——內(nèi)存模型公理
  

  在RISC-V中，只有當存在一個全局內(nèi)存順序(global memory order)符合preserved program order，并且滿足load value axiom、atomicity axiom和progress axiom時，RISC-V程序的執(zhí)行才遵循RVWMO內(nèi)存一致性模型。今天主要講下load value公理、atomicity公理和progress公理。

  專芯致志er

  378

  10/21 08:42

  RISC-V 內(nèi)存模型
• RISC-V筆記——Pipeline依賴
  

  RISC-V的RVWMO模型主要包含了preserved program order、load value axiom、atomicity axiom、progress axiom和I/O Ordering。今天主要記錄下preserved program order(保留程序順序)中的Pipeline Dependencies(Pipeline依賴)。

  專芯致志er

  139

  10/21 08:40

  RISC-V
• RISC-V筆記——RVWMO基本體
  

  RISC-V使用的內(nèi)存模型是RVWMO(RISC-V Weak Memory Ordering)，它是Release Consistency的擴展，因此，RVWMO的基本體類似于RC模型。

  專芯致志er

  720

  10/19 10:55

  RISC-V

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