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光刻膠

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光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過(guò)程中,用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí),若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠,可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類。在光刻膠工藝過(guò)程中,涂層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來(lái),該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來(lái),而未曝光被溶解,該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同,又分為紫外光刻膠(包括紫外正、負(fù)性光刻膠)、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜,品種規(guī)格較多,在電子工業(yè)集成電路的制造中,對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要

光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過(guò)程中,用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí),若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠,可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類。在光刻膠工藝過(guò)程中,涂層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來(lái),該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來(lái),而未曝光被溶解,該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同,又分為紫外光刻膠(包括紫外正、負(fù)性光刻膠)、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜,品種規(guī)格較多,在電子工業(yè)集成電路的制造中,對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要收起

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    21小時(shí)前
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    新型顯示光刻膠亟待突破
    近日,中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)液晶分會(huì)常務(wù)副秘書(shū)長(zhǎng)胡春明表示,我國(guó)顯示面板行業(yè)發(fā)展迅速,相關(guān)的原材料大多已實(shí)現(xiàn)本地供應(yīng),但彩色/黑色光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率仍然非常低,新型顯示用光刻膠這個(gè)整體市場(chǎng)規(guī)模不足百億元的原材料卻緊扣著超萬(wàn)億元總投資的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
  • 勻膠轉(zhuǎn)速過(guò)大為什么會(huì)造成光刻膠條紋?
    學(xué)員問(wèn):勻膠后發(fā)現(xiàn)晶圓表面出現(xiàn)很多條紋,什么原因?qū)е碌??有什么解決思路?為什么會(huì)出現(xiàn)光刻膠條紋?光刻膠條紋的出現(xiàn)最根本原因是膠面的不平整,均勻性不好,有的部位膠比較厚有的部位膠比較薄,以條紋狀的形式分布。這種原因是由于勻膠的轉(zhuǎn)速過(guò)大導(dǎo)致的。
  • 這家瑞士零部件公司,為何能與國(guó)際半導(dǎo)體龍頭頻頻合作?
    這家瑞士零部件公司,為何能與國(guó)際半導(dǎo)體龍頭頻頻合作?
    大家好,這里是芯片揭秘,本期節(jié)目我們邀請(qǐng)到一家非常國(guó)際化的公司——SAWATEC,給大家?guī)?lái)他們最新的產(chǎn)品展示。坐在我身邊的是SAWATEC的董事長(zhǎng)兼CEO MARCELLO PICCIRLLO先生,和SAWATEC中國(guó)區(qū)總經(jīng)理宋春玲女士。
  • 正性光刻膠的曝光機(jī)理
    學(xué)員問(wèn):正膠在曝光后,曝光部分會(huì)被顯影液除去,未曝光部分會(huì)被保留,機(jī)理是什么?可以講一講嗎?光刻膠主要是由感光劑,樹(shù)脂,溶劑,添加劑(增塑劑、表面活性劑、光敏穩(wěn)定劑等)。樹(shù)脂是光刻膠的基本骨架,對(duì)光不敏感。溶劑主要包括PGMEA,EGMEAD等,用于稀釋光刻膠,調(diào)整其粘度。感光劑主要是對(duì)于光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。
  • 全球芯片關(guān)鍵技術(shù)研究最新進(jìn)展
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    在全球新一輪科技革命中,芯片產(chǎn)業(yè)不僅關(guān)乎著國(guó)家信息安全和科技地位,也是衡量一個(gè)國(guó)家現(xiàn)代化進(jìn)程和綜合國(guó)力的指標(biāo)之一,并被業(yè)界稱為全球最具戰(zhàn)略性價(jià)值的產(chǎn)品。供需市場(chǎng)瞬息萬(wàn)變,面對(duì)全球半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈分工模式的大變局,具備自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈和供應(yīng)鏈體系是全球各地區(qū)永不松懈的動(dòng)力和目標(biāo),因此,突破芯片產(chǎn)業(yè)“卡脖子”技術(shù)瓶頸成為其破局必經(jīng)之道。
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    學(xué)員問(wèn):想問(wèn)下腐蝕前的堅(jiān)膜是為了增加膠的附著性,那堅(jiān)膜后加一步“打膠”,這一步是什么作用,“打膠”該怎么“打”?
  • 日本光刻膠市場(chǎng)地位:是否真的堅(jiān)不可摧?
    日本光刻膠市場(chǎng)地位:是否真的堅(jiān)不可摧?
    近期,隨著全球半導(dǎo)體市場(chǎng)逐漸回暖,光刻膠作為半導(dǎo)體工藝中不可或缺的重要材料,其生產(chǎn)廠商的訂單也開(kāi)始增多,擴(kuò)大產(chǎn)能成了新風(fēng)向。例如,信越化學(xué)宣布,為了擴(kuò)大半導(dǎo)體光刻材料業(yè)務(wù),決定在日本群馬縣伊勢(shì)崎市新建其第四座生產(chǎn)工廠。東京應(yīng)化宣布在韓國(guó)京畿道平澤市新建工廠,作為其在韓國(guó)的光刻膠研發(fā)、生產(chǎn)和銷售基地。當(dāng)前,日本企業(yè)占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng)約70%到90%的份額,特別是在高端的ArF和EUV光刻膠領(lǐng)域,市場(chǎng)占有率甚至超過(guò)90%,光刻膠也成為了日本在全球半導(dǎo)體制造鏈中的絕對(duì)依仗。
