TEL | 2021年Q3半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收約257億元，中國(guó)市場(chǎng)連續(xù)六個(gè)季度居首

CINNO Research 產(chǎn)業(yè)資訊，東京電子株式會(huì)社2021年7月一9月期間SPE（Semiconductor Production Equipment，半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，以下簡(jiǎn)稱為“SPE”）事業(yè)部銷售額較上年同期增長(zhǎng)了41.1%，增至4678億日元（約人民幣257.29億元）。從各地區(qū)的銷售額來(lái)看，中國(guó)市場(chǎng)已經(jīng)連續(xù)六個(gè)季度榜居首位，較上年同期增長(zhǎng)37.5%，增至1088億日元（約人民幣59.84億元），占整個(gè)SPE事業(yè)部的23.3%。

隨著數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的投資加速和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)型的加速發(fā)展，從尖端到傳統(tǒng)等各個(gè)世代的邏輯半導(dǎo)體、存儲(chǔ)半導(dǎo)體需求激增，據(jù)預(yù)測(cè)，2021年的WFE（Wafer Fabrication Equipment，晶圓制造設(shè)備，以下簡(jiǎn)稱為“WFE”）市場(chǎng)增長(zhǎng)率將接近五成。

基于以上業(yè)務(wù)環(huán)境，東京電子緊抓業(yè)務(wù)機(jī)會(huì)、上調(diào)業(yè)績(jī)預(yù)期。在8月份預(yù)測(cè)的基礎(chǔ)上將SPE事業(yè)部整期的銷售額預(yù)期上調(diào)至1兆8400億日元（約1012億元），上調(diào)了470億日元（約25.85億元）。

此次，就東京電子蝕刻設(shè)備事業(yè)部的目前發(fā)展情況和前景戰(zhàn)略等問(wèn)題，日本電子Device產(chǎn)業(yè)新聞采訪了執(zhí)行董事、ESBU 董事總經(jīng)理（General Manager）和久井勇先生，ESBU 蝕刻系統(tǒng)業(yè)務(wù)企劃部部長(zhǎng)樋口公博先生。

ESBU董事總經(jīng)理  和久井勇先生（圖片來(lái)源：電子Device產(chǎn)業(yè)新聞）

ESBU蝕刻系統(tǒng)業(yè)務(wù)企劃部部長(zhǎng)，樋口公博先生（圖片來(lái)源：電子Device產(chǎn)業(yè)新聞）

請(qǐng)介紹一下貴司蝕刻設(shè)備事業(yè)部的概況。

和井久：得益于WFE的強(qiáng)勁投資，東京電子蝕刻設(shè)備的銷售額也增長(zhǎng)旺盛。在市場(chǎng)火熱的中國(guó)市場(chǎng)，東京電子一直都在有計(jì)劃地?cái)U(kuò)充人員，未來(lái)將繼續(xù)強(qiáng)化銷售、支援體制。從應(yīng)用（Application）方向來(lái)看，我們?cè)?D-NAND字線（Word-line）分離（切割工序）、POR（Process of Record，客戶在產(chǎn)線上認(rèn)定采用某款設(shè)備）工序中的進(jìn)展都十分順利。

請(qǐng)介紹一下貴司在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中的前景戰(zhàn)略。

和久井：比方說(shuō)，在3D-NAND方面，由于需要在多個(gè)工序中進(jìn)行加工，因此壓層層數(shù)愈來(lái)愈多，客戶已經(jīng)要求我們的設(shè)備可支持70:1的縱橫比。此外，客戶對(duì)良率也有新的要求，因此迫切需要進(jìn)一步的技術(shù)革新來(lái)支撐。即，在多級(jí)接觸（Multi-level Contact）方面，我們已經(jīng)擁有壓倒性的優(yōu)勢(shì)，未來(lái)將繼續(xù)保持我們的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。目前，我們?cè)谘邪l(fā)用于溝渠（Channel）工序的新型設(shè)備。

