第三代半導(dǎo)體SiC動(dòng)態(tài)涌現(xiàn)！

近日，化合物半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)頻頻，國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式對(duì)外發(fā)布，并將于今年年末開始實(shí)施。另外晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備，多家碳化硅企業(yè)完成新一輪融資，多個(gè)碳化硅項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展。

8英寸企業(yè)集結(jié)，國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《碳化硅外延片》半年后實(shí)施

根據(jù)全國(guó)標(biāo)準(zhǔn)信息公共服務(wù)平臺(tái)官網(wǎng)消息，國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于2024年4月25日正式對(duì)外發(fā)布，并將于2024年11月1日開始實(shí)施。該標(biāo)準(zhǔn)的起草單位囊括了業(yè)內(nèi)多家具備8英寸碳化硅技術(shù)的企業(yè)，包括天岳先進(jìn)、爍科晶體、天科合達(dá)、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體、湖南三安半導(dǎo)體等。

對(duì)于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》的意義，2023年11月30日，中國(guó)電科指出，《碳化硅外延片》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)確定了碳化硅外延片的質(zhì)量技術(shù)細(xì)節(jié)，規(guī)范和統(tǒng)一了具體的技術(shù)性能項(xiàng)目和指標(biāo)。該標(biāo)準(zhǔn)及時(shí)填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的空白，對(duì)碳化硅外延片生產(chǎn)工藝、質(zhì)量控制、采購(gòu)及銷售管理都有重要的指導(dǎo)作用。

晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備

近日，晶升股份液相法SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備研究取得新進(jìn)展，已成功研發(fā)出液相法SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備并提供給了多家客戶，將會(huì)繼續(xù)配合客戶不斷進(jìn)行設(shè)備的優(yōu)化和改進(jìn)工作。

目前， PVT生長(zhǎng)工藝是國(guó)內(nèi)廠商生長(zhǎng)SiC晶體的主流方法，液相法生長(zhǎng)技術(shù)則處于研究和開發(fā)階段。關(guān)于液相法SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備，晶升股份提前開展了相關(guān)布局并已經(jīng)在2023年提供樣機(jī)給多家客戶，隨后晶升股份協(xié)同客戶不斷進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn)，進(jìn)一步提升晶體的品質(zhì)與良率。

此前，晶升股份8英寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量出貨,其中包含PVT感應(yīng)加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產(chǎn)品，下游應(yīng)用完整覆蓋主流導(dǎo)電型/半絕緣型SiC晶體生長(zhǎng)及襯底制備。

2023年，晶升股份業(yè)績(jī)表現(xiàn)良好，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.06億元，同比增長(zhǎng)82.70%；歸母凈利潤(rùn)0.71億元，同比增長(zhǎng)105.63%；歸母扣非凈利潤(rùn)0.42億元，同比增長(zhǎng)86.64%。

北一半導(dǎo)體完成B+輪融資

5月8日，北一半導(dǎo)體官微宣布，他們成功完成了B+輪融資。目前由上海吾同私募基金管理有限公司領(lǐng)投的1億元資金已經(jīng)到位，另有5000萬元投資金額在結(jié)尾工作中，預(yù)計(jì)本輪融資總額將達(dá)到1.5億元。

消息顯示，該輪融資資金主要用于北一半導(dǎo)體SiC MOSFET技術(shù)的進(jìn)一步研發(fā)，以及產(chǎn)線的升級(jí)與擴(kuò)建。一方面，通過加大研發(fā)投入，加快技術(shù)創(chuàng)新的步伐，提升SiC MOS的性能指標(biāo)和生產(chǎn)效率；另一方面，通過產(chǎn)線的升級(jí)與擴(kuò)建，提高生產(chǎn)規(guī)模，滿足市場(chǎng)需求，推動(dòng)SiC MOS的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

天眼查顯示，北一半導(dǎo)體成立于2017年，專注于Si基、SiC基功率半導(dǎo)體芯片及模塊研發(fā)、模塊生產(chǎn)、銷售。此前，北一半導(dǎo)體已完成兩輪融資，其中B輪融資金額也超1.5億元，融資資金主要用于加速公司產(chǎn)線擴(kuò)建、產(chǎn)品研發(fā)、團(tuán)隊(duì)擴(kuò)建以及市場(chǎng)拓展等。

昕感科技再添戰(zhàn)略股東，6英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目今年投產(chǎn)

