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作者 | 王藝可，報道 I 芯潮 IC
又一個芯片明星獨角獸奔赴IPO了。
近日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）向港交所遞交招股書，擬主板IPO上市，中金公司、招銀國際為其聯(lián)席保薦人。
這是一只來自第三代半導體賽道的超強獨角獸。英諾賽科成立于2017年，全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵（GaN）晶圓的公司，也同時是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司。今年，英諾賽科完成了E輪融資，投后估值達235億元，成功躋身超級獨角獸行列。
隨著AI熱度居高不下，氮化鎵在功耗處理的優(yōu)勢得以凸顯，商業(yè)價值也逐步展現(xiàn)。在英諾賽科開啟上市征途的同時，氮化鎵（GaN）賽道的資本動作頻頻。除了融資、上市以外，氮化鎵領域的頭部玩家也在開展收并購動作，進一步完善自身產(chǎn)業(yè)布局。英諾賽科的IPO之路需要沖破哪些阻礙？氮化鎵熱度將會出現(xiàn)多久？
女科學家歸國創(chuàng)業(yè)，7年做出一個世界第一
這是一位鐵娘子勇闖半導體無人區(qū)的故事。
駱薇薇畢業(yè)于新西蘭梅西大學，獲得了應用數(shù)學博士學位。在海外工作期間，她曾在美國宇航局（NASA）工作15年，從高級項目經(jīng)理一直干到了首席科學家。離開NASA后，她選擇了創(chuàng)業(yè)，先后創(chuàng)辦了兩家以新材料為核心業(yè)務的公司。
2015年，適逢半導體領域回國創(chuàng)業(yè)的風潮，駱薇薇一下子瞄準了第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機遇，便毅然決然回國組建團隊。2017年，駱薇薇成立英諾賽科半導體有限公司，開啟第三段創(chuàng)業(yè)游戲。
在這場“游戲”開始之前，駱薇薇便主動選擇了超難開局。氮化鎵(GaN)是一種具有高頻率和低導通電阻的寬帶隙半導體材料，已成為功率半導體行業(yè)持續(xù)變革的核心。2014年，世界上最早的氮化鎵充電芯片出現(xiàn)，讓駱薇薇看到了這個市場的潛力。
可是，當時的氮化鎵尚且沒有大規(guī)模商業(yè)化應用，很多企業(yè)大多選用6英寸或者4英寸工藝，而駱薇薇卻帶領著英諾賽科選擇8英寸工藝。相較于6英寸硅基氮化鎵晶圓，8英寸的晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)增加80%，單一器件成本降低30%。但不得不承認，這是一件許多內(nèi)行都不敢做的事情。
在她看來，經(jīng)驗不該成為發(fā)展的瓶頸和壁壘?！叭绻X得它是可行的，你一只來自第三代半導體賽道的超強獨角獸的感官和智慧都會為之敞開，你會找到路徑去做。對于在‘無人區(qū)’中探索，我好像沒有那么多的恐懼心理，我會去判斷這個事情在執(zhí)行層面的可行性，再根據(jù)邏輯一步一步把它完成?！?/p>
駱薇薇的解題思路很清晰：如果氮化鎵功率電子器件在市場上要進行大規(guī)模推廣，需要解決三個痛點：
首先是成本，具備合理的價格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力，以應對市場的爆發(fā)。第三，要確保器件供應鏈穩(wěn)定，有了穩(wěn)定的貨源供應，客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開發(fā)，無需擔心因氮化鎵器件供應戰(zhàn)略的變化而導致停產(chǎn)。
英諾賽科建設自主可控的生產(chǎn)線，穩(wěn)定GaN 器件的產(chǎn)能，并全力以赴推廣氮化鎵功率電子器件。目前，英諾賽科擁有珠海及蘇州兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，采用先進的生產(chǎn)工藝及最先進的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)設備。擁有來自國際一流半導體企業(yè)的技術(shù)專家和資深人士，保障了產(chǎn)品的質(zhì)量與產(chǎn)能。
同時，英諾賽科加大力度提升氮化鎵功率半導體在多個下游產(chǎn)業(yè)的應用滲透率，并鞏固在消費電子市場的領導地位。此外，英諾賽科持續(xù)研發(fā)更多元化的產(chǎn)品技術(shù)，以滿足客戶多樣化的需求。
一路走來，英諾賽科成為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司。根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，按2023年收入計算，英諾賽科在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一，占氮化鎵功率半導體行業(yè)市場份額的33.7%。
