英飛凌推出業(yè)界首款符合太空標(biāo)準(zhǔn)的并行接口1 Mb和2 Mb F-RAM，擴(kuò)大其抗輻射存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合

太空應(yīng)用是英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的一個(gè)重要領(lǐng)域。英飛凌的產(chǎn)品被用于衛(wèi)星、火星探測(cè)器儀器、太空望遠(yuǎn)鏡等，即便在極端惡劣的條件下，這些應(yīng)用也必須具備出色的可靠性。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌近日推出業(yè)界首款抗輻射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口鐵電RAM（F-RAM）非易失性存儲(chǔ)器。這款存儲(chǔ)器是英飛凌豐富存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合中的新成員，其特點(diǎn)是具有出色的可靠性和耐用性，在85攝氏度條件下的數(shù)據(jù)保存期長(zhǎng)達(dá) 120 年，并且能以總線(xiàn)速度進(jìn)行隨機(jī)存取和全存儲(chǔ)器寫(xiě)入。

1 Mb F-RAM

2 Mb F-RAM

英飛凌F-RAM存儲(chǔ)器具有固有的抗輻射性能，該技術(shù)非常適合滿(mǎn)足太空應(yīng)用不斷發(fā)展的任務(wù)要求，而這些應(yīng)用歷來(lái)使用的是速度較慢、不太堅(jiān)固的EEPROM非易失性存儲(chǔ)器。與同類(lèi)產(chǎn)品相比，英飛凌產(chǎn)品的特點(diǎn)包括：更快的存儲(chǔ)器隨機(jī)存取速度；通過(guò)采用即時(shí)非易失性寫(xiě)入技術(shù)提高數(shù)據(jù)安全性；低功耗、極低的編程電壓（低至2V）以及20 mA最大工作電流。

英飛凌科技航空航天與國(guó)防業(yè)務(wù)副總裁兼研究員Helmut Puchner表示：“隨著越來(lái)越多的太空應(yīng)用被設(shè)計(jì)成在系統(tǒng)端處理數(shù)據(jù)，而不是通過(guò)遙測(cè)技術(shù)將數(shù)據(jù)傳輸到地面進(jìn)行處理，因此對(duì)高可靠性非易失性存儲(chǔ)器的需求會(huì)不斷增加，以配合太空級(jí)處理器與FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用。英飛凌于2022年在該市場(chǎng)推出了首款SPI F-RAM存儲(chǔ)器。此次推出并行接口存儲(chǔ)器體現(xiàn)了我們致力于為新一代太空需求提供一流的、高度可靠且靈活的解決方案?！?/p>

英飛凌抗輻射F-RAM存儲(chǔ)器的目標(biāo)應(yīng)用包括傳感器與儀器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄、適用于數(shù)據(jù)加密的安全密鑰存儲(chǔ)，以及啟動(dòng)代碼存儲(chǔ)等。除外太空應(yīng)用，這款存儲(chǔ)器還適用于航空電子等應(yīng)用的溫度要求（-55°C 至 125°C）。

與SPI版本一樣，英飛凌新推出的并行接口F-RAM存儲(chǔ)器通過(guò)其化學(xué)成分獲得了出色的非易失性存儲(chǔ)器特性，例如用原子態(tài)瞬時(shí)切換取代了EEPROM技術(shù)中的捕獲電荷至程序位。F-RAM本身不受軟錯(cuò)誤、磁場(chǎng)或輻射效應(yīng)影響，且無(wú)需軟件來(lái)管理頁(yè)面邊界。其接近無(wú)限的耐用性（1013個(gè)寫(xiě)入周期）意味著不需要損耗均衡。

該并行存儲(chǔ)器采用44引線(xiàn)陶瓷TSOP封裝并且通過(guò)QML-V認(rèn)證，具有出色的抗輻射性能：

• TID：>150 Krad（硅）
• SEL：>96 MeV·cm 2/mg @115°C
• SEU：免疫
• SEFI：<1.34 * 10-4 每日誤差/偏差（激活/待機(jī)）/免疫（睡眠模式）

供貨情況

抗輻射F-RAM非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合現(xiàn)已全面上市，包括2 Mb SPI存儲(chǔ)器以及1 Mb和2 Mb并行存儲(chǔ)器。