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DDR5

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DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。目前還沒有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)，AMD預(yù)計(jì)會(huì)在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會(huì)上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費(fèi)級(jí)的估計(jì)還要再等等。

DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。目前還沒有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)，AMD預(yù)計(jì)會(huì)在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會(huì)上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費(fèi)級(jí)的估計(jì)還要再等等。收起

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    買方優(yōu)先去庫(kù)存，2024年第四季度存儲(chǔ)器價(jià)格漲幅放緩
    2024年第三季之前，消費(fèi)型產(chǎn)品終端需求依然疲軟，由AI 服務(wù)器支撐起存儲(chǔ)器主要需求，加上HBM排擠現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品產(chǎn)能，供應(yīng)商對(duì)合約價(jià)格漲幅保持一定的堅(jiān)持。然而，近期雖有服務(wù)器OEM維持拉貨動(dòng)能，但智能手機(jī)品牌仍在觀望，TrendForce集邦咨詢預(yù)估第四季存儲(chǔ)器均價(jià)漲幅將大幅縮減，其中，一般型DRAM (Conventional DRAM)漲幅為0%至5%之間，但由于HBM比重逐漸提高，DRA
  • 科摩思DDR5內(nèi)存新突破?豎立內(nèi)存時(shí)序新標(biāo)桿！
    科摩思DDR5內(nèi)存新突破?豎立內(nèi)存時(shí)序新標(biāo)桿！
    深圳超盈智能科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“超盈”）自2011年成立以來，13年的時(shí)間里一直專注于存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域。憑借敏銳的市場(chǎng)洞察和不懈的技術(shù)追求，于2013年成功研發(fā)出行業(yè)首款嵌入式測(cè)試系統(tǒng)并投入使用，正式邁入存儲(chǔ)顆粒測(cè)試領(lǐng)域，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金融、教育、智能手機(jī)、智能穿戴、智能監(jiān)控、平板電腦、智能車載、機(jī)器人、無人機(jī)及工業(yè)類電子等領(lǐng)域。 匠心筑夢(mèng)，品質(zhì)為先。超盈為打造高品質(zhì)、強(qiáng)穩(wěn)定性的存儲(chǔ)解決方案，以k
  • Rambus推出DDR5客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器，將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品擴(kuò)展到高性能 PC領(lǐng)域
    作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布推出適用于下一代高性能臺(tái)式電腦和筆記本電腦的DDR5客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD）。Rambus DDR5 CKD和SPD Hub是全新客戶端內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品的一部分，將最新的服務(wù)器技術(shù)進(jìn)步帶到了客戶端市場(chǎng)。Rambus DDR5 CKD充分利用公司30多年的內(nèi)存系統(tǒng)專業(yè)知識(shí)，使新的客戶端 DIMM（CSODIMM 和 CUDIMM）能夠以高達(dá)7200 MT/s的先進(jìn)數(shù)據(jù)傳輸速率運(yùn)行，并為下一代 PC帶來空前的性能。
  • 研華全新搭載Intel 12th Atom 系列嵌入式單板隆重上市
    研華全新搭載Intel 12th Atom 系列嵌入式單板隆重上市
    研華隆重推出兩款由Intel Atom x7000E系列、N系列和Core i3 N系列處理器驅(qū)動(dòng)的新型單板電腦MIO-5154（3.5英寸規(guī)范）和MIO-2364（Pico-ITX規(guī)范）。這些新處理器（代號(hào)：Alder Lake-N）相較于先前的版本性能提升明顯，包括1.4倍單線程性能提升、1.2倍多線程性能提升、2倍圖形性能提升，以及驚人的3.5倍AI推理能力提升。該平臺(tái)提供豐富的配置選項(xiàng)，從
  • AI 2.0時(shí)代，服務(wù)器DDR5底層架構(gòu)迎來變革
    DDR5 內(nèi)存模塊是第一個(gè)在內(nèi)存模塊上集成PMIC的主要內(nèi)存類型，未來，隨著對(duì)更高性能和電源效率的需求不斷增長(zhǎng)，可能會(huì)定義新型內(nèi)存模塊。而且，這些模塊很有可能繼續(xù)在模塊上集成 PMIC，以進(jìn)一步優(yōu)化電源管理并提高整體系統(tǒng)性能。
