資訊

• 又一條10nm產(chǎn)線！年底建成！
  

  三星電子正在開發(fā)的1c DRAM（第六代10納米級DRAM）正在成為半導體行業(yè)的最大話題。1c DRAM是三星電子、SK海力士等預計明年開始量產(chǎn)的下一代存儲器。三星電子計劃在今年年底前建成第一條 1c DRAM 量產(chǎn)線。

  芯片說 IC TIME

  275

  23小時前

  dram 三星電子
• 中韓存儲芯片差距縮至三代！
  

  根據(jù)三星電子10月8日在臨時業(yè)績公告中發(fā)布了單獨的說明材料，并表示“業(yè)績受到中國存儲器公司傳統(tǒng)產(chǎn)品供應增加的影響”。這是第一次專門提及中國存儲器企業(yè)的進展。這意味著中國的增長非同尋常。事實上，以CX存儲為代表的中國內(nèi)存企業(yè)正在積極投資、招募人才，以實現(xiàn)擊敗三星電子成為全球第一內(nèi)存公司的目標。業(yè)內(nèi)人士分析，不僅是產(chǎn)能，技術也在快速進步。

  芯片說 IC TIME

  463

  10/15 09:00

  dram 三星電子
• 整頓在即，三星1164名高管恐懼！
  

  三星電子最近承認危機并宣布全面改革，其“危機克服方程式”備受關注。與此同時，三星針對危機采取了全方位的改革措施，包括通過組織重組提高效率、裁減高管等人員以及削減附帶成本。這次，人們尤其關注改革的廣度和深度。內(nèi)外部都有批評稱，三星應該集中精力通過改善體質(zhì)來恢復現(xiàn)有的DNA，這已接近徹底轉(zhuǎn)型。

  芯片說 IC TIME

  480

  10/15 08:44

  三星電子
• 只見臺積笑，不見亞軍哭？
  

  由于芯片需求增加，三星電子預計將第三季度利潤增長近三倍，但其復蘇步伐正在減弱，因為它在利用人工智能（AI）熱潮方面進展緩慢。通常來說，2024年作為AI發(fā)展的元年，大廠例如臺積電甚至出現(xiàn)了供不應求，產(chǎn)能預約排隊，這股熱風，為什么三星沒有趕上？

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2329

  10/14 09:12

  先進制程 芯片工廠
• 芯片泄密！三星前高管被判賠110億！資產(chǎn)已遭扣押！
  據(jù)報道，三星電子收到法院判決，對因向泄露半導體技術罪名被起訴的前高管崔鎮(zhèn)石（66歲）暫時扣押，并賠償110億韓元(5764萬元人民幣)的損失。

  芯片說 IC TIME

  699

  10/12 09:40

  三星電子
• 依法判定！晶圓大廠爆發(fā)嚴重事故
  

  據(jù)證實，韓國雇傭勞動部最終認定去年5月三星電子器興工廠（8英寸晶圓廠）兩名工人受到輻射的事件是《職業(yè)安全與健康法》規(guī)定的“嚴重事故”。韓國雇傭勞動部官員10月11日宣布，他們將這起輻射災難判定為“傷害”而不是“疾病”，并且是“兩人以上受傷，需要醫(yī)療救治超過1年”的嚴重災難。

  芯片說 IC TIME

  390

  10/12 09:10

  晶圓廠
• 重磅！三星退出電視、汽車LED，專注MicroLED
  

  9月，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子決定退出 DS 部門下的非核心領域?——LED 業(yè)務，并已進入整理階段，該團隊一直生產(chǎn)電視、照明和汽車封裝LED零部件。10月，有消息表示，三星將員工轉(zhuǎn)向半導體，專注功率半導體和Micro LED業(yè)務。

  行家說Display

  1221

  10/12 09:00

  microLED
• 嘴硬！晶圓大廠高管挨批！
  對于在三星電子器興工廠發(fā)生的輻射暴露事故，10月10日三星電子首席安全官（CSO）Taeyang Yoon表示：“我正在深刻反思這個問題的出現(xiàn)?！碑斕?，韓國李海民議員在談到放射線事故是否是由于三星電子安全管理不善造成的問題時表示：“為了防止這種情況發(fā)生，我們正在制定防止再次發(fā)生的根本措施，并一一實施?！?/div>