打破技術(shù)封鎖，英諾賽科帶著全球第一的光環(huán)，走向了資本市場。
虧損超30億，他如何做到世界第一
明星獨角獸沖擊IPO的故事，再也不是爽文劇本，英諾賽科最后能夠走向happy ending的結(jié)局嗎？
英諾賽科勇闖IPO的底氣來自于哪里？首先，英諾賽科一成立便選用了IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，可以實現(xiàn)從設計、制造到測試的整個過程的自主控制。如今，公司成為全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。
英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地，截至2023年12月31日，設計產(chǎn)能達到每月10,000片晶圓。憑借自身量產(chǎn)的能力，英諾賽科得以在全球市場占有一席之地。按氮化鎵分立器件出貨量統(tǒng)計，英諾賽科2023年在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市占率達42.4%。
產(chǎn)能在一定程度上可以與營收掛鉤。招股書顯示，2021年、2022年及2023年，英諾賽科實現(xiàn)收入分別是6821.5萬元、1.36億元、5.93億元，呈現(xiàn)持續(xù)倍增態(tài)勢。
但公司連年虧損也是客觀事實。招股書顯示，2021—2023年，英諾賽科的凈利潤分別虧損了33.99億元、22.05億元、11.02億元，三年合計凈虧損67.06億元；經(jīng)調(diào)整的凈利潤則分別虧損10.81億元、12.77億元、10.16億元，累計虧損33.74億元。
這應該是IDM企業(yè)的通病。IDM半導體企業(yè)是資產(chǎn)密集型發(fā)展模式，前期資本開支巨大，盈利周期較長。英諾賽科的資金除了研發(fā)，大多用于工廠建設、設備投入等。招股書顯示，英諾賽科報告期內(nèi)產(chǎn)生的運營開支(包括研發(fā)開支、銷售及營銷開支及行政開支)分別為8.69億元、8.5億元及6.86億元，分別占各期總收入的1274.25%、623.94%及115.72%。
不過，IDM模式的優(yōu)勢可以實現(xiàn)成本的有效管控，讓英諾賽科能夠以更具競爭力的價格策略立足市場，形成難以復制的競爭優(yōu)勢。從市場環(huán)境和長遠發(fā)展來看，英諾賽科的高額投入十分重要。
但對于英諾賽科來說，如何證明自身盈利能力十分重要。從潛在市場來看，英諾賽科需要朝著更為廣闊的市場開足馬力。
目前，英諾賽科設計、開發(fā)及制造提供不同封裝選擇的高性能及可靠的氮化鎵分立器件，用于各種低中高壓應用場景，產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋了從15V至1,200V。此外，英諾賽科還開發(fā)了旗艦產(chǎn)品雙向氮化鎵芯片V-GaN系列，可應用于消費電子、工業(yè)應用等多個領域。
在消費電子領域，英諾賽科已經(jīng)與小米、OPPO、vivo、榮耀、聯(lián)想等廠商建立合作關(guān)系，并開始拓展汽車和可再生領域等版圖。英諾賽科于2024年正式推出100V車規(guī)級氮化鎵器件INN100W135A-Q，已通過AEC-Q101認證，適用于自動駕駛和先進駕駛輔助系統(tǒng)中的激光雷達、高功率密度DC-DC轉(zhuǎn)換器以及D類音頻應用。隨著新能源汽車等優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)的興起，英諾賽科需要及時抓住市場機遇，展現(xiàn)出自身市場的持續(xù)拓展能力。
此外，英諾賽科還要積極走向海外，提升全球影響力。招股書顯示，英諾賽科業(yè)務過于依賴國內(nèi)單一市場，海外市場滲透率較低。意識到這一問題后，英諾賽科在硅谷、首爾、比利時等地設立子公司。2023年，英諾賽科的海外市場收入從2021年的20萬元增長到5800萬元，營收占比從2021年的0.3%上升至9.8%。
當中國企業(yè)跑到全球市場廝殺，勢必會受到巨頭的反擊。捆綁銷售、專利糾紛都是他們的常用競爭手段。招股書顯示，英諾賽科的若干產(chǎn)品潛在知識產(chǎn)權(quán)侵權(quán)，被兩名競爭對手提出三項訴訟。目前，所有訴訟事項仍處于相對較早階段。
而這也為英諾賽科沖擊IPO造成了一定阻礙。8月12日，證監(jiān)會國際司對英諾賽科出具補充材料要求，公司知識產(chǎn)權(quán)相關(guān)未決訴訟情況及進展，是否構(gòu)成本次發(fā)行上市實質(zhì)性法律障礙。
英諾賽科能否順利IPO敲鐘尚且是個未知數(shù)。但全球?qū)Ω咝?、低能耗半導體技術(shù)需求的不斷增長，以英諾賽科為代表的氮化鎵廠商迎來了前所未有的發(fā)展機遇。
產(chǎn)能釋放疊加市場增長并購大戰(zhàn)開啟
半導體周期的持續(xù)時長通常為3-5年，目前正處于第5輪周期的上行期間，誰能沖出來、如何沖出來都是一個值得探究的問題。
