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2024回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進(jìn)方向，行家說三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報(bào)道。本期嘉賓是北方華創(chuàng)LED行業(yè)及化合物發(fā)展部總經(jīng)理?李仕群。接下來還將有更多的領(lǐng)軍企業(yè)參與《行家瞭望》，敬請期待。
SiC設(shè)備出貨量超4000臺(tái)?GaN設(shè)備獲大規(guī)模應(yīng)用
行家說三代半：過去一年，貴公司主要做了哪些關(guān)鍵性工作？
李仕群：我們注意到2023年SiC產(chǎn)線遍地開花，產(chǎn)品成本降低，良率提升，性能變得更加穩(wěn)定可靠，國產(chǎn)SiC芯片也開始了上車驗(yàn)證。
為了滿足市場需求，北方華創(chuàng)在化合物領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，2023年北方華創(chuàng)著重投入化合物半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)開發(fā)，在SiC方面，打造出長晶、外延和芯片的整體解決方案，大部分產(chǎn)品成為了SiC行業(yè)新建線首選。
目前，SiC領(lǐng)域累計(jì)出貨量超過4000臺(tái)，在2023年全年出貨方面， SiC長晶爐出貨超1000臺(tái)，外延爐出貨超100臺(tái)，芯片前道設(shè)備出貨超100臺(tái)。同時(shí)，我們也布局了適用于6寸和8寸的SiC長晶爐、外延爐、全系列刻蝕設(shè)備、PECVD、PVD、高溫爐管、立式爐的全面解決方案。
行家說三代半：2023年貴公司取得了哪些成績？你們實(shí)現(xiàn)增長的戰(zhàn)略是什么？
李仕群:這一年北方華創(chuàng)取得了令人矚目的成績：
SiC的長晶爐、外延、ETCH、PVD、PECVD，爐管，快速退火，清洗等設(shè)備領(lǐng)域已成為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，與頭部客戶實(shí)現(xiàn)了全面合作，推動(dòng)了化合物領(lǐng)域爆發(fā)式發(fā)展；
除此以外，我們還推動(dòng)了GaN的ETCH、PVD、清洗機(jī)、PECVD、爐管等關(guān)鍵工藝設(shè)備在國內(nèi)主流產(chǎn)線的大規(guī)模應(yīng)用；
應(yīng)用于半導(dǎo)體照明的MOCVD，ICP刻蝕，PECVD，PVD的設(shè)備已成為行業(yè)Baseline，工藝涵蓋藍(lán)綠/紅黃等領(lǐng)域；
我們還深入布局了Mini/Micro LED領(lǐng)域，能夠?yàn)榭蛻籼峁┥疃韧晟频墓に嚱鉀Q方案。
公司始終堅(jiān)持以客戶為中心的持續(xù)創(chuàng)新理念，根據(jù)行業(yè)發(fā)展階段和動(dòng)態(tài)的市場訴求，在不斷強(qiáng)化自身通用技術(shù)的基礎(chǔ)上，為客戶提供專業(yè)的、有競爭力的和投資產(chǎn)出效應(yīng)高的產(chǎn)品，把貼近客戶，傾聽客戶聲音，長期提供快速響應(yīng)的、有溫度的服務(wù)視為立業(yè)之本。
國內(nèi)SiC將彎道超車,需降本普及70%的EV市場
行家說三代半：您認(rèn)為2023年整個(gè)行業(yè)取得了哪些新的進(jìn)步（包括市場、技術(shù)等）？
李仕群：2023年SiC行業(yè)市場規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，新晉企業(yè)不斷出現(xiàn)，涌現(xiàn)出了一批行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，帶動(dòng)了產(chǎn)業(yè)有序迭代向前發(fā)展，培育了較穩(wěn)定的國產(chǎn)上下游供應(yīng)鏈，隨著國產(chǎn)化進(jìn)程不斷推進(jìn)，我認(rèn)為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迅速實(shí)現(xiàn)對歐美國家技術(shù)的彎道超車。
隨著國產(chǎn)SiC芯片在新能源車領(lǐng)域的成功驗(yàn)證，奠定了國產(chǎn)SiC行業(yè)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展方向，為SiC行業(yè)開辟了廣闊的應(yīng)用前景。另外，從技術(shù)方面來看：
SiC產(chǎn)品從SBD轉(zhuǎn)向MOSFET，并大力發(fā)展Trench
MOS，實(shí)現(xiàn)了國外專利封鎖的突破；
尺寸從主流6寸向8寸過渡，8寸襯底和外延已有產(chǎn)品下線，芯片線預(yù)計(jì)也將在2024年下半年有產(chǎn)品出廠。