5月11日，昕感科技官宣完成京能集團(tuán)旗下北京京能能源科技并購(gòu)?fù)顿Y基金戰(zhàn)略入股。

據(jù)悉，昕感科技聚焦于第三代半導(dǎo)體SiC功率器件和功率模塊的技術(shù)突破創(chuàng)新與產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)。昕感科技SiC MOSFET累計(jì)出貨客戶百余家，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

昕感科技官方消息指出，公司是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多可進(jìn)行6英寸晶圓特色工藝生產(chǎn)的IDM廠商。昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺(tái)上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對(duì)標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。

今年1月30日，昕感科技6英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目封頂活動(dòng)在江蘇江陰高新區(qū)舉行。該項(xiàng)目自2023年8月8日啟動(dòng)，總計(jì)投資超10億元。據(jù)人民網(wǎng)4月29日?qǐng)?bào)道，江蘇昕感科技有限責(zé)任公司6英寸功率半導(dǎo)體制造基地近日進(jìn)入采購(gòu)設(shè)備和調(diào)試階段。這片廠房的主體結(jié)構(gòu)已于今年初全面封頂，計(jì)劃年底前正式投產(chǎn)。

季華恒一完成A輪融資

5月12日，季華恒一（佛山）半導(dǎo)體科技有限公司宣布，他們于近日完成了A輪融資。本次投資由優(yōu)山資本領(lǐng)投，季華璀璨（佛山）投資有限公司跟投。

公開資料顯示，季華恒一脫胎國(guó)內(nèi)知名的科研機(jī)構(gòu)季華實(shí)驗(yàn)室，成立于2021年6月，公司專注于寬禁帶半導(dǎo)體和新能源領(lǐng)域的半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化，著力于開發(fā)滿足高良率、穩(wěn)定生產(chǎn)需求的SiC高溫外延生長(zhǎng)系統(tǒng)等等。

值得一提的是，去年5月，季華恒一自主研發(fā)的高溫離子注入設(shè)備交付客戶，可兼容4至8英寸碳化硅晶片的離子注入工藝；同年12月碳化硅激光退火設(shè)備再次交付新訂單。

明年7月將投產(chǎn)，長(zhǎng)飛先進(jìn)200億元武漢基地首棟建筑封頂

據(jù)中國(guó)光谷5月10日消息，日前，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目首棟宿舍樓提前封頂。這標(biāo)志著，該項(xiàng)目進(jìn)入投產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，預(yù)計(jì)于今年6月全面封頂，明年7月投產(chǎn)。

消息稱，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目位于武漢新城中心片區(qū)，由長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體（武漢）有限公司出資建設(shè)，總投資預(yù)計(jì)超過200億元。項(xiàng)目主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，應(yīng)用范圍廣泛覆蓋新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、充電樁、電力電網(wǎng)等領(lǐng)域，致力于打造全智能化的碳化硅器件制造標(biāo)桿工廠。項(xiàng)目建成后，將成為國(guó)內(nèi)最大的碳化硅功率半導(dǎo)體制造基地。

該項(xiàng)目由中建一局承建，占地面積約22.94萬平方米，建筑面積約30.15萬平方米，主要建設(shè)內(nèi)容包括芯片廠房、封裝廠房、外延廠房、動(dòng)力廠房、成品庫(kù)、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等，建設(shè)周期為578日歷天。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬個(gè)功率器件模塊。

江蘇天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目預(yù)計(jì)6月投產(chǎn)

據(jù)金龍湖發(fā)布消息，目前，江蘇天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目機(jī)電安裝工作已進(jìn)入后期收尾階段。

相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，后續(xù)重要工作將是吊頂完成，各系統(tǒng)的追位、調(diào)試，以及生產(chǎn)輔助用房建設(shè)和地面硬化等，力保6月前完成調(diào)試，6月3日順利竣工交付。

金龍湖發(fā)布消息顯示，天科合達(dá)二期項(xiàng)目作為省級(jí)重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，總投資8.3億元，建筑面積約5萬平方米，包括標(biāo)準(zhǔn)化廠房、?；瘞?kù)、固體庫(kù)等設(shè)施。計(jì)劃購(gòu)置安裝單晶生長(zhǎng)爐及配套設(shè)備合計(jì)647臺(tái)（套），新建碳化硅晶片襯底制備生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅襯底16萬片。此次二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目投產(chǎn)后，天科合達(dá)徐州基地碳化硅晶片年產(chǎn)能將達(dá)到23萬片、年產(chǎn)值10億元以上。

