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存儲器

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存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)，兩者的功能有較大的區(qū)別，因此在描述上也有所不同。

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    新存儲器兼?zhèn)浯虚W存的讀取速度與EEPROM的字節(jié)級寫操作靈活性，實現(xiàn)真正的兩全其美 意法半導體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲技術的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫速度，為面臨極端尺寸和功率限制的應用場景提供了一個混合存儲器。 嵌入式系統(tǒng)需要支持日益復雜的先進功能，運行數(shù)據(jù)密集型的邊緣 AI 算法，意法半導體的新存儲器可以滿足嵌入式應用對存儲容量的日益增長的需求。例如，在耳背式助
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    之前我發(fā)布文章整理和分析了整個存儲器市場的宏觀數(shù)據(jù)及給出了個人對于2025年市場的預測（具體內容請參考以下鏈接）全球存儲器市場數(shù)據(jù)統(tǒng)計，順便聊聊我個人對行業(yè)趨勢預測吧
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    i.MX RT700系列提供了高性能、高集成度、先進功能和高能效的優(yōu)化組合，為支持智能AI的邊緣端設備賦能，例如可穿戴設備、消費電子醫(yī)療設備、智能家居設備和HMI設備。 在i.MX RT500和i.MX RT600跨界MCU的成功基礎上，恩智浦宣布推出i.MX RT700，超低功耗、集成多核和eIQ? Neutron神經(jīng)處理單元(NPU)。 新一代i.MX RT700系列組合了前兩個系列的優(yōu)勢，進
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    2024年第三季之前，消費型產(chǎn)品終端需求依然疲軟，由AI 服務器支撐起存儲器主要需求，加上HBM排擠現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品產(chǎn)能，供應商對合約價格漲幅保持一定的堅持。然而，近期雖有服務器OEM維持拉貨動能，但智能手機品牌仍在觀望，TrendForce集邦咨詢預估第四季存儲器均價漲幅將大幅縮減，其中，一般型DRAM (Conventional DRAM)漲幅為0%至5%之間，但由于HBM比重逐漸提高，DRA
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    AMD?憑借其?EPYC??嵌入式處理器不斷樹立行業(yè)標準，為網(wǎng)絡、存儲和工業(yè)應用提供卓越的性能、效率、連接與創(chuàng)新。今天，我們正以第四代?AMD EPYC?嵌入式?8004?系列處理器擴展這一領先地位。 AMD EPYC?嵌入式?8004?系列處理器專為計算密集型嵌入式系統(tǒng)所設計，可為高需求工作負載提供卓越性能，同時以緊湊的尺寸規(guī)格最大限度為空間和功率受限型應用提升能效。它還集成了一整套嵌入式功能，
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    國慶期間，SIA公布了全球8月份半導體器件市場數(shù)據(jù)：531.2億美金，環(huán)比增加3.51%，同比增加20.6%。再創(chuàng)歷史新高
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    近年來，智能手機的設計愈發(fā)注重輕薄便捷，不僅為器件的集成度設立了更高標準，也給許多新興功能的實現(xiàn)方式帶來了挑戰(zhàn)。以應用逐漸廣泛的無線充電為例，在不犧牲充電效率和用戶體驗的前提下，實現(xiàn)更加高效的集成方案，讓更多消費者接收，是整個行業(yè)努力的方向。 憑借在電源管理領域的深厚積累，南芯科技推出了多款高集成度的無線充電解決方案，助力客戶提升終端產(chǎn)品的無線充電效率。其中，單芯片無線電源收發(fā)器 SC9624 已
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    9月19日，韓國存儲芯片制造商SK海力士股價在首爾股市暴跌，領跌半導體同行。這源于華爾街大行摩根士丹利（大摩）的一份報道。大摩最新將SK海力士股票評級下調了兩檔，從“增持”下調為“減持”，并將目標股價從26萬韓元（約合200美元）下調至12萬韓元，理由是認為該公司的定價能力正在減弱。大摩指出，在全球存儲芯片生產(chǎn)商中，該股是目前最不受青睞的。同日，在首爾上市的其他半導體股也受到波及，例如韓美半導體下跌了8.2%，三星電子下跌了3.4%。
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    Mbist仿真初探
