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  • 三星公布最新先進(jìn)工藝技術(shù)路線(xiàn)圖 2nm工藝競(jìng)爭(zhēng)升級(jí)
    三星公布最新先進(jìn)工藝技術(shù)路線(xiàn)圖 2nm工藝競(jìng)爭(zhēng)升級(jí)
    近日，三星在美國(guó)加州圣何塞舉行的三星晶圓代工論壇(SFF)上表示，在過(guò)去一年中，三星代工的AI需求相關(guān)銷(xiāo)售額增長(zhǎng)了80%，預(yù)計(jì)到2028年，其AI芯片代工客戶(hù)數(shù)量將比2023年增加4倍，代工銷(xiāo)售額將比2023年增加9倍。三星還公布了其最新的工藝技術(shù)路線(xiàn)圖，包括兩個(gè)新的工藝節(jié)點(diǎn)—SF2Z和SF4U，并且將為其代工客戶(hù)提供全面的“一站式”人工智能解決方案。
  • 三星成立HBM3E特別工作組，搶500億大單
    三星成立HBM3E特別工作組，搶500億大單
    三星電子為了向英偉達(dá)提供新一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM），投入了400多名半導(dǎo)體ACE（最高水平的）員工。“三星電子為打通特定客戶(hù)公司投入這么多人力，實(shí)屬史無(wú)前例?！庇蟹治稣J(rèn)為，只有抓住“英偉達(dá)”才能掌握市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán)，所以三星動(dòng)員了公司的全部力量。
  • 先進(jìn)制程三巨頭將掀起3D封裝排位賽
    先進(jìn)制程三巨頭將掀起3D封裝排位賽
    近日，英特爾宣布其首個(gè)3D封裝技術(shù)Foveros已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。與此同時(shí)，三星也在積極開(kāi)發(fā)其3D封裝技術(shù)X-Cube，并表示將在2024年量產(chǎn)。3D封裝的理論已經(jīng)提出多年，但是由于技術(shù)難度比較大，能量產(chǎn)3D封裝的企業(yè)并不多。
  • HBM比臺(tái)積電更重要？
    HBM比臺(tái)積電更重要？
    NVDAH200的發(fā)布揭示了算力下一步提升路徑，H200證明HBM比臺(tái)積電更重要 AI算力演進(jìn)驅(qū)動(dòng)HBM需求爆發(fā) 海力士 HBM3 芯片, 數(shù)據(jù)來(lái)源：海力士官網(wǎng)，財(cái)通證券研究所 自2023年初以來(lái)，生成式人工智能（AI）模型因其不斷的應(yīng)用和商業(yè)化而受到極大關(guān)注。這些模型的發(fā)展推動(dòng)了對(duì)人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的需求，尤其是在算力和通信領(lǐng)域。生成式AI模型，如大型語(yǔ)言模型GPT，需要大量高性能硬件（如GPU和
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    2023/11/28
  • 三星和SK海力士之爭(zhēng)
    三星和SK海力士之爭(zhēng)
    近年來(lái)，存儲(chǔ)芯片行業(yè)的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)發(fā)生了相當(dāng)大的變化。三星電子公司曾經(jīng)是該領(lǐng)域無(wú)可爭(zhēng)議的領(lǐng)導(dǎo)者，但現(xiàn)在卻落后于規(guī)模較小的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士。兩家公司之間不斷擴(kuò)大的差距是來(lái)自哪里？
  • 長(zhǎng)存被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND將邁入300層！
    長(zhǎng)存被制裁一年后，三星、SK海力士宣布3D NAND將邁入300層！
    2022年，美光、SK海力士、三星等相繼量產(chǎn)了232層3D NAND Flash，但是在美方的制裁之下，長(zhǎng)存128層及以上NAND Flash的供應(yīng)鏈?zhǔn)艿絿?yán)重阻礙。在此背景之下，這些國(guó)際大廠紛紛加速邁向300層，希望能主導(dǎo)未來(lái)3D NAND Flash的技術(shù)路線(xiàn)。今年8月初，SK海力士公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品。近日三星也被爆出將會(huì)在明年推出擁有超過(guò)300層堆疊的第9代V-NAND技術(shù)，未來(lái)的第10代V-NAND技術(shù)將可能達(dá)到 430層芯片。
  • 展望存儲(chǔ)后市，三星、SK海力士與美光這樣看待
    受經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、消費(fèi)電子需求低迷、存儲(chǔ)芯片價(jià)格下跌等因素影響，存儲(chǔ)大廠普遍業(yè)績(jī)承壓，三星電子公布的最新財(cái)報(bào)同樣如此。
  • 三星拒絕降價(jià)，全球DRAM芯片價(jià)格將觸底反彈？
    存儲(chǔ)芯片作為最具有周期性的芯片品類(lèi)之一，一向有著半導(dǎo)體行業(yè)的“晴雨表”之稱(chēng)，但此次下行周期的下跌幅度和持續(xù)時(shí)間都超出了業(yè)界預(yù)期。近日，三星已經(jīng)通知分銷(xiāo)商拒絕以低于當(dāng)前價(jià)格出售DRAM芯片，市場(chǎng)或?qū)⒂瓉?lái)觸底反彈？
  • 慘跌！存儲(chǔ)寒冬的句號(hào)，會(huì)是春暖花開(kāi)嗎？
    4月7日，三星電子公布了截至2023年1-3月的財(cái)年合并財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)（初步數(shù)據(jù)）。根據(jù)該報(bào)告，營(yíng)業(yè)收入降至6000億韓元，比去年同期下降96%，凸顯了該公司的支柱產(chǎn)業(yè)——半導(dǎo)體部門(mén)處于大滑坡的局面。
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    2023/04/13
  • 擁抱RISC-V？三星電子重啟內(nèi)核架構(gòu)自研
