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中國是全球半導(dǎo)體第一大市場，半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)快速發(fā)展，驅(qū)動晶圓代工市場不斷向好。
ICViews對2021年度有關(guān)中國大陸晶圓生產(chǎn)線最新情況進(jìn)行盤點(diǎn)。
2021年國內(nèi)半導(dǎo)體公司在生產(chǎn)線投資總金額達(dá)1900億，其中中芯國際在北京、上海、浙江、廣東五地都有布局、投資總額超760億。
在地區(qū)方面，作為半導(dǎo)體重鎮(zhèn)，上海與浙江省的進(jìn)展最為突出。上海公布的重大建設(shè)項目清單中，集成電路方面的項目包括華力微電子300mm晶圓先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)，中芯國際300mm晶圓SN1項目，積塔半導(dǎo)體特色制程項目等已在建。
從規(guī)劃和在建的晶圓廠類型來看，12英寸是我國目前重點(diǎn)發(fā)展的方向。實(shí)際上，2021年中國大陸8英寸的產(chǎn)能居全球領(lǐng)先地位，市場份額達(dá)到18％；其次是日本和中國臺灣地區(qū)，分別達(dá)到16％。
本次調(diào)研將晶圓廠分為投產(chǎn)、在建、規(guī)劃，三個部分，整理調(diào)研情況如下。
上海
中芯國際
項目單位：中芯國際12英寸芯片SN1項目
項目內(nèi)容：中芯國際臨港基地項目，建設(shè)產(chǎn)能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目，聚焦于提供28納米及以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。
項目進(jìn)展：已動工
格科微電子
項目單位：格科半導(dǎo)體12英寸CIS集成電路研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目
項目內(nèi)容：在上海新建12英寸晶圓特色工藝線項目，總投資約155億元，預(yù)計2024年竣工，將建設(shè)一座月產(chǎn)6萬片的芯片廠，建造12英寸晶圓CMOS圖像傳感芯片特殊工藝制造生產(chǎn)線（包含CMOS圖像傳感芯片的BSI和OCF兩大特色工藝）。
項目進(jìn)展：2021年8月16日，封頂儀式
鼎泰半導(dǎo)體
項目單位：鼎泰半導(dǎo)體12英寸自動化晶圓制造中心項目
項目內(nèi)容：用地面積約13萬平方米（195畝），總建筑面積約20.5萬平方米。該項目于今年1月4日開始樁基工程施工，計劃2022年7月底竣工投入使用。項目建成后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12英寸車規(guī)級功率器件晶圓36萬片。
項目進(jìn)展：2021年12月結(jié)構(gòu)封頂。
新昇半導(dǎo)體
項目單位：新昇半導(dǎo)體300mm集成電路硅片研發(fā)與先進(jìn)制造新建項目
項目進(jìn)展：截止2021年8月30日，上海新昇300mm 硅片產(chǎn)能已達(dá)25 萬片/月，2021 年底將實(shí)現(xiàn)30 萬片/月產(chǎn)能目標(biāo)。
上海臨港化合物半導(dǎo)體4英寸、6英寸量產(chǎn)線項目
項目單位：上海新微半導(dǎo)體有限公司
項目內(nèi)容：用地面積17459m2，新建生產(chǎn)廠房、研發(fā)辦公樓及配套設(shè)施，總建筑面積59037m2，投產(chǎn)后項目生產(chǎn)砷化鎵（GaAs）、銻化鎵（GaSb）及磷化銦（InP）光電晶圓1000片/月，折合器件2000萬塊/月，氮化鎵（GaN）及磷化銦（InP）射頻晶圓2000片/月，總投資15億元。
項目進(jìn)展：在建
項目單位：聞泰科技擴(kuò)產(chǎn)12英寸車規(guī)級功率半導(dǎo)體晶圓制造項目