  • 全新DDR5內(nèi)存架構(gòu)滿足AI時(shí)代存儲(chǔ)需求
    全新DDR5內(nèi)存架構(gòu)滿足AI時(shí)代存儲(chǔ)需求
    尤其隨著AI技術(shù)的發(fā)展，對(duì)于應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心中的DDR存儲(chǔ)器提出了新的要求。Rambus產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁John Eble表示：“目前，隨著基于大語言模型（LLM）生成式AI技術(shù)的不斷發(fā)展，它的功能也變得越來越強(qiáng)大，需要實(shí)現(xiàn)多模態(tài)輸入和輸出等功能，如給AI提供一段文字作為指令，AI產(chǎn)出的內(nèi)容可能是一張圖片；或者所輸入的指令是包含了圖片和文字的組合，而AI能夠提供的是一張有改進(jìn)的圖片；也有可能輸入的時(shí)是多張圖片和一段文字，而AI能夠產(chǎn)出一段視頻，所以當(dāng)這種多模態(tài)的輸入輸出功能被實(shí)現(xiàn)以后，生成式AI將有著無限的可能性。”
    1468
    07/02 15:33
  • 服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價(jià)格第三季漲幅達(dá)8-13%
    服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價(jià)格第三季漲幅達(dá)8-13%
    根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價(jià)格漲幅達(dá)8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。 TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補(bǔ)庫(kù)存意愿漸趨保守，供應(yīng)商及
  • Rambus 通過 DDR5 服務(wù)器 PMIC 擴(kuò)展適用于高級(jí)數(shù)據(jù)中心內(nèi)存模塊的芯片組
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    作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布推出最先進(jìn)的全新DDR5 服務(wù)器電源管理IC（PMIC）系列，包含適用于高性能應(yīng)用的業(yè)界領(lǐng)先超高電流電源器件。憑借這一全新服務(wù)器 PMIC 系列，Rambus為模塊制造商提供了完整的DDR5 RDIMM 內(nèi)存接口芯片組，支持廣泛的數(shù)據(jù)中心用例。 Rambus 首席運(yùn)營(yíng)官范賢
  • AI服務(wù)器中的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5芯片有何不同？
    AI服務(wù)器中的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5芯片有何不同？
    某服務(wù)器廠商小姐姐來信，想了解高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5芯片在速率、帶寬和芯片密度等方面的具體區(qū)別。老虎說芯馬上安排：
    4804
    06/18 14:58
  • 供應(yīng)商欲積極拉高合約價(jià)，然需求能見度仍不佳，預(yù)估第二季DRAM價(jià)格漲幅將收斂至3~8%
    供應(yīng)商欲積極拉高合約價(jià)，然需求能見度仍不佳，預(yù)估第二季DRAM價(jià)格漲幅將收斂至3~8%
    目前觀察DRAM供應(yīng)商庫(kù)存雖已降低，但尚未回到健康水位，且在虧損狀況逐漸改善的情況下，進(jìn)一步提高產(chǎn)能利用率。不過，由于今年整體需求展望不佳，加上去年第四季起供應(yīng)商已大幅度漲價(jià)，預(yù)期庫(kù)存回補(bǔ)動(dòng)能將逐漸走弱。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)估， 第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將收斂至3~8%。 PC DRAM方面，順應(yīng)新CPU機(jī)種逐漸轉(zhuǎn)往DDR5的趨勢(shì)，買方第二季采購(gòu)量上升。隨著原廠大幅轉(zhuǎn)進(jìn)至先進(jìn)制程
  • 內(nèi)存芯片的瘋狂或?qū)⒃?024年重演
    內(nèi)存芯片的瘋狂或?qū)⒃?024年重演
    糟糕的2023年已經(jīng)過去，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正在醞釀一場(chǎng)新的爆發(fā)。據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì)，2023年第四季度，全球DRAM（內(nèi)存）和NAND閃存的價(jià)格約上漲 3%~8%。相對(duì)于PC市場(chǎng)而言，服務(wù)器DRAM市場(chǎng)對(duì)增長(zhǎng)起到更大作用。2024年，隨著運(yùn)算速度的提升，DRAM和NAND閃存在各類AI應(yīng)用，如智能手機(jī)、服務(wù)器、筆電的單機(jī)平均搭載容量都會(huì)增長(zhǎng)，其中，服務(wù)器應(yīng)用的增長(zhǎng)幅度最高。
  • SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”
    SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”
