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熱點(diǎn)事件回顧：GaN 工藝進(jìn)入消費(fèi)市場(chǎng)
2020 年 2 月 13 日，小米在年度旗艦手機(jī)小米 10 發(fā)布會(huì)上同步發(fā)布了一款 Type-C 65W 快速充電器，單獨(dú)售價(jià) 149 元。這款充電器采用了 GaN（氮化鎵）工藝，具有效率高、發(fā)熱低、功率高、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn)。
關(guān)于這款充電器，小米董事長(zhǎng)兼 CEO 雷軍如是說，“我以前是碼農(nóng)，當(dāng)時(shí)每天都背著筆記本電腦，最恨帶“鐵疙瘩”充電器，又丑又大又重?？纯唇裉斓?GaN 充電器，唇膏大小，實(shí)在太方便?！蔽蚁脒@可能是最應(yīng)市場(chǎng)需求的一句話了，不僅是碼農(nóng)，出差?？鸵矔?huì)很喜歡吧。
但作為一名攻城獅，腦海中很自然地浮現(xiàn)出三個(gè)問題：
問題一：這個(gè)采用 GaN 工藝的充電器和我們平常使用的充電器到底有多大區(qū)別？
于是我通過搜索，制作了這張對(duì)比表，供和我有一樣疑問的同學(xué)更直觀地看出對(duì)比度。
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問題二：這個(gè) GaN 工藝具體應(yīng)用點(diǎn)指的是什么？是外殼？是控制 IC？是功率 IC？還是整個(gè)充電器模塊？
通過進(jìn)一步的信息檢索，我了解到了這款小米充電器之所以被稱為 GaN 快速充電器，主要是因?yàn)槠鋬?nèi)部配備了來自納微半導(dǎo)體的兩款 NV6115、NV6117 GaNFast 功率 IC，這兩款 IC 針對(duì)高頻軟開關(guān)拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化，同時(shí)又將集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管、驅(qū)動(dòng)器以及邏輯電路進(jìn)行了單片集成，因此具有集成度高、體積小、轉(zhuǎn)換效率高且非常易于系統(tǒng)設(shè)計(jì)使用的特點(diǎn)。
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NV6117 | 信息源：Navitas
問題三：大部分消費(fèi)者都有一種首次接觸 GaN 概念的感覺，那么發(fā)布基于 GaN 工藝的快充產(chǎn)品，小米是第一個(gè)吃螃蟹的人嗎？
非也，就快充產(chǎn)品而言，去年 11 月，OPPO 就曾在“超玩大會(huì)”上發(fā)布過一款 GaN 充電器，采用的是本土廠商富滿電子的充電技術(shù)；放眼國外，Anker、Ravpower 和 Hyperjuice 等都推出過 GaN 快速充電器。此外，據(jù)小米 GaN 方案商納微半導(dǎo)體方面表示，繼小米之后，今年陸續(xù)幾家與小米同等規(guī)模的廠商，將發(fā)布 GaN 電源適配器。
如果跳出快充領(lǐng)域，那就更加顯著了，舉個(gè)典型“栗子”：國外全 GaN 車都造出來了。在 2019 年 10 月的東京車展上，由日本名古屋大學(xué)未來材料與系統(tǒng)研究所和豐田先進(jìn)電力電子研究部門共同開發(fā)，GaN 在電動(dòng)車領(lǐng)域的多種應(yīng)用被展示了出來，比如 GaN 牽引逆變器、GaN DC-DC 轉(zhuǎn)換器、GaN 車載充電器和 GaN LED 照明等。據(jù)可靠消息稱，在使用了 GaN 工藝后，逆變器效率提高了 20%，DC-DC 轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)尺寸減小了 75%，夜間駕駛時(shí)照明效果更佳，LED 壽命更長(zhǎng)。
什么是 GaN 工藝？
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信息源:eastday
發(fā)布會(huì)上，小米董事長(zhǎng)兼 CEO 雷軍表示：“氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料，做出的充電器體積特別小，充電效率卻特別高?！?。
那么 GaN 到底是一種什么樣的神奇工藝呢？下面我們一起來了解一下吧。
