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據(jù)財聯(lián)社消息，美光總裁暨執(zhí)行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）5月26日表示，中國臺灣中科新廠啟用后，美光將會導入先進性1a nmDRAM制程生產(chǎn)以及最先進的極紫外光（EUV）設備。
公開資料顯示，EUV制程采用波長為10-14nm的極紫外光作為光源的光刻，相較于將蝕刻液噴灑在半導體表面，利用蝕刻液與半導體基底化學反應的DUV，蝕刻的各向異性明顯改善，對于精確度要求較高的集成電路，EUV使電路分辨率和良率得到極大提升。
簡單而言，利用EUV設備生產(chǎn)DRAM，將極大的提高產(chǎn)能、良率，并降低成本。這也使得EUV的爭奪愈加白熱化。
基于EUV技術對DRAM技術節(jié)點的好處，三星、SK海力士和美光這三大DRAM廠商已先后進入了EUV DRAM市場。
三星
三星率先引入了EUV。2020 年3月，三星率先使用極紫外（EUV)光刻技術，同年10月便開始批量生產(chǎn)基于EUV的14nm DRAM。在此過程中，三星將其最先進的14nm DDR5上的EUV層數(shù)從兩層增加到了五層DRAM工藝。
2021年11月，三星表示，其已經(jīng)應用EUV技術開發(fā)了14nm 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，專門用于5G、人工智能(AI)、機器學習(ML)和其他大數(shù)據(jù)終端應用等高速率應用。此外，該公司還發(fā)布了其首個支持新型計算快速鏈接(Compute ExpressLink,CXL) 互連標準的DRAM內(nèi)存模塊，并發(fā)布了專為自主電動汽車和高性能信息娛樂系統(tǒng)設計的2GB GDDR6和2GB DDR4汽車DRAM。
今年2月，三星官方表示其基于極紫外（EUV）光刻技術的1z-nm工藝的DRAM已完成了量產(chǎn)。業(yè)界消息顯示，三星還將繼續(xù)為下一代DRAM增加EUV步驟，其三星的P3工廠也將采用EUV工藝生產(chǎn)10nm DRAM。
SK海力士
SK海力士引入EUV是在2021年。2021年2月，SK海力士完成首個用于DRAM的EUV晶圓廠M16，正式引入了EUV光刻設備。2021年7月，SK海力士宣布量產(chǎn)了1a nm工藝的8千兆的LPDDR4 EUV DRAM。
官方消息顯示，與第三代1z nm內(nèi)存芯片相比，1a技術在相同的晶圓面積下，生產(chǎn)的芯片數(shù)量可以增加25%。此外，202年SK海力士還發(fā)布了據(jù)稱是業(yè)界性能最高的DDR5 DRAM，作為海力士的第三代高帶寬內(nèi)存，該芯片被稱為HBM3。
美光
對比前兩家的早早加碼EUV，美光方面則稍晚一些。據(jù)外媒此前消息，美光計劃從2024年開始，將EUV納入DRAM開發(fā)路線圖。美光在2021年推出了其1a nm內(nèi)存節(jié)點DRAM，推出時該工藝依舊未使用EUV光刻技術，美光稱其存儲密度比之前的1z nm節(jié)點DRAM 提高40%。
今年5月26日，美光表示，將在中國臺灣中科新廠啟用后導入最先進的極紫外光（EUV）設備或用來生產(chǎn)1a nm DRAM制程。這是否是制程升級給美光帶來了新的壓力，我們不得而知。但是可以確定的是，三大DRAM廠商EUV競爭已進一步升級。
文章來源：全球半導體觀察 竹子
