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近日，山東、浙江及中國臺灣地區(qū)共新增了4個GaN相關(guān)項(xiàng)目，10月18日，據(jù)“投資濟(jì)南”官微消息，濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對接會于17日在歷城區(qū)國家超級計(jì)算濟(jì)南中心舉辦，會上簽約了一個GaN單晶項(xiàng)目。

行家說三代半

261

21小時前

GaN 氮化鎵

這家GaN突破3300V！投資15億建3條芯片線

近日，一家GaN企業(yè)宣布了其在高壓氮化鎵功率器件領(lǐng)域的突破，電壓等級達(dá)3300V——10月18日，據(jù)“泰克科技”官微消息，近日，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并送往泰克科技進(jìn)行了測試。

行家說三代半

307

10/21 11:50

GaN 氮化鎵

碳化硅/氮化鎵：排隊(duì)“上車”

碳化硅和氮化鎵在汽車產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用，似乎正在“漸入佳境”。其中，碳化硅功率器件加速“上車”趨勢已十分明朗，近年來，越來越多的新能源新車型導(dǎo)入了碳化硅技術(shù)，而在近期，星途品牌全新純電SUV星紀(jì)元STERRAES、第二代AION V埃安霸王龍、鴻蒙智行首款豪華旗艦轎車享界S9、2025款海豹、2025款極氪007、嵐圖汽車旗下嵐圖知音SUV等搭載碳化硅的新車型密集發(fā)布，碳化硅和新能源汽車組“CP”已蔚然成風(fēng)。

化合物半導(dǎo)體市場

360

10/21 12:15

碳化硅氮化鎵

【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室】遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件

氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費(fèi)電子領(lǐng)域內(nèi)競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們在更廣泛市場應(yīng)用中的潛力。遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最近發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了詳盡的測試，這些測試結(jié)果為我們提供了對遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件性能的全面

與非網(wǎng)編輯

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10/16 09:30

氮化鎵功率器件

“鑫威源”實(shí)現(xiàn)高性能氮化鎵激光芯片研制及產(chǎn)線通線試產(chǎn)

據(jù)了解，2024年9月，武漢鑫威源電子科技有限公司內(nèi)部傳來喜訊，該企業(yè)在高性能氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破，同時氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線順利完成通線試產(chǎn)。武漢鑫威源是一家專注于氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片的設(shè)計(jì)、開發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，致力于推動國產(chǎn)氮化鎵半導(dǎo)體激光器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。在江夏區(qū)政府及相關(guān)部門的大力支持下，鑫威源公司完成了廠房建設(shè)。廠房位于江夏經(jīng)開區(qū)大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園，于2

電子科技世界

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10/10 07:02

半導(dǎo)體氮化鎵

總投資超36億，新增6個GaN項(xiàng)目

氮化鎵行業(yè)最近很是熱鬧，英飛凌宣布實(shí)現(xiàn)了12吋晶圓突破；近日，國內(nèi)外多家GaN也傳來了項(xiàng)目、研發(fā)等新動態(tài)：●?冠鼎半導(dǎo)體：投資1.055億人民幣，推進(jìn)第三代氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新建項(xiàng)目?！?華通芯電：旗下封裝產(chǎn)線正式通線，專注于氮化鎵射頻功率器件模組的封裝與測試?！?新鎵能半導(dǎo)體：氮化鎵功率芯片項(xiàng)目簽約落戶無錫惠山。

行家說三代半

1538

09/18 10:48

GaN 氮化鎵

揭秘氮化鎵快充黑科技 ——淺析光耦與氮化鎵快充技術(shù)的創(chuàng)新融合

隨著移動設(shè)備的普及和電動汽車的崛起，人們對于充電速度的需求越來越迫切。在這個背景下，氮化鎵（GaN）快充技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為滿足這一需求的創(chuàng)新解決方案。氮化鎵快充技術(shù)主要通過將氮化鎵功率器件應(yīng)用于充電器、電源適配器等充電設(shè)備中，以提高充電效率和充電速度。具體來說，氮化鎵功率器件可以實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率，從而減少能量損耗，同時也能夠支持更高的充電功率輸出，使得充電速度得以顯著提升。光耦與氮化鎵快

晶臺光耦

664

09/18 08:25

快充氮化鎵

12英寸氮化鎵，新輔助？

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。

全球半導(dǎo)體觀察

1674

09/11 15:26

GaN 氮化鎵

200億芯片獨(dú)角獸，闖關(guān)IPO有多難？

又一個芯片明星獨(dú)角獸奔赴IPO了。近日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）向港交所遞交招股書，擬主板IPO上市，中金公司、招銀國際為其聯(lián)席保薦人。

