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最新市場消息顯示，由于中國新能源汽車、光伏市場近年來的迅猛發(fā)展，在技術(shù)迭代及產(chǎn)能擴(kuò)充加快步伐下，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)成本正在大幅下降，其中SiC襯底、外延以及SiC模塊降價(jià)明顯。
SiC襯底價(jià)格三大問題引發(fā)市場關(guān)注
行業(yè)消息顯示，今年以來，主流6英寸SiC襯底價(jià)格持續(xù)下滑，其價(jià)格已下跌近30%。目前國內(nèi)市場多位行業(yè)人士表露，2024年中期6英寸SiC襯底的價(jià)格已跌至500美元以下，漸接近中國制造商的生產(chǎn)成本線。到今年第四季度，價(jià)格進(jìn)一步下降至450美元甚至400美元，這給大多數(shù)制造商帶來財(cái)務(wù)壓力。
SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)，襯底和外延工藝占據(jù)了整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的70%，其中襯底的成本比重更是接近50%。
關(guān)于碳化硅市場價(jià)格的變動(dòng)，目前行業(yè)內(nèi)主要存在以下三點(diǎn)擔(dān)憂：
· 一是2024年全球SiC晶體生長及襯底材料新增產(chǎn)能大幅提升，部分業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心未來短期內(nèi)將造成供過于求現(xiàn)象；
·?二是作為SiC材料最大目標(biāo)應(yīng)用的電動(dòng)汽車增長近兩年出現(xiàn)放緩跡象，未來電動(dòng)汽車發(fā)展可持續(xù)性遭到質(zhì)疑，以及是否有更新的市場增長點(diǎn)推動(dòng)第三代半導(dǎo)體持續(xù)突破；
·?第三則是今年以來碳化硅市場爆發(fā)的價(jià)格戰(zhàn)對SiC市場定價(jià)造成沖擊，企業(yè)過渡和成長問題成為當(dāng)下重要考量。
目前行業(yè)多方對于上述三點(diǎn)憂慮進(jìn)行了探討，本文將結(jié)合行業(yè)各方看法對此進(jìn)行解答。
SiC行業(yè)或?qū)⒂乱徊ㄕ霞娌⒊?/strong>
在產(chǎn)能釋放上，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，2024年全球市場共新建14座8英寸碳化硅廠房（在建12座，2座即將動(dòng)工），短期內(nèi)僅有Wolfspeed莫霍克谷工廠能夠提供8英寸碳化硅晶圓，最早則從明年開始陸續(xù)有廠家可以供應(yīng)上8英寸碳化硅晶圓。而聚焦我國，2023年國內(nèi)啟動(dòng)了超50個(gè)SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，總投資超900億元；2024年，我國更有超100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行布局，超50個(gè)碳化硅項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展。
關(guān)于產(chǎn)能投產(chǎn)可持續(xù)看，部分行業(yè)人士表示，碳化硅行業(yè)投資巨大，部分供應(yīng)商雖然擴(kuò)產(chǎn)積極，但在較低價(jià)格的環(huán)境下，能否繼續(xù)維持運(yùn)轉(zhuǎn)成為關(guān)鍵問題。因?yàn)槭欠駮?huì)造成供過于求還有待觀察。并且在此環(huán)境下，SiC襯底行業(yè)預(yù)計(jì)會(huì)迎來一波整合兼并潮。屆時(shí)碳化硅產(chǎn)業(yè)版圖還將進(jìn)一步刷新。
AI數(shù)據(jù)中心或?qū)⒊蔀榈谌雽?dǎo)體新的市場增量
雖然目前市場上看到，新能源汽車近期有疲軟趨勢，但多家碳化硅大廠以及車企最新釋放，碳化硅新能源車型持續(xù)增加，8英寸碳化硅或迎來新機(jī)遇。截止目前，我國新能源上險(xiǎn)乘用車中800V車型滲透率約8.7%，其中800V碳化硅滲透率提升至72%，24年陸續(xù)新增極氪系列、小米、紅旗、奇瑞星紀(jì)元、海馬等多款車型。
而關(guān)于第三代半導(dǎo)體新的市場增量討論上，AI人工智能浪潮席卷全球，數(shù)據(jù)中心對算力需求的持續(xù)高漲成為了第三代半導(dǎo)體破局的關(guān)鍵。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示，在接下來的3-5年，單個(gè)數(shù)據(jù)中心的容量將會(huì)從傳統(tǒng)的150MW-180MW，提升到500MW兆瓦以上,這意味著電源單元必須具備更高的功率能力，預(yù)計(jì)將從傳統(tǒng)的3kW、4kW，逐步提升至5kW、8kW，甚至10kW。而碳化硅的高功率密度和效率能夠在數(shù)據(jù)中心中發(fā)揮非常重要的作用，能夠幫助數(shù)據(jù)中心電源實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理也表示，大型計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)行所需的電能日益增加，需要更高功率、更高能效的電力電子設(shè)備去支撐。給AI處理器供電最高效的選擇就是氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體。具體到碳化硅的應(yīng)用而言，碳化硅具有極小的反向恢復(fù)損耗，可以有效降低能耗，主要應(yīng)用在AI服務(wù)器電源的PFC（功率因數(shù)校正）中?，F(xiàn)在多數(shù)企業(yè)都在采用碳化硅二極管替代硅二極管，碳化硅MOSFET替代硅MOSFET。
價(jià)格戰(zhàn)持續(xù)，推動(dòng)SiC大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用轉(zhuǎn)折點(diǎn)到來
在價(jià)格競爭上，部分人士表示，盡管價(jià)格戰(zhàn)可能會(huì)對一些廠商的利潤率造成壓力，但長期來看，這可能會(huì)推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向更高效、更具成本效益的方向發(fā)展，并有助于SiC技術(shù)在電動(dòng)汽車、光伏、工業(yè)等領(lǐng)域的進(jìn)一步滲透和應(yīng)用。
從我國市場看，價(jià)格的迅速下滑與我國越來越多的本地生產(chǎn)商獲得電動(dòng)汽車認(rèn)證并擴(kuò)大了其制造能力直接關(guān)系。行業(yè)人士表示，隨著8英寸SiC產(chǎn)能的逐步釋放，預(yù)計(jì)SiC單器件或單位電流密度的成本將進(jìn)一步降低，這可能成為SiC大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
天岳先進(jìn)相關(guān)發(fā)言人近期表示，隨著技術(shù)進(jìn)步和規(guī)模效應(yīng)，SiC基板（襯底）價(jià)格將繼續(xù)下降，從而降低成本。SiC基板相對于硅基板的價(jià)格較高，阻礙了其更廣泛的應(yīng)用，價(jià)格下降將有助于擴(kuò)大下游應(yīng)用，推動(dòng)SiC的廣泛應(yīng)用。
從國內(nèi)市場來看，目前山東天岳、天科合達(dá)、三安等一些中國一線供應(yīng)商已經(jīng)進(jìn)入了國際IDM廠商的功率器件供應(yīng)鏈，其中山東天岳在連續(xù)兩年虧損后于2024年上半年實(shí)現(xiàn)盈利，天科合達(dá)盈利能力也在不斷提高。總體而言，IDM的認(rèn)證使得山東天岳和天科合達(dá)在2024年整體SiC襯底市場競爭激烈的情況下，仍能保持穩(wěn)定的出貨量、價(jià)格和利潤。在該產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中，我國廠商有望在全球SiC產(chǎn)業(yè)的競爭格局中占據(jù)較強(qiáng)優(yōu)勢，逐步將市場重心轉(zhuǎn)向中國。