DRAM從傳統(tǒng)的2D結(jié)構(gòu)向三維結(jié)構(gòu)發(fā)展時(shí)，需要與3D-NADA同樣的高寬縱橫比的蝕刻性能。隨著三維化的持續(xù)發(fā)展，蝕刻市場(chǎng)有望繼續(xù)擴(kuò)大。

請(qǐng)介紹一下貴司的高縱橫比蝕刻技術(shù)的特點(diǎn)。

樋口：本公司運(yùn)用自主研發(fā)的“離子垂直化技術(shù)”，成功掌握了高縱橫比蝕刻的關(guān)鍵技術(shù)。該技術(shù)中，由于等離子蝕刻（Plasma Etching）的離子（Ion）入射角為九十度，因此通過(guò)使RF（高頻電流，吸引離子）低頻化、高電流化、脈沖化（Pulse），以達(dá)到實(shí)現(xiàn)最合適的蝕刻。未來(lái)我們將繼續(xù)研發(fā)可支持高縱橫比蝕刻的技術(shù)。

請(qǐng)介紹一下貴司在邏輯半導(dǎo)體方面的戰(zhàn)略。

和久井：邏輯半導(dǎo)體與存儲(chǔ)半導(dǎo)體一樣具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，不僅要求設(shè)備具有微縮化加工能力，而且對(duì)特種薄膜的要求也高。據(jù)預(yù)測(cè)，形成GAA（Gate All Around，全環(huán)繞柵極晶體管）的納米線（Nano-wire）、納米片材（Nano-sheet），會(huì)需要大量的氣體化學(xué)蝕刻（Gas Chemical Etching）設(shè)備，為此，我們公司已經(jīng)在擴(kuò)充此類設(shè)備。

貴司在2021年1月份公布，開(kāi)始銷售用于新一代蝕刻設(shè)備的平臺(tái)一一“Episode UL”，請(qǐng)您介紹一下。

和久井：“Episode UL”可以根據(jù)需要靈活地支持4、6、10、12腔體（Chamber），也可以根據(jù)實(shí)際工藝進(jìn)行布局（Layout）。

目前的“Tactras”平臺(tái)采用的公認(rèn)的水平相向設(shè)計(jì)方式，大幅度削減了潔凈室和公用功能區(qū)的占地面積（Foot Print）。在同為120腔體結(jié)構(gòu)的情況下相比較，與傳統(tǒng)的“Tactras” 相比，“Episode UL”完全可以將占地面積削減一半以上。

此外，我們還在搬運(yùn)系統(tǒng)和工藝模組（Process Module）上搭載了諸多傳感器和高速控制系統(tǒng)。由于采用了獨(dú)特的智能工具（Smart Tool）功能，因此可以有效控制工藝。此外，通過(guò)搭載“監(jiān)控零部件情況功能”和“自動(dòng)更換零部件功能”，提高了設(shè)備本身的維修性能。我們已經(jīng)收到了一部分客戶訂購(gòu)“Episode UL”平臺(tái)的訂單，且已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)搭載了“Episode UL”平臺(tái)的設(shè)備?？蛻粲型?022年運(yùn)用于量產(chǎn)產(chǎn)線。

2021年9月份，貴司的工程技術(shù)革新中心竣工了，請(qǐng)介紹一下相關(guān)情況。

樋口：本中心具有以下三項(xiàng)功能：實(shí)驗(yàn)室、開(kāi)放式創(chuàng)新區(qū)域（Open Innovation Area）、客戶培訓(xùn)中心。由于是與合作伙伴聯(lián)合成立的，因此我們計(jì)劃在創(chuàng)造出高效且環(huán)保的技術(shù)、新型設(shè)備技術(shù)的同時(shí)，為進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率而努力。此外，我們通過(guò)提供全球第一的培訓(xùn)技術(shù)，為客戶提高“現(xiàn)場(chǎng)力(Cultivating Gemba Power)”做出貢獻(xiàn)。