GaN是英文 Gallium nitride 的縮寫，是一種化合物的分子式，中文名稱氮化鎵。它的結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，熔點(diǎn)約為 1700℃，硬度很高，能隙很寬，高達(dá) 3.4 電子伏特，是一種直接能隙的半導(dǎo)體，起初用于發(fā)光二極管中，后應(yīng)用領(lǐng)域被拓寬至高功率、高速的光電元件和功率元器件中。
此外，在半導(dǎo)體材料中，我們一般將硅（Si）、鍺（Ge）等基礎(chǔ)性傳統(tǒng)半導(dǎo)體視為第一代半導(dǎo)體材料，砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等半導(dǎo)體視為第二代半導(dǎo)體材料，而將氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導(dǎo)體視為第三代半導(dǎo)體材料。采用不同的半導(dǎo)體材料制備的器件會(huì)由于材料物理、化學(xué)和電學(xué)特性的不同而呈現(xiàn)不同的性能特色。
不過我覺得上面的描述都不夠觸及心底，而我最欣賞的則是下面這段解釋：“第一代半導(dǎo)體是硅，主要解決數(shù)據(jù)運(yùn)算、存儲(chǔ)的問題；第二代半導(dǎo)體是以砷化鎵為代表，它被應(yīng)用到于光纖通訊，主要解決數(shù)據(jù)傳輸的問題；第三代半導(dǎo)體以氮化鎵為代表，它在電和光的轉(zhuǎn)化方面性能突出，在微波信號(hào)傳輸方面的效率更高，所以可以被廣泛應(yīng)用到照明、顯示、通訊等各大領(lǐng)域?！?它出自蘇州納維董事長(zhǎng)徐科之口。
GaN 工藝好在哪里？相對(duì)的，缺點(diǎn)又有哪些？
首先，無論是優(yōu)點(diǎn)還是缺點(diǎn)都是在對(duì)比之下才會(huì)凸顯出來，因此我們要知道 GaN 的優(yōu)點(diǎn)，就要與第一代、第二代半導(dǎo)體材料和第三代除 GaN 外的其他半導(dǎo)體材料進(jìn)行對(duì)比。其次，我們要明確對(duì)比參數(shù)有哪些，這里就要厘清對(duì)于半導(dǎo)體材料而言，哪些性能參數(shù)是最主要的。最后分析這些參數(shù)，歸納特點(diǎn)的具體表現(xiàn)形式。
下面我們一一來解答，通過前一章節(jié)的介紹，我們已經(jīng)對(duì)第一代、第二代半導(dǎo)體材料有了初步印象，那我們就選擇其中最典型的 Si、GaAs、SiC 與 GaN 進(jìn)行對(duì)比，對(duì)比參數(shù)選擇帶隙能量、臨界擊穿電場(chǎng)、電子遷移率、飽和漂移速度和導(dǎo)熱率，具體數(shù)值如下表所示：
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主要參數(shù)對(duì)比 | 信息源：cnki
透過表中的數(shù)值，我們了解到對(duì)比第一代 Si 材料，GaN 每一項(xiàng)性能都要來得更好；對(duì)比第二代 GaAs 材料，GaN 具有帶隙能量高、臨界擊穿電場(chǎng)高、飽和漂移速度高和導(dǎo)熱率高的優(yōu)勢(shì)；對(duì)比第三代 SiC 材料，GaN 具有電子遷移率高和飽和漂移速度高的優(yōu)勢(shì)。
此外，對(duì)比前兩代半導(dǎo)體材料，GaN 還具有工作溫度高、低熱阻、抗輻射能力強(qiáng)、硬度高等優(yōu)點(diǎn)。
接下來，我們就要進(jìn)一步了解特點(diǎn)的具體表現(xiàn)形式了，這樣我們才能知道這些參數(shù)的背后意味著什么？我們一點(diǎn)一點(diǎn)來：
??? ?帶隙能量：帶隙能量越高，載流子速度就越快，導(dǎo)通電阻就越??；
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??? ?臨界擊穿電場(chǎng)：臨界擊穿電場(chǎng)越高，耐壓水平越高；
??? ?電子遷移率：電子遷移率越高，開關(guān)速度越快；
??? ?飽和漂移速度：電子飽和漂移速度越高，高頻特性就越好，越適合高頻開關(guān)場(chǎng)合；
??? ?導(dǎo)熱率：導(dǎo)熱率越高，熱阻就越小，就更適于高溫環(huán)境，同時(shí)還可以簡(jiǎn)化冷卻系統(tǒng)；
??? ?抗輻射能力：行輻射能力強(qiáng)，適合在衛(wèi)星、太空探測(cè)和核反應(yīng)堆等輻射環(huán)境中的應(yīng)用；
??? ?硬度：硬度高，更便于元器件的大功率集成。
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信息源：cnki