    近日有消息，三星電子將重新開(kāi)始CPU內(nèi)核的開(kāi)發(fā)。三星電子在公司內(nèi)部組建了CPU核心開(kāi)發(fā)小組，并聘請(qǐng)前AMD高級(jí)開(kāi)發(fā)人員Rahul Tuli領(lǐng)導(dǎo)該小組。如果開(kāi)發(fā)過(guò)程順利，三星電子將可以在2027年之前使用自主內(nèi)核開(kāi)發(fā)的CPU。
  • 迷人的新型存儲(chǔ)
    多年來(lái)，各大廠商多年來(lái)孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進(jìn)制程。現(xiàn)代社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長(zhǎng)，芯片就必須需要具備巨大的計(jì)算能力 ；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來(lái)越大、需要的成本越來(lái)越高、實(shí)現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。
  • “死敵”合作，各取所需
    近期，已經(jīng)沉寂許久的CIS（CMOS圖像傳感器）市場(chǎng)，因?yàn)樾袠I(yè)兩大巨頭的“碰頭”，又掀起了一絲波瀾。據(jù)韓國(guó)SBS Biz報(bào)道，索尼（Sony）集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)吉田憲一郎將拜訪(fǎng)三星位于平澤的晶圓廠，預(yù)計(jì)與三星半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人慶桂顯會(huì)面，據(jù)悉，吉田憲一郎的拜訪(fǎng)行程還包含前往三星位于天安及溫陽(yáng)的封裝廠，預(yù)計(jì)雙方將在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈建立更緊密的合作關(guān)系。
  • 主控芯片大亂斗，“存算一體”將如何改變企業(yè)級(jí)SSD?
    ? 2021年12月國(guó)務(wù)院印發(fā)“十四五”數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃，強(qiáng)調(diào)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型邁上新臺(tái)階的要求，自上而下明確數(shù)字化轉(zhuǎn)型方向。全球范圍內(nèi)數(shù)字經(jīng)濟(jì)占比持續(xù)提升，根據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2020年內(nèi)全球企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型相關(guān)支出達(dá)1.3萬(wàn)億美元，預(yù)計(jì)到2024年支出將增長(zhǎng)至2.4萬(wàn)億美元，同期非數(shù)字化轉(zhuǎn)型的ICT投資將以-1.6%的CAGR收縮。 新興業(yè)務(wù)場(chǎng)景驅(qū)動(dòng)下，企業(yè)對(duì)于數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)性需求正在不斷增加：
  • 風(fēng)禾盡起！憶芯科技高端企業(yè)級(jí)主控芯片及方案全球首發(fā)！
    風(fēng)禾盡起！憶芯科技高端企業(yè)級(jí)主控芯片及方案全球首發(fā)！
    作為超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)科技創(chuàng)新企業(yè)，憶芯科技已先后完成了四顆高端消費(fèi)級(jí)/企業(yè)級(jí)PCIe SSD主控芯片流片，并實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。2023年3月2日，憶芯科技在國(guó)產(chǎn)高端企業(yè)級(jí)SSD賽道上，再迎來(lái)新里程碑——“風(fēng)禾盡起 憶芯科技高端企業(yè)級(jí)芯片及方案發(fā)布會(huì)”在合肥天鵝湖大酒店隆重舉行，面向全球正式首發(fā)全新一代高端企業(yè)級(jí)SSD主控芯片及方案。 憶芯科技新品發(fā)布會(huì)得到了合肥經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)的大力支持
  • 1.4納米芯片、1000層NAND閃存...半導(dǎo)體巨頭公布最新技術(shù)路線(xiàn)圖
    據(jù)韓媒《BusinessKorea》報(bào)道，10月5日，三星在美國(guó)加州硅谷舉辦2022年三星科技日，并展示了一系列尖端的半導(dǎo)體解決方案。
  • 三星24Gbps GDDR6 DRAM亮相　顯卡效能躍升可期
    三星宣布推出GDDR6 DRAM，其處理速度可達(dá)24 Gbps。此款記憶體采用三星第三代10nm(1z)制程，以及極紫外光(EUV)技術(shù)，有助于提升下一代顯卡、筆電/游戲主機(jī)、人工智慧(AI)應(yīng)用，以及高速運(yùn)算(HPC)系統(tǒng)的效能。
  • 制程升級(jí)壓力，三大DRAM廠商EUV競(jìng)爭(zhēng)白熱化？
    據(jù)財(cái)聯(lián)社消息，美光總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）5月26日表示，中國(guó)臺(tái)灣中科新廠啟用后，美光將會(huì)導(dǎo)入先進(jìn)性1a nmDRAM制程生產(chǎn)以及最先進(jìn)的極紫外光（EUV）設(shè)備。
  • 就在一季度，NAND閃存將進(jìn)入200+時(shí)代
    近期，有消息稱(chēng)，三星電子將在2022年底或2023年上半年推出200層以上NAND閃存，并在2023年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。
  • 3nm晶圓大廠上演卡位戰(zhàn)
    半導(dǎo)體制造今年將正式3nm時(shí)代，包括臺(tái)積電、三星、英特爾都積極卡位，其中，臺(tái)積電全數(shù)提供晶圓代工業(yè)務(wù)使用，三星、英特爾屬于整合元件廠（IDM），其制程產(chǎn)能多優(yōu)先用于自家產(chǎn)品。
  • MRAM更近一步
    1月13日，三星電子宣布展示世界上第一個(gè)基于MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的內(nèi)存計(jì)算，相關(guān)論文于1月12日在Nature發(fā)表。

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