項目內(nèi)容：聞泰科技12英寸車規(guī)級半導(dǎo)體晶圓制造中心項目正式開工。該項目總投資120億元，預(yù)計年產(chǎn)晶圓片40萬片，經(jīng)封裝、測試后的功率器件產(chǎn)品，可廣泛應(yīng)用于汽車電子、計算和通信設(shè)備等領(lǐng)域，達(dá)產(chǎn)產(chǎn)值每年33億元。
項目進(jìn)展：在建
中欣晶圓
項目單位：上海中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司
項目內(nèi)容：擬于2021年10月開工，建設(shè)周期10個月。項目總產(chǎn)能600萬片/年，其中8英寸硅片產(chǎn)量不超過120萬片/年。項目建成后，8英寸硅片種類不再涉及含砷片，小尺寸硅片中含砷片直接采購已切割成片的含砷片進(jìn)行后續(xù)生產(chǎn)加工（即線切割工段不再加工含砷產(chǎn)品），另對部分設(shè)備優(yōu)化技改，包括新增設(shè)備數(shù)量和舊設(shè)備更新升級，技改后小尺寸生產(chǎn)線將兼具8英寸生產(chǎn)能力。
項目進(jìn)展：在建
山東
青島惠科
項目單位：惠科6英寸晶圓半導(dǎo)體功率器件及第三代半導(dǎo)體項目
項目內(nèi)容：由深圳惠科投資有限公司與青島市即墨區(qū)馬山實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司共同出資建設(shè)，一期投資約30億元，主要建設(shè)20萬平方米廠房及附屬設(shè)施，用于生產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件、碳化硅器件、電子元件等，新上芯片和先進(jìn)晶圓芯片級成管封裝生產(chǎn)線及配套系統(tǒng)。
項目進(jìn)展：2021年1月，正式通線，每月產(chǎn)能1萬片，產(chǎn)能爬坡，8月2萬片
項目單位：惠科二期12英寸半導(dǎo)體項目
項目內(nèi)容：即墨發(fā)布消息顯示，下一步，即墨將重點(diǎn)規(guī)劃建設(shè)新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)園，啟動惠科二期12英寸半導(dǎo)體項目。
項目進(jìn)展：規(guī)劃
賽微電子
項目單位：青島聚能國際半導(dǎo)體制造有限公司
項目內(nèi)容：擬在青州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國際6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項目，總占地面積30畝，一期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5,000片/月的生產(chǎn)能力，二期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12,000片/月的生產(chǎn)能力，該項目一期計劃建設(shè)周期為 9 個月，2021 年底前做好投產(chǎn)前準(zhǔn)備，2022 年上半年投入生產(chǎn)。
項目進(jìn)展：在建
芯恩
項目單位：芯恩（青島）集成電路有限公司
項目內(nèi)容：建設(shè)內(nèi)容及規(guī)模包括四期工程，一期工程為現(xiàn)有工程，年產(chǎn)8英寸芯片36萬片、12英寸芯片3.6萬片、光掩膜版1.2萬片；二期工程為本項目，為12英寸產(chǎn)線。12英寸集成電路芯片，年產(chǎn)量為20.4萬片，月產(chǎn)量1.7萬片。
項目進(jìn)展：8月正式宣布8英寸廠投片成功，投片產(chǎn)品為功率芯片。同時，有消息人士透露，芯恩青島的12英寸廠也將于8月15號開始投片。
江蘇
揚(yáng)杰科技
項目單位：揚(yáng)杰科技8英寸圓晶及集成電路封裝測試項目
項目內(nèi)容：一期計劃投入資金13.8億元，建筑面積約12萬平方米，主要建設(shè)智慧終端用超薄微功率半導(dǎo)體芯片封裝測試及配套設(shè)施，項目投產(chǎn)后可形成月產(chǎn)6萬片功率半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)能,年產(chǎn)240億只智能終端用超薄微功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)能力。預(yù)計二期計劃投入資金16.2億元，建筑面積約16萬平米。
