為什么插入了幾條NOP指令，MCU的功耗就變了？

我最近在測試一個M0+ MCU的運行功耗，測試代碼采用如下最簡單的方式，即main函數(shù)里只跑一個while(1)空循環(huán)，測試出來的電流是1.11mA，使用的IDE為KEIL MDK，優(yōu)化等級為0

當我在while(1)的前面插入3條NOP指令，測出來的電流卻變成了0.89mA。

這是怎么回事？是測量誤差，還是事實就是如此？這可是足足差了200多uA啊，為此我又做了如下幾個對比實驗。

上述實驗可以看到明顯的規(guī)律，只要while(1)前插入的NOP是奇數(shù)時功耗就相對小一點（差不多都是約0.9mA），while(1)前插入的NOP是偶數(shù)時功耗就大一點（差不多都是約1.11mA）。

說到這里，我們需要來了解一下NOP指令，我之前對NOP指令的理解只停留在它可以用來做軟件延時用，其實它還有一個重要的作用是實現(xiàn)指令對齊

在調試窗口下，我們看一下匯編代碼

C代碼的while(1)被匯編成了2條指令，即NOP和B，跳轉指令B前自動插了一個NOP。while(1)實際上是先執(zhí)行一個NOP指令，再執(zhí)行B指令，B指令跳轉的地址就是自身的地址，達到無限循環(huán)的效果。可以看到此時while(1)里NOP指令地址是0x00000152（十進制338），B指令地址是0x00000154（十進制340）。

當while（1）前插入奇數(shù)條NOP指令后，while(1)對應的指令地址會改變。

指令地址的變化為什么會影響功耗呢？這又得需要提一下CPU執(zhí)行指令的過程。

CPU內部一直重復執(zhí)行著 Fetch（取指令）–> Decode（指令譯碼）–> Execute（執(zhí)行指令）的過程。

CPU在執(zhí)行程序取指令的時候，每次按照Flash 4字節(jié)對齊的方式從Flash一次讀32bit的指令，如果while(1)前插入偶數(shù)（包括0）個NOP指令，那么CPU在執(zhí)行while(1)時，需要從Flash讀取2次32bit內容再Decode去執(zhí)行。如果while(1)前插入奇數(shù)個NOP指令，那么CPU在執(zhí)行while(1)時，只需要從Flash讀取1次32bit內容即可。就是這個地方的差異會引起功耗的差異，前者要執(zhí)行更多的操作所以功耗更大一點。

此外如果while(1)前不加入NOP，但是把優(yōu)化等級調到最高，此時while(1)里 B指令前就不會插入一條NOP指令，這時B指令的地址為0x00000152，這時效果和不開優(yōu)化等級、while(1)之前插入奇數(shù)個NOP一樣，功耗也會低一點。道理其實是一樣的，因為while(1)的執(zhí)行只需要從0x150地址取一次指。

最后我還做了一個實驗，就是把程序放到了RAM里，不管while(1)前加多少NOP，功耗都是一樣，都是0.58mA。程序在RAM里，就不用從Flash里讀程序了，所以功耗更低。

利用功耗的不同去做破解的行為，也是類似的原理。

以上分析僅是猜測，因為不了解MCU內部的運行細節(jié)，如果不對之處，歡迎大家指正。