  • 高NA EUV迎來(lái)制程的岔路口
    高NA EUV迎來(lái)制程的岔路口
    半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)正努力爭(zhēng)取進(jìn)入所謂的“埃時(shí)代”(Angstrom era)。在所謂的3nm工藝節(jié)點(diǎn)附近的節(jié)點(diǎn)上,以“埃”而不是以“納米”來(lái)命名技術(shù)節(jié)點(diǎn)成為了一種時(shí)尚,因此不是1.5nm,而是15埃。正是在這一點(diǎn)上,對(duì)晶圓上更精細(xì)圖案的要求超出了當(dāng)今EUV光刻系統(tǒng)和程序的能力。
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    04/23 10:40
  • 剛?cè)胄泄饪棠z行業(yè),需要掌握哪些知識(shí)?
    剛?cè)胄泄饪棠z行業(yè),需要掌握哪些知識(shí)?
    光刻工序的費(fèi)用占了芯片制程費(fèi)用的三分之一,其中光刻膠是光刻制程必不可少的材料。目前光刻膠的國(guó)產(chǎn)替代是一個(gè)機(jī)遇。光刻膠種類包括PCB 光刻膠、顯示用光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠。
  • 上海新陽(yáng)、容大感光等企業(yè)光刻膠最新動(dòng)態(tài)披露
    上海新陽(yáng)、容大感光等企業(yè)光刻膠最新動(dòng)態(tài)披露
    光刻膠是半導(dǎo)體制作的關(guān)鍵材料,被譽(yù)為電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)“皇冠上的明珠”。其能夠利用光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)過(guò)曝光、顯影等光刻工藝,將所需微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上。半導(dǎo)體光刻膠品種眾多,包括EUV光刻膠、ArF光刻膠、KrF光刻膠、I/G線光刻膠。
  • 為刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量
    為刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量
    介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升,制造工藝中刻蝕工藝波動(dòng)的影響將變得明顯。刻蝕終點(diǎn)探測(cè)用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒(méi)有剩余材料可供刻蝕。這類終點(diǎn)探測(cè)有助于最大限度地減少刻蝕速率波動(dòng)的影響。 刻蝕終點(diǎn)探測(cè)需要在刻蝕工藝中進(jìn)行傳感器和計(jì)量學(xué)測(cè)量。當(dāng)出現(xiàn)特定的傳感器測(cè)量結(jié)果或閾值時(shí),可指示刻蝕設(shè)備停止刻蝕操作。如
  • 存儲(chǔ)器、CIS、光刻膠之后,模擬芯片聞風(fēng)而“漲”?
    存儲(chǔ)器、CIS、光刻膠之后,模擬芯片聞風(fēng)而“漲”?
    自今年下半年以來(lái),隨著原廠大幅減產(chǎn),智能手機(jī)新機(jī)型發(fā)表及AI PC等刺激終端消費(fèi)需求,消費(fèi)性電子周期回暖,可以明顯看到半導(dǎo)體景氣正由谷底回升。在此之際,部分芯片聞風(fēng)而“漲”,半導(dǎo)體市場(chǎng)掀起新一輪漲價(jià)潮。
  • 日本東友:KrF光刻膠漲價(jià)10~20%!一起聊聊半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)
    日本東友:KrF光刻膠漲價(jià)10~20%!一起聊聊半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)
    日前,光刻膠頭部廠商?hào)|友精密化學(xué)(Dongwoo Fine-Chem)表示,由于原材料和勞動(dòng)力成本上漲,擬提高氟化氪(KrF)等高端半導(dǎo)體光刻膠價(jià)格,漲幅10%-20%。
  • 國(guó)際大廠光刻膠漲價(jià)!國(guó)產(chǎn)替代刻不容緩
    國(guó)際大廠光刻膠漲價(jià)!國(guó)產(chǎn)替代刻不容緩
    據(jù)韓媒報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,日本住友化學(xué)子公司東友精密化學(xué)向韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)表示,由于原材料和勞動(dòng)力成本上漲,擬提高氟化氪(KrF)和L線光刻膠價(jià)格,增幅因產(chǎn)品而異,約為10%-20%。
  • 陶氏化學(xué)Plaquemine廠區(qū)發(fā)生爆炸:將影響CMP拋光液及光刻膠供應(yīng)?
    陶氏化學(xué)Plaquemine廠區(qū)發(fā)生爆炸:將影響CMP拋光液及光刻膠供應(yīng)?
    綜合多家外媒消息顯示,當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月14日晚上9點(diǎn)30分左右,位于美國(guó)路易斯安那州伊貝維爾教區(qū)?(WAFB)?、密西西比河沿岸的陶氏化學(xué)普拉克明(Plaquemine)工廠發(fā)生一系列爆炸,引發(fā)了當(dāng)?shù)氐目只拧?/div>
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    2023/07/17
  • 行業(yè)數(shù)據(jù) | 半導(dǎo)體光刻膠配套試劑供應(yīng)商列表
    行業(yè)數(shù)據(jù) | 半導(dǎo)體光刻膠配套試劑供應(yīng)商列表
    在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,大家關(guān)注比較多的是高端光刻膠等產(chǎn)品,其實(shí)光刻膠的配套試劑的市場(chǎng)空間和機(jī)會(huì)也很大。所以我特意整理了一個(gè)供應(yīng)商的列表供大家參考
  • 500億人民幣!收購(gòu)光刻膠巨頭JSR!
    500億人民幣!收購(gòu)光刻膠巨頭JSR!
    6月25日消息,據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道,日本半導(dǎo)體設(shè)備制造商 JSR 昨日表示,該公司正在考慮一項(xiàng)由國(guó)家支持的日本產(chǎn)業(yè)革新投資機(jī)構(gòu)(JIC)提出的收購(gòu)提議,此舉對(duì) JSR 和日本的半導(dǎo)體戰(zhàn)略都將產(chǎn)生重大影響。
    2411
    2023/06/26

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