芯潮IC

1114

08/29 10:45

氮化鎵 IPO

?AI服務(wù)器、人形機(jī)器人等引燃，氮化鎵打響“翻身仗”！

從歡呼聲到質(zhì)疑聲，GaN（氮化鎵）近幾年在功率半導(dǎo)體市場并非一路坦途，中間呈現(xiàn)出些許“雷聲大雨點(diǎn)小”的態(tài)勢，但GaN巨大的應(yīng)用潛力一直毋庸置疑，用心挖掘其技術(shù)潛能并認(rèn)真耕耘市場的企業(yè)深知，GaN只是還沒到綻放的時機(jī)。

化合物半導(dǎo)體市場

1978

08/20 08:53

數(shù)據(jù)中心 GaN

什么是三代半？為什么大家都在聊這個

在現(xiàn)代科技迅速發(fā)展的背景下，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動全球經(jīng)濟(jì)和科技進(jìn)步的核心力量。自從上世紀(jì)四十年代第一顆晶體管的誕生以來，半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了翻天覆地的變化，從硅基元件到今天的復(fù)雜集成電路，每一次技術(shù)革新都極大推動了信息技術(shù)、消費(fèi)電子、汽車、醫(yī)療等多個領(lǐng)域的革命。

DT半導(dǎo)體

1429

08/16 08:50

碳化硅氮化鎵

碳化硅/氮化鎵：“國家隊(duì)”已入場！

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力，已在新能源汽車、光儲充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出較高應(yīng)用價值，并具有較大的遠(yuǎn)景發(fā)展空間。

化合物半導(dǎo)體市場

1214

08/08 09:26

碳化硅氮化鎵

又一家氮化鎵廠商將上市，產(chǎn)業(yè)熱度再升溫！

布局資本市場一直以來都是企業(yè)進(jìn)一步擴(kuò)大規(guī)模和影響力的重要途徑之一，從融資到上市，企業(yè)可獲得的資金支持以及可利用的優(yōu)勢資源逐步提升。以SiC/GaN產(chǎn)業(yè)為例，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體觀察，今年以來超過10家相關(guān)企業(yè)推進(jìn)上市進(jìn)程、更新上市狀態(tài)或公布上市計(jì)劃。在GaN領(lǐng)域，繼英諾賽科、臺亞半導(dǎo)體子公司之后，近日又一家GaN相關(guān)廠商啟動了IPO計(jì)劃，進(jìn)一步反映了GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)的前景備受看好。

化合物半導(dǎo)體市場

1244

08/02 11:12

GaN 氮化鎵

羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇

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1085

08/01 08:37

氮化鎵羅姆

英飛凌對英諾賽科提起追加訴訟，并向美國國際貿(mào)易委員會起訴

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于2024年7月23日在美國加利福尼亞北區(qū)地方法院，對英諾賽科（珠海）科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關(guān)聯(lián)公司（以下簡稱：英諾賽科）在現(xiàn)有訴訟基礎(chǔ)上，追加了新的訴訟請求，指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項(xiàng)與氮化鎵（GaN）技術(shù)相關(guān)的專利。此外，英飛凌今日還向美國國際貿(mào)易委員會（USITC）起訴，就前述訴訟所涉的四項(xiàng)相同專利提出

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1824

07/29 07:11

英飛凌氮化鎵

英飛凌推出提升消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用性能的CoolGaN 700 V功率晶體管

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新CoolGaN?晶體管700 V G4產(chǎn)品系列。與市場上的其他氮化鎵（GaN）產(chǎn)品相比，該系列晶體管的輸入和輸出性能優(yōu)化了20%，從而提高效率，降低功率損耗，并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣特性與封裝的優(yōu)勢結(jié)合，它們能夠在消費(fèi)類充電器和筆記本適配器、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源

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07/11 09:47

英飛凌充電器

新增4起GaN合作，聚焦車載、光儲應(yīng)用

近期，氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域迎來了合作新浪潮，從微型逆變器到汽車電源解決方案，GaN技術(shù)以其高效率、小型化和成本效益等優(yōu)勢，正在成為推動電子行業(yè)創(chuàng)新的關(guān)鍵力量。

行家說三代半

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07/05 13:06

GaN 氮化鎵

GaN 晶體管可在反應(yīng)堆中存活五年！核電或?qū)锳I 未來提供動力！

2024年6月25日，美國能源部核能辦公室網(wǎng)站報(bào)道，橡樹嶺國家實(shí)驗(yàn)室（ORNL）研究發(fā)現(xiàn)，氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體能夠承受核反應(yīng)堆堆芯附近的高溫高輻射。這一發(fā)現(xiàn)可能促成在核反應(yīng)堆中使用無線傳感器，包括目前正在開發(fā)的先進(jìn)小型模塊化和微反應(yīng)堆設(shè)計(jì)。???

DT半導(dǎo)體

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07/04 11:20

AI GaN

CGD為電機(jī)控制帶來GaN優(yōu)勢