補(bǔ)充理解：禁帶寬度越大，擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度越高，就意味著在耐壓相同的條件下，裸片體積就越小，于是寄生電容就相應(yīng)變小了，這一點(diǎn)也有助于開關(guān)速度的提高。
此外，對(duì)于同樣是第三代半導(dǎo)體材料的 SiC，這里不作詳細(xì)描述，如想了解更多，可給我們留言，我們將會(huì)另開一文作詳細(xì)介紹。但在這里還是要明確一點(diǎn)，由于 SiC 的導(dǎo)熱率和耐壓水平更佳，因此常用在高壓大電流的場(chǎng)合；而相對(duì)的，GaN 的電子遷移率更高，開關(guān)過程更快，因此常用于高頻開關(guān)場(chǎng)合；假如是高頻大功率場(chǎng)合，那么鑒于 GaN 具有比 SiC 更好的高頻性能和更高的功率品質(zhì)因子，應(yīng)用前景會(huì)相對(duì)好一些。
說了這么多優(yōu)點(diǎn)，也該說說缺點(diǎn)了。技術(shù)層面，GaN 高濃度的 p 型摻雜時(shí)容易出現(xiàn)晶體質(zhì)量變差和外延表面變差的現(xiàn)象，到今天為止，GaN 仍主要使用 6 英寸及以下晶圓生產(chǎn)，因此對(duì)于 GaN 材料生長(zhǎng)和器件工藝來說難度將會(huì)大大高于 Si 材料；市場(chǎng)層面，原材料昂貴是 GaN 的一大缺點(diǎn)（SiC 更貴），也是限制其消費(fèi)市場(chǎng)普及的一大制約因素。
透過熱點(diǎn)事件：GaN 工藝的拐點(diǎn)到了？
自從小米發(fā)布了這款“GaN 65W 快速充電器”，“GaN 工藝的拐點(diǎn)到了”的聲音就一直不斷。大家的依據(jù)是：像小米這樣的“價(jià)格屠夫”都開始推 GaN 工藝的消費(fèi)品了，一方面印證了 GaN 工藝的成熟化，另一方面告訴我們 GaN 芯片的設(shè)計(jì)、制造成本已經(jīng)降到了消費(fèi)者可以接受的程度，而這個(gè)利惠會(huì)隨著 GaN 產(chǎn)量的擴(kuò)大而不斷加大。
據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) Yole Développement 預(yù)測(cè)，從 2018 年至 2024 年，GaN 功率器件的年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到 85％，到 2024 年，其市場(chǎng)價(jià)值將超過 3.5 億美元；樂觀情況下，將超過 7.5 億美元。
如今 GaN 功率器件的“大火”，代表了 GaN 功率器件進(jìn)入高容量智能手機(jī)市場(chǎng)的第一個(gè)里程碑。而像小米這樣的移動(dòng)設(shè)備廠商，很有可能成為 GaN 電源市場(chǎng)真正的游戲規(guī)則改變者。
不過，就我個(gè)人而言，我對(duì)這樣的觀點(diǎn)持保留意見。一方面，我完全相信小米在手機(jī)電源快充市場(chǎng)的帶動(dòng)力；另一方面，而相比移動(dòng)、可穿戴設(shè)備快充市場(chǎng)，我認(rèn)為 GaN 的普及可能還要更多地借助于汽車電子和 5G 市場(chǎng)的進(jìn)一步滲透。對(duì)于汽車電子市場(chǎng)來說，期待 IGBT 的競(jìng)爭(zhēng)者久矣，是一塊處處能施展 GaN 優(yōu)勢(shì)的寶地，前面章節(jié)中所說的全 GaN 車的推出已可見一斑；對(duì)于 5G 市場(chǎng)來說，基站的建設(shè)對(duì) GaN 價(jià)格的敏感度相對(duì)較低，而其寬帶、高頻特性、高轉(zhuǎn)換率和高導(dǎo)熱率卻是剛需；此外 5G 移動(dòng)設(shè)備中射頻功率放大器等器件對(duì) GaN 優(yōu)良的高頻特性也是覬覦已久。
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基站射頻 PA 技術(shù)路線比較 | 信息源：wind
面對(duì)機(jī)遇與挑戰(zhàn)，本土芯片廠商都準(zhǔn)備好了嗎？
對(duì)于 GaN 的布局，可以說是全球都比較晚，量產(chǎn)實(shí)例不多，而中國就更晚了。如果將 GaN 產(chǎn)業(yè)從產(chǎn)業(yè)鏈的角度進(jìn)行分類，那么大致可以分為 GaN 材料廠商、GaN 元器件模組設(shè)計(jì)制造商和 GaN 終端設(shè)備系統(tǒng)商。下面我們按照順序一一展開介紹：
??? ?GaN 材料廠商（上游）
