預(yù)計(jì)2025年存儲器產(chǎn)業(yè)營收將因價格上漲和HBM、QLC技術(shù)的崛起而創(chuàng)新高

受惠于位元需求成長、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價格，加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價值產(chǎn)品崛起，預(yù)估DRAM（內(nèi)存）及NAND Flash（閃存）產(chǎn)業(yè)2024年?duì)I收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營收將持續(xù)維持成長，DRAM年增約51%、NAND Flash年增長則來到29%，營收將創(chuàng)歷史新高，并且推動資本支出回溫、帶動上游原料需求，只是存儲器買方成本壓力將隨之上升。

HBM興起推升DRAM營收

TrendForce集邦咨詢估計(jì)，預(yù)估受惠于DRAM均價在2024年增加53%、2025年增加35%的條件下，進(jìn)一步推升2024年DRAM營收達(dá)907億美元、年增75%，2025年達(dá)1,365億美元、年增51%。

TrendForce集邦咨詢表示，4項(xiàng)驅(qū)動DRAM營收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM產(chǎn)品世代演進(jìn)、原廠資本支出限縮供給和服務(wù)器需求復(fù)蘇。相較一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也拉高產(chǎn)業(yè)平均價格。預(yù)估2024年HBM將貢獻(xiàn)DRAM位元出貨量5%、營收20%。

此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加價值產(chǎn)品的滲透同樣有助提高平均價格。TrendForce集邦咨詢估計(jì)，DDR5將分別貢獻(xiàn)2024、2025年Server DRAM位元出貨量40%、60-65%，LPDDR5/5X會貢獻(xiàn)2024、2025年Mobile DRAM（行動式內(nèi)存）位元出貨量50%和60%。

QLC大容量Enterprise SSD、UFS助益2025年NAND Flash營收創(chuàng)紀(jì)錄

TrendForce集邦咨詢估計(jì)，2024年NAND Flash營收將達(dá)674億美元、年增77%；2025年在大容量QLC（四層式存儲單元） Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤）崛起、智能手機(jī)采用QLC UFS（通用閃存存儲）、原廠資本支出限縮供給和服務(wù)器需求復(fù)蘇等4項(xiàng)因素帶動下，NAND Flash營收將達(dá)870億美元、年增29%。北美CSPs（云端服務(wù)業(yè)者）已開始在Inference AI Server（推理用人工智能服務(wù)器）大量采用QLC Enterprise SSD，尤其是大容量規(guī)格。TrendForce集邦咨詢預(yù)估，QLC將貢獻(xiàn)2024年NAND Flash位元出貨量20%，此比重2025年將再提升。在智能手機(jī)應(yīng)用，QLC預(yù)計(jì)逐步滲透UFS市場，部分中國智能手機(jī)業(yè)者預(yù)計(jì)于2024年第四季起采用QLC UFS方案，Apple（蘋果）則預(yù)計(jì)2026年開始導(dǎo)入至iPhone。

DRAM、NAND Flash營收攀高將影響產(chǎn)業(yè)生態(tài)

TrendForce集邦咨詢表示，存儲器產(chǎn)業(yè)營收創(chuàng)紀(jì)錄下，原廠將有足夠現(xiàn)金流加速投資。預(yù)估2025年DRAM、NAND Flash產(chǎn)業(yè)資本支出分別年增25%、10%，且有機(jī)會上修。此外，存儲器生產(chǎn)規(guī)模提升將帶動對硅晶圓、化學(xué)品等上游原料需求，但相反的，存儲器價格上漲將增加電子產(chǎn)品成本，ODM/OEM（原始設(shè)計(jì)制造商/原始設(shè)備制造商）業(yè)者較難完全將成本反映在零售價上，利潤將被壓縮，終端銷量也可能受到影響，導(dǎo)致需求下滑。