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又一家華為投資的企業(yè)上市,市值近百億

2022/02/10
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2月10日,國產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商東微半導(dǎo)登陸科創(chuàng)板。

開市后,東微半導(dǎo)漲至148元/股,之后有所回落。截至成文,東微半導(dǎo)報132元/股,總市值90億元。

Source:同花順截圖

募資9.39億,加碼功率半導(dǎo)體!

據(jù)悉,東微半導(dǎo)本次募集資金投資項目如下:

Source:公告截圖

超級結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級及產(chǎn)業(yè)化項目

項目投資額為 20,414.58 萬元。項目是對高壓超級結(jié) MOSFET 產(chǎn)品及中低壓屏蔽柵 MOSFET 產(chǎn)品的設(shè)計及工藝技術(shù)等方面進(jìn)行改進(jìn)和提升。

高壓超級結(jié) MOSFET 產(chǎn)品升級具體包括 8 英寸第三代超級結(jié) MOSFET 產(chǎn)品及 12 英寸先進(jìn)工藝超級結(jié) MOSFET 產(chǎn)品的設(shè)計及工藝技術(shù)提升;中低壓屏蔽柵 MOSFET 產(chǎn)品升級具體包括第三代高速屏蔽柵中低壓 MOSFET 及高魯棒性中低壓 MOSFET 產(chǎn)品的涉及工藝技術(shù)提升。

新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目

項目投資10,770.32 萬元,本項目擬在未來三年陸續(xù)推出高速率 IGBT、超級硅 MOSFET 以及新一代高速大電流功率器件產(chǎn)品??蓮V泛應(yīng)用于 5G 基站、新能源汽車直流充電樁光伏逆變器等細(xì)分領(lǐng)域。

其中,IGBT 產(chǎn) 品研發(fā)涉及 900V 以下三柵 IGBT、900V 及以上三柵 IGBT、車規(guī)級高可靠性 IGBT 及 12 英寸先進(jìn)制程 IGBT 產(chǎn)品系列的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化;超級硅 MOSFET 產(chǎn)品研發(fā)涉及第一 代及第二代超級硅 MOSFET 的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化;新一代高速大電流功率器件系列主要為 600V/650V Hybrid-FET 器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

研發(fā)工程中心建設(shè)項目

項目總投資額為 16,984.20 萬元,項目是圍繞 SiC 器件、新型硅基高壓功率器件方向進(jìn)行產(chǎn)品技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā),開發(fā)新的技術(shù)方案,增加功率器件失效性和可靠性的固定資產(chǎn)投入,優(yōu)化實(shí)驗(yàn)環(huán)境,提升測試效率,進(jìn)一步保障產(chǎn)品質(zhì)量。

東微半導(dǎo)計劃在超薄晶圓背面加工技術(shù)和高功率密度芯片及模塊封裝技術(shù)方向進(jìn)行持續(xù)研發(fā)投入,提高工藝技術(shù),進(jìn)一步提升產(chǎn)品性能。

科技與發(fā)展儲備資金

項目是結(jié)合公司戰(zhàn)略發(fā)展的目標(biāo),在產(chǎn)業(yè)并購及整合的用途中,公司考慮重點(diǎn)在汽車級 功率器件設(shè)計、SiC 功率器件設(shè)計以及模塊設(shè)計應(yīng)用等方向投資并購國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)企業(yè)。

Source:公告截圖

華為哈勃投資

值得注意的是,2020年7月,東微半導(dǎo)獲得了華為哈勃的投資。

Source:企查查

 

同年12月,江蘇監(jiān)管局披露了東微半導(dǎo)輔導(dǎo)備案信息。其保薦機(jī)構(gòu)為中金公司,于2020年12月18日進(jìn)行上市輔導(dǎo)備案。

Source:江蘇監(jiān)管局截圖

關(guān)于東微半導(dǎo)

據(jù)悉,東微半導(dǎo)成立于2008年,是一家技術(shù)驅(qū)動型的國產(chǎn)功率半導(dǎo)體廠商。產(chǎn)品主要有高壓GreenMOS系列、中低壓SGTMOS系列、IGBT系列三大系列產(chǎn)品,公司的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于以新能源汽車直 流充電樁、5G 基站電源通信電源數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源為代表的工 業(yè)級應(yīng)用領(lǐng)域,以及以 PC 電源、適配器、TV 電源板、手機(jī)快速充電器為代表的消費(fèi) 電子應(yīng)用領(lǐng)域。同時,公司不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新,進(jìn)一步開發(fā)了超級硅 MOSFET、 TGBT 等新產(chǎn)品。

據(jù)6月17日,東微半導(dǎo)發(fā)布招股說明書中顯示,公司主營業(yè)務(wù)收入構(gòu)成情況如下:

Source:公告截圖

 

東微半導(dǎo)表示,未來,公司將持續(xù)開發(fā)更多新型高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,致力于成為國際領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商。

(文:拓墣產(chǎn)業(yè)研究 Amber)

東微半導(dǎo)體

東微半導(dǎo)體

東微半導(dǎo)體成立于2008年,是一家技術(shù)驅(qū)動型的半導(dǎo)體技術(shù)公司,在作為半導(dǎo)體核心技術(shù)的器件領(lǐng)域有深厚的技術(shù)積累,專注半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新,擁有多項半導(dǎo)體器件核心專利。 2013年下半年,東微半導(dǎo)體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國《科學(xué)》期刊上發(fā)表,標(biāo)志著國內(nèi)科學(xué)家在半導(dǎo)體核心技術(shù)方向獲得重大突破,新聞聯(lián)播、人民日報等媒體均進(jìn)行了頭條重點(diǎn)報道,引起了國內(nèi)外業(yè)界的高度關(guān)注。2016年東微半導(dǎo)體自主研發(fā)的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產(chǎn),打破國外廠商壟斷。

東微半導(dǎo)體成立于2008年,是一家技術(shù)驅(qū)動型的半導(dǎo)體技術(shù)公司,在作為半導(dǎo)體核心技術(shù)的器件領(lǐng)域有深厚的技術(shù)積累,專注半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新,擁有多項半導(dǎo)體器件核心專利。 2013年下半年,東微半導(dǎo)體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國《科學(xué)》期刊上發(fā)表,標(biāo)志著國內(nèi)科學(xué)家在半導(dǎo)體核心技術(shù)方向獲得重大突破,新聞聯(lián)播、人民日報等媒體均進(jìn)行了頭條重點(diǎn)報道,引起了國內(nèi)外業(yè)界的高度關(guān)注。2016年東微半導(dǎo)體自主研發(fā)的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產(chǎn),打破國外廠商壟斷。收起

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