    最近，SK海力士披露了亮眼的第四季度財(cái)報(bào)，2023年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)3460億韓元（約合2.6億美元），而上年同期營(yíng)業(yè)虧損1.91萬億韓元。這意味著，SK海力士成功擺脫了從2022年第四季度以來一直持續(xù)的營(yíng)業(yè)虧損情況。
  • 三家存儲(chǔ)大廠業(yè)績(jī)復(fù)蘇
    三家存儲(chǔ)大廠業(yè)績(jī)復(fù)蘇
    2024年一月結(jié)束之際，三星電子公布2023年第四季度（截至2023年12月31日）財(cái)報(bào)，此前美光、SK海力士已經(jīng)公布最新財(cái)報(bào)。在經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、消費(fèi)電子市場(chǎng)需求低迷影響下，存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格連跌數(shù)個(gè)季度，直到2023年第四季度存儲(chǔ)器市況迎來反彈，存儲(chǔ)廠商也迎來了業(yè)績(jī)復(fù)蘇。
  • DDR5測(cè)試技術(shù)更新漫談
    DDR5測(cè)試技術(shù)更新漫談
    DDR SDRAM，是一種雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)里最重要的核心部件之一，應(yīng)用十分廣泛。從消費(fèi)類電子到商業(yè)工業(yè)類設(shè)備，從終端產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心，用于CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)處理運(yùn)算的緩存。近20多年來，經(jīng)歷了從SDRAM發(fā)展到DDR RAM，又從DDR發(fā)展到目前的DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步，極大地推動(dòng)了計(jì)算性能的提升。
  • 美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內(nèi)存
    Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于 32Gb 單裸片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存，具有高達(dá) 8,000 MT/s 速率的一流性能[1]，可支持當(dāng)前及未來的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。該款大容量、高速率內(nèi)存模塊特別針對(duì)數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用，例如人工智能 (AI)、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù) (IMDB) 以及需要對(duì)多線程、多核通用計(jì)算工作負(fù)載進(jìn)行高效處理的場(chǎng)景，滿足它們對(duì)于性能和數(shù)據(jù)處理的需求。
  • 存儲(chǔ)器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞
    存儲(chǔ)器大廠積極布局，DDR5與HBM受青睞
    今年以來，ChatGPT持續(xù)推動(dòng)生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺(tái)不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場(chǎng)青睞，存儲(chǔ)器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。
  • 高效邊緣計(jì)算解決方案：研華工業(yè)內(nèi)存 SQRAM DDR5 5600 系列
    高效邊緣計(jì)算解決方案：研華工業(yè)內(nèi)存 SQRAM DDR5 5600 系列
    研華推出 SQRAM DDR5 5600 系列工業(yè)內(nèi)存。該系列緊跟計(jì)算機(jī)內(nèi)存全新風(fēng)潮，支持DDR5，數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)5600MT/s。SQRAM 5600 系列的速度快如閃電，帶寬從 8GB 到 48GB 甚至更高，數(shù)據(jù)傳輸速率驚人，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。此外，它還經(jīng)過嚴(yán)格的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試，支持 -40 ~ 95 °C 的寬溫工作范圍，以確保產(chǎn)品運(yùn)行過程穩(wěn)定可靠。這些特性使 SQRAM DDR5 5600 系列成為多任務(wù)和數(shù)據(jù)密集型系統(tǒng)，如高端醫(yī)學(xué)成像、AI和機(jī)器學(xué)習(xí)以及邊緣服務(wù)器系統(tǒng)的理想選擇。
  • ddr4x和ddr5的區(qū)別大不大
    內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中至關(guān)重要的組成部分，影響著系統(tǒng)性能和穩(wěn)定性。在內(nèi)存領(lǐng)域，DDR（雙倍數(shù)據(jù)率）標(biāo)準(zhǔn)一直是主流。本文將探討DDR4X和DDR5這兩種主要的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之間的區(qū)別，包括數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗、容量和特征等方面。

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