行家說三代半：在降本增效方面，2023年最值得關(guān)注和重視的新變化是什么？
李仕群：我認(rèn)為業(yè)內(nèi)應(yīng)該關(guān)注襯底和外延領(lǐng)域，SiC產(chǎn)線70%以上的成本在襯底和外延端，6寸長晶和外延已經(jīng)形成規(guī)?；?yīng)，單片成本快速下降，隨著SiC襯底尺寸不斷擴(kuò)徑，8寸晶圓將對SiC器件成本帶來較大影響。
同時(shí)，芯片產(chǎn)線國產(chǎn)化率迅速提升，國產(chǎn)機(jī)臺(tái)經(jīng)過產(chǎn)線量產(chǎn)驗(yàn)證，成本優(yōu)勢明顯提升。這些都是有很大希望實(shí)現(xiàn)降本增效的關(guān)注點(diǎn)。
行家說三代半：成本是把雙刃劍，行業(yè)規(guī)?；l(fā)展需要接近硅器件的低成本，但也要防止被低價(jià)所反噬，您如何看待行業(yè)的低價(jià)和同質(zhì)化競爭？貴公司有哪些好的做法和建議？
李仕群：在半導(dǎo)體領(lǐng)域，終端應(yīng)用的訴求是行業(yè)發(fā)展的方向和動(dòng)力，SiC器件進(jìn)入汽車應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊蔀橹髁髭厔荩A(yù)計(jì)2027年市場占比將超過70%。
相比Si器件，SiC器件成本較高，目前主要應(yīng)用于售價(jià)25萬元以上的中高端新能源汽車，急需進(jìn)一步降低成本，使其能夠普及到市場銷量占比70%以上的20萬元以內(nèi)的新能源汽車上，讓更多老百姓受益于技術(shù)的進(jìn)步。
我們應(yīng)該了解成本下降需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同，需要更多企業(yè)參與并發(fā)揮資本、技術(shù)和運(yùn)營等多方優(yōu)勢，并且持續(xù)迭代。當(dāng)然，我們不贊同惡性的、顯著過剩的同質(zhì)化競爭，我們應(yīng)該借助政府和行業(yè)協(xié)會(huì)的力量發(fā)揮市場和資本的調(diào)控作用，有效遏制不良競爭。
以設(shè)備行業(yè)為例，北方華創(chuàng)歡迎市場上更多的設(shè)備企業(yè)參與SiC行業(yè)的共同建設(shè)、發(fā)展，而針對個(gè)別宣稱確保同等質(zhì)量效用并且以低于成本價(jià)擾亂市場的行為，北方華創(chuàng)堅(jiān)持以客戶為中心，持續(xù)為客戶提供適用、穩(wěn)定，可靠的產(chǎn)品和長期良好的服務(wù)保證，聚焦客戶實(shí)際訴求，保障行業(yè)客戶具有持續(xù)的競爭力，實(shí)現(xiàn)合作雙贏。
面臨資本熱、技術(shù)攻關(guān)難題，北方華創(chuàng)堅(jiān)持創(chuàng)新引領(lǐng)
行家說三代半：未來幾年整個(gè)行業(yè)將面臨的挑戰(zhàn)有哪些？貴公司將如何面對并解決挑戰(zhàn)？
李仕群：伴隨著行業(yè)的高速發(fā)展，我們所面臨的挑戰(zhàn)也是前所未有的：
首先是資本過熱，行業(yè)非理性擴(kuò)產(chǎn)；
其次是關(guān)鍵技術(shù)需要我們持續(xù)攻關(guān)，比如平面型工藝JFET區(qū)域的夾斷效應(yīng)造成的導(dǎo)通電阻增大，電流降低，損耗增加；
溝槽型MOSFET雖然利用垂直溝道消除了JFET區(qū)域電流夾斷的問題，但SiC溝槽的刻蝕及氧化工藝難度較大，并且溝槽底部的尖峰電場較高，容易造成提前擊穿，需要在溝槽底部加入P行掩蔽層，而這樣做會(huì)增加工藝難度和成本。
面對挑戰(zhàn)，華創(chuàng)始終堅(jiān)持迎難而上持續(xù)開拓關(guān)鍵技術(shù)，布局SiC半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)鍵制程設(shè)備，持續(xù)精進(jìn)設(shè)備和工藝能力，提升產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性，為客戶提供全面的工藝解決方案。
行家說三代半：2024年，貴司定下來了哪些規(guī)劃和目標(biāo)？
李仕群：北方華創(chuàng)的規(guī)劃和目標(biāo)始終是圍繞著產(chǎn)業(yè)和客戶設(shè)定的，2024年北方華創(chuàng)依然會(huì)秉承“推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步，創(chuàng)造無限可能”的企業(yè)使命，致力于成為半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域值得信賴的引領(lǐng)者，并將持續(xù)以客戶需求為導(dǎo)向，以創(chuàng)新為動(dòng)力，聚焦SiC半導(dǎo)體領(lǐng)域，開發(fā)新工藝布局新技術(shù)，持續(xù)為客戶提供全面的工藝解決方案。
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