917
9.9日，工信部發(fā)布了《首臺（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導目錄（2024年版）》，在集成電路領(lǐng)域，公布了如下首臺機臺設(shè)備，這確實是一個十分振奮人心的消息，說明我國在半導體制造設(shè)備領(lǐng)域又前進了一步。
在接下來幾期的文章中，我們會依次來介紹首臺半導體設(shè)備的用途，原理，目前國內(nèi)外的廠家，以及與國外的差距等。
硅外延爐，濕法清洗機，氧化爐的用途？
硅外延爐用于在單晶硅片表面生長一層極高質(zhì)量的單晶硅外延層，即硅外延片。硅外延片具備耐高壓、低導通電阻等特性，主要用于制備MOSFET、IGBT 、晶體管等功率器件和CMOS圖像傳感器(CIS)、電源管理芯片(PMIC)等模擬芯片。
濕法清洗機用于去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和有機物，確保硅片表面潔凈，常用于光刻、刻蝕，cmp和離子注入等工藝后。幾乎所有的芯片在制造的過程中都需要清洗，當然清洗分為等離子清洗和濕法清洗，等離子清洗是干法方式，濕法清洗則是需要液體的參與。氧化爐用于在硅片表面生長一層致密的氧化硅（SiO?）薄膜，一般用于隧道柵極?Tunneling Gate，柵極氧化 Gate Oxides，硅局部氧化隔離氧化墊 LOCOS Pad Oxide，?掩膜氧化 Masking Oxides，場氧化 Field Oxides等。
硅外延爐，濕法清洗機，氧化爐的原理？
硅外延爐的一種，通過燈或電阻加熱提供所需的高溫，將SiHCl?、砷化氫（AsH?）和載氣氫氣（H?）注入爐中，氣體在高溫下分解，硅在晶圓表面形成單晶硅，即硅外延層。砷等摻雜物在晶格中摻入以改變導電性。
為wet bench式的濕法清洗劑，Wet bench是半導體制造工藝中用于清洗、刻蝕的設(shè)備，將晶圓放入含有化學品溶液的槽中，通過化學反應(yīng)去除表面污染物，清洗完成后再進行去離子水的漂洗，干燥，即可達到濕法清洗的目的。
如上圖，為立式氧化爐。
有幾種氧化的方式，如干氧，濕氧，TEOS氧化等，此處以干氧氧化為例，
Si+O2-->SiO2氧化爐內(nèi)氧化溫度在800°C至1200°C之間，將氧氣（O?）通入到氧化爐中，硅片放置在石英基座（Quartz pedestal）
上，爐內(nèi)高溫環(huán)境促進氧氣與硅片表面的硅（Si）發(fā)生化學反應(yīng)，生成SiO2薄膜。
硅外延爐，濕法清洗機，氧化爐的國內(nèi)外代表企業(yè)？
硅外延爐國外：美國CVD Equipment公司、美國GT公司、法國Soitec公司、法國AS公司、美國Applied Materials公司。
國內(nèi)：中國電子科技集團第四十八所，合肥科晶材料技術(shù)有限公司濕法清洗機國外：LAM,TEL,AMAT,SCREEN等
國內(nèi)：很多氧化爐
國外：Lam等國內(nèi)：北方華創(chuàng)等
歡迎加入我的半導體制造知識星球社區(qū)，目前社區(qū)有2000人左右。在這里會針對學員問題答疑解惑，上千個半導體行業(yè)資料共享，內(nèi)容比文章豐富很多很多，適合快速提升半導體制造能力，介紹如下：? ? ?《歡迎加入作者的芯片知識社區(qū)！》