資料顯示，江蘇天科合達(dá)是北京天科合達(dá)全資子公司。北京天科合達(dá)是國(guó)內(nèi)首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底及相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。

三安半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目二期計(jì)劃Q3投產(chǎn)

5月9日，據(jù)湖南三安半導(dǎo)體消息，湖南三安半導(dǎo)體董事長(zhǎng)林志東近日作為中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)代表應(yīng)邀參加了中法企業(yè)家委員會(huì)第六次會(huì)議。

在法期間，林志東介紹了湖南三安SiC項(xiàng)目最新進(jìn)展。據(jù)介紹，位于湖南湘江新區(qū)的湖南三安半導(dǎo)體責(zé)任有限公司，2020年落戶長(zhǎng)沙，僅用一年時(shí)間就點(diǎn)火試產(chǎn)。目前，一期已經(jīng)全線投產(chǎn)，目前SiC年產(chǎn)能已達(dá)到25萬片（6英寸）。二期正在建設(shè)中，將全部導(dǎo)入8英寸生產(chǎn)設(shè)備和工藝，計(jì)劃今年三季度投產(chǎn)。整個(gè)項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)總計(jì)年產(chǎn)48萬片的規(guī)模。

據(jù)悉，該項(xiàng)目作為國(guó)內(nèi)首個(gè)、世界第三個(gè)SiC全產(chǎn)業(yè)鏈整合研發(fā)與制造項(xiàng)目，總投資160億元，規(guī)劃用地面積約1000畝，主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，以SiC、GaN等寬禁帶材料為主的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，業(yè)務(wù)涵蓋襯底材料、外延生長(zhǎng)、晶圓制造及封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)。該項(xiàng)目一期于2020年7月破土動(dòng)工，2021年6月23日正式投產(chǎn)，并于同年11月量產(chǎn)下線SiC SBD全系列產(chǎn)品。2022年7月，該項(xiàng)目二期工程開工。

產(chǎn)品方面，湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)應(yīng)用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品，已廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等領(lǐng)域并形成批量出貨，累計(jì)出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對(duì)新能源汽車主驅(qū)的1200V 16mΩ車規(guī)級(jí)產(chǎn)品，目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進(jìn)行模塊驗(yàn)證；湖南三安還推出了針對(duì)光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點(diǎn)客戶批量導(dǎo)入。

此外，湖南三安今年4月在第十八屆北京國(guó)際車展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，這款產(chǎn)品是湖南三安目前1200V電壓平臺(tái)最小導(dǎo)通電阻、最大額定電流產(chǎn)品。

合作方面，湖南三安與維諦技術(shù)于3月28日宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，雙方將共同推動(dòng)數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域的創(chuàng)新與發(fā)展?；诖?，湖南三安SiC業(yè)務(wù)有望向數(shù)據(jù)中心、通信等領(lǐng)域加速滲透。

河南中宜創(chuàng)芯500噸碳化硅半導(dǎo)體粉體生產(chǎn)線成功達(dá)產(chǎn)

近日，河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中宜創(chuàng)芯”）SiC半導(dǎo)體粉體500噸生產(chǎn)線成功達(dá)產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達(dá)到99.99999%，已在國(guó)內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)開展試用和驗(yàn)證。

資料顯示，中宜創(chuàng)芯成立于2023年5月24日，由中國(guó)平煤神馬控股集團(tuán)和平頂山發(fā)展投資集團(tuán)共同出資設(shè)立，總投資20億元，分期建設(shè)年產(chǎn)2000噸碳化硅半導(dǎo)體粉體生產(chǎn)線。項(xiàng)目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設(shè)，9月20日項(xiàng)目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，

據(jù)悉，2023年國(guó)慶期間，經(jīng)權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測(cè)，中宜創(chuàng)芯首爐SiC粉體產(chǎn)品純度為99.99996%，達(dá)到國(guó)內(nèi)優(yōu)等品標(biāo)準(zhǔn)。10月17日該項(xiàng)目一期試生產(chǎn)結(jié)束，第一批設(shè)備全部投料完成，標(biāo)志著中宜創(chuàng)芯SiC粉體開始進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。歷時(shí)三個(gè)月，該項(xiàng)目一期從開工進(jìn)入到試生產(chǎn)階段，再經(jīng)過半年時(shí)間，項(xiàng)目又完成從試產(chǎn)到達(dá)產(chǎn)轉(zhuǎn)變，在建設(shè)進(jìn)度方面進(jìn)展較快。與此同時(shí)，SiC粉體產(chǎn)品純度不斷提升，已由99.99996%進(jìn)一步提高到99.99999%。