氮化鎵雖然起步不如碳化硅，但增長勢頭正酣。根據(jù)QYR（恒州博智）的統(tǒng)計及預測，2023年全球氮化鎵（GaN）半導體器件市場銷售額達到了12.81億美元，預計2030年將達到54.3億美元，年復合增長率（CAGR）為23.3%（2024-2030）。
與硅及其他半導體材料相比，氮化鎵具有高頻、電子遷移率高、輻射抗性強、導通電阻低、無反向恢復損耗等顯著優(yōu)勢，氮化鎵功率半導體芯片能夠有效降低電源的能量損耗，提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)成本，并實現(xiàn)更小的設備尺寸。各種下游應用中的發(fā)展趨勢及當前硅材料產(chǎn)品的痛點為氮化鎵功率半導體帶來巨大增長潛力。
高頻應用中，氮化鎵的性能其實還是比碳化硅優(yōu)秀，在高溫高壓應用，碳化硅優(yōu)于氮化鎵。因此，氮化鎵和碳化硅的實際應用中分工比較明確，互不干涉。于是，氮化鎵基于自身特性，在消費電子、新能源汽車、5G通信等領域的市場價值持續(xù)提升。
目前，氮化鎵下游應用還處于導入期，市場競爭總體呈現(xiàn)分散狀態(tài)，尚未形成穩(wěn)定的競爭格局。2023年全球前5大氮化鎵功率半導體公司占據(jù)了全球92.8%的市場份額，分別為英諾賽科（Innoscience）、納微半導體（Navitas Semiconductor）、Wolfspeed、宜普（EPC）和英飛凌（Infineon）。
混沌之際，正是英雄出沒的時候。因此，勇于突破和創(chuàng)新的企業(yè)可以沖出來，如華潤微電子、英諾賽科、三安光電等公司或是靠研發(fā)實力，或靠量產(chǎn)能力占據(jù)一席之地。巨頭想要收割這波增長機遇，則開始采用并購的手段。
2023年10月，英飛凌科技宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems），并號稱“成為領先的氮化鎵龍頭企業(yè)”。英飛凌表示，公司和 GaN Systems 在知識產(chǎn)權(quán)、對應用的深刻理解以及成熟的客戶項目規(guī)劃方面優(yōu)勢互補，這為英飛凌滿足各種快速增長的應用需求創(chuàng)造了極為有利的條件。
2024年7月，瑞薩電子宣布完成對氮化鎵（GaN）全球領導者Transphorm的收購。隨著收購的完成，瑞薩電子將立即開始提供基于GaN的功率產(chǎn)品和相關(guān)參考設計，以滿足對寬帶隙（WBG）半導體產(chǎn)品不斷增長的需求。
在完成對Transphorm的收購的同一天，瑞薩電子推出了15種新的產(chǎn)品組合，這些產(chǎn)品是面向市場的參考設計，將新的GaN產(chǎn)品與瑞薩電子的嵌入式處理、電源、連接和模擬產(chǎn)品組合相結(jié)合。其中包括Transphorm為車載電池充電器集成的汽車級氮化鎵技術(shù)的設計，以及用于電動汽車的三合一動力總成解決方案。
2024年7月，晶圓代工大廠GlobalFoundries宣布收購Tagore Technology的功率GaN技術(shù)及知識產(chǎn)權(quán)組合。資料顯示，Tagore Technology成立于2011年1月，專注開發(fā)用于射頻(RF)和電源管理應用的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)半導體技術(shù)。根據(jù)收購協(xié)議，一支來自Tagore致力于開發(fā)GaN技術(shù)且經(jīng)驗豐富的工程師團隊將加入GlobalFoundries。GlobalFoundries首席商務官Niels Anderskouv表示：“通過此次收購，GlobalFoundries向加速GaN的普及邁出了又一步，并能幫助我們的客戶構(gòu)建下一代電源管理解決方案，這些方案將重塑移動性、連接性和智能化的未來?！?/p>
一筆筆并購傳遞出一個信號：GaN行業(yè)的IDM模式將會成為未來趨勢。譬如，并購方英飛凌、瑞薩電子都是IDM企業(yè)，而代工模式的Power Integrations通過收購IDM Odyssey Semiconductor擁有了氮化鎵晶圓廠。
而在國內(nèi)，中國氮化鎵企業(yè)開始不斷完善自身氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈，力圖完成從襯底到外延到功率器件、射頻器件、光電器件的全覆蓋。
面對需求興起帶來的商機，GaN廠商顯然也在采取行動，通過各種技術(shù)路線抓住機會，滿足市場需求。譬如，三安光電、英諾賽科已實現(xiàn)了氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈的全覆蓋，而蘇州能訊、華潤微電子也開始向上游拓展。
面對AI、新能源汽車需求興起帶來的商機，國內(nèi)外GaN廠商對內(nèi)精進科研實力，布局各種技術(shù)路線抓住機會，對外上下兼并、補充自身實力，滿足市場需求。氮化鎵未來無疑將成為推動半導體行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量，中國企業(yè)能否借機走向全球，未來可期。
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