  芯片說 IC TIME

  628

  10/11 09:13

  三星電子 晶圓廠
• 三星道歉了
  

  10月8日，三星公布其第三季度初步營業(yè)利潤約為9.1萬億韓元，低于此前預計的11.5萬億韓元。三星電子副董事長兼設備解決方案部門主管Jun Young-hyun對此發(fā)表了一份道歉聲明，他表示：“我們此次的業(yè)績不如市場預期，已經(jīng)引發(fā)了人們對公司基本技術競爭力和未來的憂慮，許多人都在談論三星的危機，我們領導業(yè)務的主管將負起責任?！?/div>

  中國電子報

  879

  10/10 10:20

  晶圓代工 三星電子
• 突發(fā)！晶圓大廠高管地震！將裁30%！
  

  據(jù)證實，三星電子已開始進行密集的管理審計，以找出包括高帶寬存儲器（HBM）在內(nèi)的半導體業(yè)務競爭力下降的原因。目的是分析先進DRAM業(yè)務下滑的原因，例如在爭奪NVIDIA供應時被SK海力士和美國美光推出的第四代和第五代HBM（HBM3·HBM3E），并提供扭轉(zhuǎn)局面的機會。

  芯片說 IC TIME

  2080

  10/10 09:20

  三星電子
• 又一2nm晶圓廠引進設備
  

  三星電子的晶圓代工部門正在加快建設2nm量產(chǎn)工藝的生產(chǎn)設施。盡管由于制程良率低下、訂單不振等最嚴重的危機，各種投資被推遲或減少，但優(yōu)先考慮的是尖端技術的商業(yè)化，以趕上行業(yè)第一的臺積電。

  芯片說 IC TIME

  597

  10/09 12:00

  晶圓代工 三星電子
• 業(yè)績不及預期，三星電子罕見道歉！
  

  10月8日，三星電子公布了截至9月30日的2024年第三季度未經(jīng)審計的盈利預測報告（正式報告將于10月31日發(fā)布）。由于營業(yè)利潤低于市場預期，三星電子還罕見地發(fā)布聲明致歉。

  芯智訊

  508

  10/09 09:30

  三星電子
• HBM4將導入！三星第六代10nm DRAM首次量產(chǎn)
  三星電子最先進的10 納米級第六代 (1c) DRAM首次實現(xiàn)產(chǎn)量。由于三星正準備將這款DRAM安裝在明年發(fā)布的第6代HBM（高帶寬內(nèi)存）“HBM4”中，預計在確保第一批良率后，未來良率擴張將加速。

  芯片說 IC TIME

  742

  10/08 10:05

  dram HBM4
• 三星推出990EVOPlus固態(tài)硬盤，支持PCIe4.0性能出色
  容量高達4TB，提供增強的性能和能效。性能卓越，隨機讀寫速度分別最高可達 1,050K IOPS 和 1,400K IOPS。 韓國——2024年9月25日—三星電子于今天宣布推出990 EVO Plus固態(tài)硬盤，為其固態(tài)硬盤產(chǎn)品線再添新成員。990 EVO Plus 支持 PCIe 4.0和最新的NAND技術，是尋求增強電腦性能和能效的消費者的理想之選。它適用于游戲、商務及創(chuàng)意活動。 三星品牌存

  電子科技世界

  421

  09/27 06:54

  固態(tài)硬盤
• 已敲定！又有兩座晶圓廠暫停
  

  據(jù)證實，三星電子已完全推遲其平澤第四工廠（P4）和美國德克薩斯州泰勒代工廠第二工廠的開工和訂單。據(jù)解讀，三星電子選擇了保守的半導體投資方式，預計將對其合作伙伴的訂購時間表產(chǎn)生影響。

  芯片說 IC TIME

  946

  09/26 08:50

  三星電子 晶圓廠

正在努力加載...