項目進(jìn)展：投產(chǎn)
捷捷微電
項目單位：捷捷半導(dǎo)體有限公司
項目內(nèi)容：功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項目，總投資5.1億元人民幣，其中，固定資產(chǎn)投入不低于總投資的80%，設(shè)備投入不低于固定資產(chǎn)投資的50%（包括凈化成套裝置）。
項目進(jìn)展：規(guī)劃
北京
中芯京城
項目單位：中芯京城集成電路制造（北京）有限公司
項目內(nèi)容：中芯京城一期項目建設(shè)規(guī)模約為24萬平方米，包含F(xiàn)AB3P1生產(chǎn)廠房及配套建筑、構(gòu)筑物等。
這個項目總投資約為497億元，將分兩期建設(shè)，一期項目計劃于2024年完工，建成后將達(dá)成每月約10萬片12英寸晶圓產(chǎn)能。
項目進(jìn)展：建設(shè)中
中芯北方
項目單位：中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
項目內(nèi)容：中芯北方12英寸集成電路生產(chǎn)線（二期）工程，續(xù)建項目。建設(shè)規(guī)模約28.6萬平方米，建設(shè)內(nèi)容為兩條45/40納米到32/28納米集成電路生產(chǎn)線，月總產(chǎn)能7萬片12英寸晶圓。
項目進(jìn)展：在建
燕東微電子
項目單位：北京燕東微電子股份有限公司
項目內(nèi)容：燕東微擬投資建設(shè)特色工藝12吋集成電路生產(chǎn)線項目，計劃股權(quán)融資45億元。
項目進(jìn)展：規(guī)劃
賽微電子：8英寸MEMS國際代工線建設(shè)項目(FAB3)
項目單位：賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
項目內(nèi)容：該8英寸MEMS國際代工線設(shè)計總產(chǎn)能為3萬片MEMS晶圓/月，目前涉及的制程主要在0.25um-1um之間，一期產(chǎn)能為1萬片MEMS晶圓/月，一期產(chǎn)能已于2020年9月建成并達(dá)到投產(chǎn)條件。
項目進(jìn)展：2021年6月，符合竣工驗收的各項條件，同意項目竣工驗收。
浙江
瞻芯電子
項目單位：瞻芯電子科技有限公司
項目內(nèi)容：碳化硅功率芯片生產(chǎn)基地項目總投資5億元，建設(shè)期約為2年，項目全面達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計年銷售收入達(dá)16.8億元。一期占地50畝，包含6英寸的碳化硅功率器件生產(chǎn)線與工藝研發(fā)平臺，預(yù)計2021年設(shè)備進(jìn)場安裝和調(diào)試，2022年投入生產(chǎn)，形成年產(chǎn)30萬片6英寸晶圓的生產(chǎn)能力。
項目進(jìn)展：2021年3月30日，義烏開工
浙江省集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟
項目單位：12吋CMOS集成電路芯片設(shè)計與制造成套工藝技術(shù)公共創(chuàng)新平臺
項目內(nèi)容：聯(lián)盟將依托位于浙大杭州科創(chuàng)中心建設(shè)區(qū)塊的“浙江省集成電路創(chuàng)新平臺”，共同建設(shè)全國唯一的12英寸CMOS集成電路芯片設(shè)計與制造成套工藝技術(shù)公共創(chuàng)新平臺
項目進(jìn)展：今年6月，平臺超凈間大樓和中央動力站結(jié)構(gòu)已封頂，預(yù)計2021年11月設(shè)備搬入。
中欣晶圓
項目單位：杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司
項目內(nèi)容：12英寸大硅片二期擴(kuò)建項目，擴(kuò)產(chǎn)后中欣晶圓12英寸硅片產(chǎn)能在2022年底增加至每月20萬枚。
項目進(jìn)展：2021年12月21日竣工
項目單位：浙江麗水中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司
