超億元！又增3個GaN項目

近日，國內(nèi)3個GaN項目公布新進展，涉及單晶、外延及IDM等。

天睿半導體：新建8英寸GaN/SiC晶圓廠

2月20日，據(jù)福州晚報消息，福州市長樂區(qū)成功簽約落地16個重大項目，其中包括一個8英寸GaN/SiC項目。

據(jù)介紹，該項目建設方為天睿半導體，將新建8英寸氮化鎵和碳化硅晶圓廠，并通過產(chǎn)業(yè)并購和新建項目等方式布局第三代半導體襯底外延、晶圓制造、器件設計、系統(tǒng)應用及相關(guān)設備生產(chǎn)等全產(chǎn)業(yè)鏈。

天睿半導體成立于2023年2月，由福州新投天睿投資有限公司與福州昊盛天睿投資有限公司共同出資成立。

值得一提是的，今年1月，福州市還引入了另外2個GaN項目：

●?福州半導體氮化鎵外延片項目：該項目簽約落地福州新區(qū)，由福州鎵谷半導體有限公司建設，主營第三代半導體的研發(fā)與生產(chǎn)，預計投入10億元，用地86畝，達產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬片，產(chǎn)值數(shù)十億元，上市市值可達數(shù)百億元。

●?芯睿半導體氮化鎵晶圓廠項目：該項目簽約落地福州新區(qū)，目前該項目還未披露更多信息，“行家說三代半”將持續(xù)跟進該項目進展，敬請關(guān)注。

廣東光大、北大?出資1.09億元建GaN項目

2月19日，據(jù)北京順義媒體消息，順義近日與一家GaN企業(yè)達成合作，共同建設第三代半導體項目——北京大學寬禁帶半導體研究中心產(chǎn)業(yè)化基地項目一期。

據(jù)介紹，該項目由北大研究中心聯(lián)合廣東光大集團等出資1.09億元，租賃第三代半導體基地廠房1500平方米，建設高性能氮化鎵芯片及大尺寸外延片研發(fā)生產(chǎn)線，目前已投產(chǎn)運營。

該GaN項目的運營主體是北京中博芯半導體科技有限公司，企查查顯示，中博芯成立于2020年9月，在北京市和順義區(qū)政府的大力支持下，以及北京大學和廣東光大集團的助力下設立，技術(shù)團隊成員主要來自于北大寬禁帶半導體研究中心。

目前，中博芯已經(jīng)擁有LED外延用高溫MOCVD、大尺寸Si基GaN外延用MOCVD、4英寸芯片線，以及各類半導體分析測試設備，涵蓋了從外延生長到芯片制備等產(chǎn)業(yè)鏈上各環(huán)節(jié)。

齊魯工業(yè)大學德州研究院：4吋GaN單晶厚度達厘米量級

2月11日，據(jù)“德州天衢新區(qū)”官微消息，齊魯工業(yè)大學德州研究院在氮化鎵單晶領(lǐng)域取得了新突破——4吋GaN單晶厚度達厘米量級。

據(jù)悉，齊魯工業(yè)大學材料科學與工程學部主任郝霄鵬牽頭成立了12名博士組成的半導體材料與器件創(chuàng)新團隊。團隊首批入駐齊魯工業(yè)大學德州研究院，主攻第三代半導體晶體材料的研究，并成功獲得了厚度達到厘米量級的4吋氮化鎵體塊單晶。

郝霄鵬表示，目前這一厚度達到世界先進水平，下一步在提高晶體質(zhì)量的同時，還要縮短生長周期、降低生長成本，才能為產(chǎn)業(yè)化奠定基礎。

“行家說三代半”了解到，郝霄鵬教授課題組7項專利曾在2018年以2000萬元的專利許可費成功轉(zhuǎn)讓給山東加睿晶欣新材料股份有限公司落地濟寧進行轉(zhuǎn)化，加睿晶欣于濟寧國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)在建一個“年產(chǎn)10萬片2英寸氮化鎵單晶襯底”項目，總投資15億元，于2019年3月開工建設。