Ampleon發(fā)布增強(qiáng)性能的第3代碳化硅基氮化鎵晶體管

埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出兩款新型寬帶碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT），功率等級(jí)分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度器件是我們最近通過認(rèn)證并投入生產(chǎn)的第3代GaN-SiC HEMT工藝的首發(fā)產(chǎn)品。

這些器件提供了低偏置下的寬帶高線性度特性，從而提高了寬帶線性度水平（在5dB時(shí)三階互調(diào)低于-32dBc；在2:1帶寬上從飽和功率回退8dB時(shí)則低于-42dBc）。寬帶線性對(duì)于當(dāng)今國防電子設(shè)備中所部署的頻率捷變無線電至關(guān)重要，后者用于處理多模通信波形（從FM信號(hào)一直到高階QAM信號(hào)）并同時(shí)應(yīng)用對(duì)抗信道的情況。這些要求苛刻的應(yīng)用需要晶體管本身具有更好的寬帶線性度。根據(jù)市場(chǎng)反饋，埃賦隆半導(dǎo)體的第3代GaN-on-SiC HEMT晶體管可滿足這些擴(kuò)展的寬帶線性度要求。

此外，這兩款第3代晶體管還采用了增強(qiáng)散熱封裝以實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行，并為30W器件提供高達(dá)15:1的極耐用的VSWR耐受能力。該耐用性還可擴(kuò)展到A類放大器工作模式。這在具有飽和柵極條件下，同時(shí)要在擴(kuò)展頻率范圍內(nèi)在寬動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)保持線性度的儀器應(yīng)用中很常見。埃賦隆半導(dǎo)體的第3代GaN-on-SiC HEMT晶體管為寬帶應(yīng)用的高線性GaN技術(shù)設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)保持了出色的散熱性能和耐用性。