目前，中宜創(chuàng)芯SiC粉體產(chǎn)品正在被國(guó)內(nèi)多家企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)試用和驗(yàn)證，在一定程度上顯示了該產(chǎn)品市場(chǎng)認(rèn)可度較高，也為中宜創(chuàng)芯SiC粉體后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目順利進(jìn)行起到了一定的推動(dòng)作用。

此外，技術(shù)研發(fā)方面，中宜創(chuàng)芯已與浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心簽訂合作框架協(xié)議發(fā)揮雙方優(yōu)勢(shì)，共同開展碳化硅半導(dǎo)體粉體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定、科技創(chuàng)新、成果轉(zhuǎn)化、平臺(tái)建設(shè)、人才培養(yǎng)等方面的合作，努力創(chuàng)造出更多成果。

年產(chǎn)40萬片國(guó)內(nèi)碳化硅襯底擴(kuò)產(chǎn)

在電動(dòng)汽車、可再生能源和工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用的推動(dòng)下，碳化硅的市場(chǎng)需求量不斷增加。而在碳化硅的主要成本中，襯底環(huán)節(jié)成本大于外延環(huán)節(jié)和制備環(huán)節(jié)等。從成本與市場(chǎng)的角度來看，碳化硅襯底成本降低40%，碳化硅市場(chǎng)規(guī)模將提升4倍。從供給與需求側(cè)來看，2025年全球襯底需求量將超過300W片，而2022年全球碳化硅襯底產(chǎn)能僅為60~80萬片，產(chǎn)能缺口達(dá)5倍左右，國(guó)內(nèi)外企業(yè)等紛紛著力擴(kuò)產(chǎn)。

近日，江西罡豐科技有限公司公示了其年產(chǎn)40萬片第三代半導(dǎo)體襯底外延建設(shè)項(xiàng)目（一期）的相關(guān)內(nèi)容，該項(xiàng)目的主要建設(shè)內(nèi)容包括碳化硅半導(dǎo)體襯底生產(chǎn)線的建設(shè)以及相關(guān)配套廠房設(shè)施的完善。項(xiàng)目一期工程預(yù)計(jì)建成后將具備年產(chǎn)40萬片第三代半導(dǎo)體襯底外延的能力。

江西罡豐科技有限公司表示，此次投資是為了滿足市場(chǎng)對(duì)高性能半導(dǎo)體襯底材料的需求，同時(shí)也將推動(dòng)公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。該項(xiàng)目的實(shí)施，不僅將提升公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力，還將為我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的活力。

10億！源芯微電子年產(chǎn)20億只車規(guī)級(jí)芯片智造項(xiàng)目簽約

5月9日，“南太湖發(fā)布”官微披露，浙江湖州南太湖新區(qū)管理委員會(huì)和安徽源芯微電子有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱源芯微電子）舉行源芯微電子年產(chǎn)20億只車規(guī)級(jí)芯片智造項(xiàng)目簽約儀式。

據(jù)悉，此次簽約落地的年產(chǎn)20億只車規(guī)級(jí)芯片智造基地和SiC車規(guī)級(jí)芯片研究院項(xiàng)目總投資10億元，分兩期建設(shè)，全部達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值約18億元。

源芯微電子從事高端半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)研發(fā)、封裝測(cè)試、成品銷售，其主要產(chǎn)品是半導(dǎo)體集成電路芯片，廣泛應(yīng)用于家電、PC/手機(jī)平板、無線快充、移動(dòng)電源充電樁、智能家居、穿戴設(shè)備、綠色照明、健康醫(yī)療等行業(yè)及新能源等領(lǐng)域。

近年來，源芯微電子持續(xù)加大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。2021年12月，蕪湖高新區(qū)（弋江區(qū)）舉行重大項(xiàng)目集中簽約、開工活動(dòng)，其中就包括源芯微電子先進(jìn)功率半導(dǎo)體基地項(xiàng)目。

據(jù)報(bào)道，源芯微電子先進(jìn)功率半導(dǎo)體基地項(xiàng)目總投資10億元，專注于半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能將達(dá)到100億只功率器件、IC芯片。

2021年10月，源芯微電子完成A輪融資，投資方包括錫創(chuàng)投、金投致源、弋江區(qū)政府投資基金。