項目內(nèi)容：浙江麗水中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司由杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司與浙江麗水國資相關(guān)投資公司聯(lián)合設(shè)立。項目總投資40億元，占地 139 畝，新建廠房建筑面積11萬平方米，包括生產(chǎn)廠房，動力廠房，氣體站，輔助用房等。首期所需投資額30億元將建設(shè)年產(chǎn)120萬片8英寸、年產(chǎn)240萬片12英寸硅外延片。
項目進(jìn)展：2021年11月已開工
中芯國際
項目單位：紹興中芯集成電路制造股份有限公司
項目內(nèi)容：投資61.3億元，實(shí)施項目擴(kuò)產(chǎn)，產(chǎn)能提升至10萬片/月；同時，聯(lián)合西安交通大學(xué)、西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究團(tuán)隊，啟動計劃投資160億元的二期6英寸化合物器件晶圓制造和8英寸特色工藝生產(chǎn)線項目。
項目進(jìn)展：在建
漢天下
項目單位：漢天下八英寸MEMS射頻芯片產(chǎn)業(yè)化項目
項目內(nèi)容：總投資20億元。該項目擬在錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)從事分立器件和射頻模組生產(chǎn)，預(yù)計產(chǎn)值超67億元。
項目進(jìn)展：在建
浙江旺榮半導(dǎo)體
項目單位：浙江旺榮半導(dǎo)體
項目內(nèi)容：浙江旺榮半導(dǎo)體功率器件項目簽約儀式在深圳舉行，該項目位于浙江麗水市開發(fā)區(qū)核心區(qū)塊，項目建成后將形成月產(chǎn)功率器件20000片的規(guī)模。
項目進(jìn)展：規(guī)劃
積海半導(dǎo)體
項目單位：杭州積海半導(dǎo)體有限公司
項目內(nèi)容：據(jù)悉，該項目計劃總投資350億，2020年投資3億元，計劃工期為2020-2021年。項目總用地約400畝，項目計劃分兩期建設(shè)，項目一期規(guī)劃產(chǎn)能為2萬片/月（12吋晶圓)。
一期一階段規(guī)劃產(chǎn)能為0.4萬片/月；在一期一階段成功實(shí)施后，再啟動第二階段，實(shí)現(xiàn)一期2萬片/月產(chǎn)業(yè)化能力。在一期成功實(shí)施后，項目擇機(jī)啟動二期建設(shè)，新增產(chǎn)能4萬片/月（12吋晶圓)。
項目進(jìn)展：在建
廣東
中芯國際
項目單位：中芯國際集成電路制造(深圳)有限公司
項目內(nèi)容：本項目產(chǎn)品定位于12英寸28nm及以上線寬顯示驅(qū)動芯片及電源管理芯片，配套月投12英寸晶圓4萬片的生產(chǎn)能力。
項目進(jìn)展：2021年3月中旬，中芯國際宣布斥資23.8億美元在深圳建設(shè)新的12英寸晶圓廠。
12月22日，中芯國際2010萬元拿下深圳52畝地。
奧松半導(dǎo)體
項目單位：奧松半導(dǎo)體（珠海）有限公司
項目內(nèi)容：該項目一期投資30億元，建設(shè)8英寸先進(jìn)MEMS特色半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)線、8英寸共享MEMS晶圓研發(fā)產(chǎn)線、大灣區(qū)智能傳感器創(chuàng)新研發(fā)中心、奧松半導(dǎo)體研發(fā)辦公大樓及產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合實(shí)驗室、車規(guī)級傳感器可靠性檢測中心等項目。
項目進(jìn)展：2021年4月簽約儀式
英唐智控
項目單位：英唐智控
項目內(nèi)容：英唐智控與Hulu半導(dǎo)體綜合投資公司簽訂合作協(xié)議，HuLu公司將協(xié)助英唐智控在國內(nèi)籌建6英寸碳化硅生產(chǎn)線，包括提供產(chǎn)線建設(shè)、設(shè)備選型規(guī)劃、產(chǎn)品需求及工藝技術(shù)支持等內(nèi)容。
計劃將英唐微6英寸硅基產(chǎn)線改造為第三代半導(dǎo)體測試，生產(chǎn)線，首期改造將形成SiC器件月產(chǎn)能約2000片晶圓。