    Mbist 方法是目前大容量存儲器測試的主流技術，該技術利用芯片內部專門設計的BIST 電路進行自動化測試，能夠對嵌入式存儲器這種具有復雜電路結構的嵌入式模塊進行全面的測試。MBIST 電路將產(chǎn)生測試向量的電路模塊以及檢測測試結果的比較模塊都置于芯片的內部，在測試完成后，將測試的結果通過芯片的測試引腳送出到芯片的外部。
  • 美光HBM明年目標：倍增！
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    隨著美國存儲半導體公司美光成功開發(fā)出第5代高帶寬存儲器“HBM3E 12層”產(chǎn)品，存儲器企業(yè)之間的領導地位之爭預計將變得更加激烈。
  • 2024年上半年存儲器現(xiàn)貨市場調整，預計下半年價格將面臨壓力
    2024年上半年存儲器現(xiàn)貨市場調整，預計下半年價格將面臨壓力
    存儲器模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM（內存）庫存，到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而，消費電子需求未如預期回溫，如智能手機領域已出現(xiàn)整機庫存過高的情況，筆電市場也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場繼續(xù)萎縮。這種情況下，以消費產(chǎn)品為主的存儲器現(xiàn)貨價格開始走弱，第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價至八月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價的潛在趨勢。
  • Teledyne e2v的雙倍容量宇航級8GB DDR4存儲芯片，針對高可靠性的空間應用
    Teledyne e2v的雙倍容量宇航級8GB DDR4存儲芯片，針對高可靠性的空間應用
    這款超緊湊的彈性存儲芯片提高了SWaP，可用于通信、地球觀測、科學和邊緣計算衛(wèi)星等高級任務。 8 GB DDR4的工程樣片(EM)現(xiàn)可提供。飛行正片(FM)正在研發(fā)中，計劃2025年初發(fā)布。 2024年7月16日，Teledyne e2v宣布其8GB宇航級DDR4存儲器成功通過宇航級認證，可用作其空間邊緣計算解決方案的一部分。這標志著Teledyne e2v的DDR4初始質量認證已經(jīng)完成，包括所有
  • 預計2025年存儲器產(chǎn)業(yè)營收將因價格上漲和HBM、QLC技術的崛起而創(chuàng)新高
    預計2025年存儲器產(chǎn)業(yè)營收將因價格上漲和HBM、QLC技術的崛起而創(chuàng)新高
    受惠于位元需求成長、供需結構改善拉升價格，加上HBM(高帶寬內存)等高附加價值產(chǎn)品崛起，預估DRAM（內存）及NAND Flash（閃存）產(chǎn)業(yè)2024年營收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營收將持續(xù)維持成長，DRAM年增約51%、NAND Flash年增長則來到29%，營收將創(chuàng)歷史新高，并且推動資本支出回溫、帶動上游原料需求，只是存儲器買方成本壓力將隨之上升。 HBM興起推升DR
  • 英飛凌推出業(yè)界首款符合太空標準的并行接口1 Mb和2 Mb F-RAM，擴大其抗輻射存儲器產(chǎn)品組合
    英飛凌推出業(yè)界首款符合太空標準的并行接口1 Mb和2 Mb F-RAM，擴大其抗輻射存儲器產(chǎn)品組合
    太空應用是英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的一個重要領域。英飛凌的產(chǎn)品被用于衛(wèi)星、火星探測器儀器、太空望遠鏡等，即便在極端惡劣的條件下，這些應用也必須具備出色的可靠性。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌近日推出業(yè)界首款抗輻射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口鐵電RAM（F-RAM）非易失性存儲器。這款存儲器是英飛凌豐富存儲器產(chǎn)品組合中的
  • 全球芯片關鍵技術研究最新進展
    全球芯片關鍵技術研究最新進展
    在全球新一輪科技革命中，芯片產(chǎn)業(yè)不僅關乎著國家信息安全和科技地位，也是衡量一個國家現(xiàn)代化進程和綜合國力的指標之一，并被業(yè)界稱為全球最具戰(zhàn)略性價值的產(chǎn)品。供需市場瞬息萬變，面對全球半導體芯片產(chǎn)業(yè)鏈分工模式的大變局，具備自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈和供應鏈體系是全球各地區(qū)永不松懈的動力和目標，因此，突破芯片產(chǎn)業(yè)“卡脖子”技術瓶頸成為其破局必經(jīng)之道。
  • 2025年存儲產(chǎn)業(yè)進入上升循環(huán)？
    2025年存儲產(chǎn)業(yè)進入上升循環(huán)？
    存儲器市場價格上漲、供需平衡不斷改善之下，原廠業(yè)績持續(xù)攀升，普遍實現(xiàn)扭虧為盈。同時，存儲模組廠商業(yè)績也實現(xiàn)快速增長。AI強勁助力之下，存儲廠商樂觀看待未來市況，有廠商甚至直言：2025年存儲產(chǎn)業(yè)將是顯著上升循環(huán)年。

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