項目進(jìn)展：2021年7月宣布建6寸碳化硅線
青銅劍
項目單位：青銅劍科技集團(tuán)
項目內(nèi)容：青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地是深圳市2020年重大項目，位于坪山區(qū)丹梓大道與光科三路交匯處西南角，占地8073.79平方米，總建筑面積近5萬平方米，預(yù)計2022年底完工。
該基地將作為青銅劍科技集團(tuán)總部，同時建設(shè)第三代半導(dǎo)體研發(fā)中心、車規(guī)級碳化硅功率器件封裝線和中歐創(chuàng)新中心孵化器等。
項目進(jìn)展：2021年1月宣布動工
粵芯半導(dǎo)體二期項目
項目單位：廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
項目內(nèi)容：粵芯半導(dǎo)體二期項目業(yè)主單位為廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，項目總投資65億元，將新建90-55nm高端模擬工藝生產(chǎn)線，新增月產(chǎn)能2萬片12英寸晶圓芯片，計劃2021年投資14億元，完成無塵車間裝修、設(shè)備安裝以及生產(chǎn)輔助設(shè)施建設(shè)。
項目進(jìn)展：在建，預(yù)計2022年第一季度投產(chǎn)
四川
綿陽西部
項目單位：綿陽西部半導(dǎo)體集成電路高科技產(chǎn)業(yè)園項目
項目內(nèi)容：項目涵蓋集成電路（芯片）研發(fā)、設(shè)計、制造、生產(chǎn)等環(huán)節(jié)，計劃兩年內(nèi)形成年產(chǎn)60萬片8英寸晶圓芯片生產(chǎn)能力，建安總投資44.76億元。
項目進(jìn)展：2021年7月，中建聯(lián)合體承包其項目
山西
山西阿斯卡新材料科技有限公司
項目單位：山西阿斯卡新材料科技有限公司第三代半導(dǎo)體新材料項目。
項目內(nèi)容：據(jù)披露，該項目總投資19.03億元，建設(shè)10條氮化鎵生產(chǎn)線，年生產(chǎn)4英寸氮化鎵外延片220000片，項目計劃2021年9月開工。
項目進(jìn)展：在建
安徽
蚌埠與214所
項目單位：安徽蚌埠8英寸MEMS制造與微系統(tǒng)集成工程建設(shè)項目
項目內(nèi)容：蚌埠與214所共同建設(shè)的8英寸MEMS制造與微系統(tǒng)集成工程建設(shè)項目建設(shè)周期為2年、總投資10億元，建設(shè)目標(biāo)是打造國內(nèi)領(lǐng)先的8英寸MEMS智能傳感器產(chǎn)業(yè)化平臺，建成后將擁有年產(chǎn)5萬片的MEMS晶圓制造能力和每年4億顆MEMS芯片封測能力
項目進(jìn)展：在建
榮芯半導(dǎo)體
項目單位：榮芯半導(dǎo)體
項目內(nèi)容：以 16.66 億元人民幣拍得半導(dǎo)體制造企業(yè)德淮半導(dǎo)體有限公司整體資產(chǎn)。原計劃建成一座 12 英寸年產(chǎn) 24 萬片晶圓的CMOS半導(dǎo)體制造工廠，但至今并未正式量產(chǎn)。
項目進(jìn)展：規(guī)劃
福建
項目單位：福州政府第三代半導(dǎo)體氮化鎵項目計劃
項目內(nèi)容：第三代半導(dǎo)體氮化鎵項目計劃總投資約60億元，分兩期建設(shè)。項目將購置20臺至30臺MOCVD設(shè)備，建設(shè)全球領(lǐng)先的8寸氮化鎵工廠。
項目進(jìn)展：在建
士蘭微電子
項目單位：杭州士蘭微電子股份有限公司
項目內(nèi)容：擬20億元投建“新增年產(chǎn)24萬片12英寸高壓集成電路和功率器件芯片技術(shù)提升及擴(kuò)產(chǎn)項目”，實(shí)施周期為2年。
計劃在廠區(qū)已有的12英寸廠房內(nèi)擴(kuò)充產(chǎn)能，項目建成達(dá)產(chǎn)后將新增2萬片/月的12英寸高壓集成電路和功率器件芯片生產(chǎn)能力，并進(jìn)一步提升生產(chǎn)線技術(shù)水平，預(yù)計達(dá)產(chǎn)后實(shí)現(xiàn)年銷售收入約11.4億元。
項目進(jìn)展：2022年1月6日正式動工