就 GaN 材料市場(chǎng)而言，據(jù) RESEARCH AND MARKETS 預(yù)測(cè)，2022 年全球 GaN 襯底市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 64 億元，2017 至 2022 年的年復(fù)合增長(zhǎng)率為 34％。
從技術(shù)的角度來看 GaN 材料，我們可以分為襯底和外延兩大部分，目前這兩個(gè)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊都是歐美日，比如德國世創(chuàng)、日本信越化學(xué)、日本勝高是氮化鎵硅基襯底的主要供應(yīng)商，日本電信公司研究所、英國 IQE 和比利時(shí)的 EpiGaN 則是硅基氮化鎵外延片的主要供應(yīng)商。相對(duì)的，我國對(duì)于 GaN 產(chǎn)業(yè)的布局較晚，再加上技術(shù)門檻較高，直至 2018 年才有了國內(nèi)首個(gè)《第三代半導(dǎo)體電力電子技術(shù)路線圖》。不過這些年，那些國產(chǎn)科技巨頭們也不是那么閑著，一部分終端廠商選擇以投資的形式提前布局，比如本文開頭所說的小米就是，早在幾年前就已入股投資納微半導(dǎo)體；另一部分材料原廠則選擇自主創(chuàng)新，如今也有所成績(jī)，比如 GaN 襯底廠商蘇州納維、東莞中鎵，GaN 外延廠商蘇州晶湛、聚能晶源等。
蘇州納維
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信息源：nanowin
蘇州納維科技有限公司成立于 2007 年 5 月，公司以中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所為技術(shù)依托，專注于從事氮化鎵襯底晶片及相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，提供各類氮化鎵材料，目前公司擁有核心技術(shù)專利近二十項(xiàng)，是中國首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商。
東莞中鎵
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信息源：sinonitride
東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于 2009 年 1 月，主營產(chǎn)品包括：氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體襯底材料，GaN/AI2O3 復(fù)合襯底、GaN 單晶襯底及氫化物氣相外延設(shè)備（HVPE）等，主要應(yīng)用于 MiniLED& MicroLED、車燈、激光器、功率器件、射頻器件。目前已建成國內(nèi)首家專業(yè)的氮化鎵（GaN）襯底材料生產(chǎn)線，制備出厚度達(dá) 1100 微米的自支撐 GaN 襯底，并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。
蘇州晶湛
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信息源：enkris
蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司成立于 2012 年 3 月，從事第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料——氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。蘇州晶湛是全球首家發(fā)布并其商業(yè)化的 8 英寸硅基氮化鎵產(chǎn)品，經(jīng)下游客戶驗(yàn)證，該 GaN 材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，并填補(bǔ)了國內(nèi)乃至世界氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白，目前已擁有全球超過 150 家的著名半導(dǎo)體公司、研究院所客戶。
聚能晶源
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信息源：genettice
聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司成立于 2018 年 5 月，是一家從事第三代半導(dǎo)體氮化鎵從材料生長(zhǎng)到器件設(shè)計(jì)、制造的解決方案商。去年 9 月，公司發(fā)布了多系列 6-8 英寸 GaN 外延晶圓產(chǎn)品，包括 8 英寸 AlGaN/GaN-on-Si 外延晶圓、8 英寸 P-cap AlGaN/GaN-on-Si 外延晶圓等。在硅基氮化鎵之外，聚能晶源還擁有 AlGaN/GaN-on-SiC 外延晶圓產(chǎn)品線，可滿足客戶在碳化硅基氮化鎵外延材料方面的需求。
??? ?GaN 元器件模組設(shè)計(jì)制造商（中游）
就 GaN 元器件、模組市場(chǎng)而言，據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu) RESEARCH AND MARKETS 預(yù)測(cè)，氮化鎵器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)至 2023 年將增長(zhǎng)至 224.7 億美元。而占據(jù)市場(chǎng)主流位置的依然是歐美日企業(yè)，比如 CREE、富士通、英飛凌、住友電工、納微半導(dǎo)體、NXP、MACOM、IR、EPC 等等。同樣的，在元器件和模組層面，我們認(rèn)識(shí)到差距的客觀存在，因此本土企業(yè)也在加速布局，目前在 GaN 元器件設(shè)計(jì)制造領(lǐng)域已有聞泰科技、士蘭微、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、蘇州能訊高能、海特高新、能華微電子、富滿電子等，代工領(lǐng)域有三安光電、海威華芯等。由于篇幅原因，下面選幾個(gè)作簡(jiǎn)要介紹。
聞泰科技
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信息源：nexperia
聞泰科技收購的安世半導(dǎo)體是全球功率半導(dǎo)體器材龍頭，已推出了用于工業(yè)電源、逆變器、轉(zhuǎn)換器、汽車牽引逆變器和車載充電器和轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景的氮化鎵效應(yīng)晶體管(GanFET)。目前，其車載 GaN 已經(jīng)量產(chǎn)，全球最優(yōu)質(zhì)的氮化鎵供應(yīng)商之一。
士蘭微
信息源：Silan
杭州士蘭微電子股份有限公司是一家專業(yè)從事集成電路以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售的高新技術(shù)企業(yè)。其旗下的 4/6 英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線項(xiàng)目主體廠房即將進(jìn)入竣工驗(yàn)收階段，公司的氮化鎵和砷化鎵芯片也都已通線點(diǎn)亮。該生產(chǎn)線主要產(chǎn)品包括下一代光通訊模塊芯片、5G 與射頻相關(guān)模塊、高端 LED 芯片等產(chǎn)品。
蘇州能訊高能
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信息源：dynax-semi
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司是由海外歸國人員創(chuàng)辦的高新技術(shù)企業(yè)，作為中國氮化鎵產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，能訊半導(dǎo)體采用了整合設(shè)計(jì)與制造（IDM）的商業(yè)模式，自主開發(fā)了氮化鎵材料生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)、晶圓工藝、封裝測(cè)試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了第三代半導(dǎo)體氮化鎵高能效功率半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)品應(yīng)用涵括了 5G 移動(dòng)通訊、寬頻帶通信等射頻微波領(lǐng)域和工業(yè)控制、電源、電動(dòng)汽車等電力電子領(lǐng)域等兩大領(lǐng)域。
海特高新
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信息源：hiwafer
四川海特高新技術(shù)股份有限公司是一家主要從事航空機(jī)載設(shè)備的檢測(cè)、維護(hù)、修理及支線飛機(jī)、直升機(jī)及公務(wù)機(jī)中小型發(fā)動(dòng)機(jī)的維修，航空技術(shù)及軟件開發(fā)，航空機(jī)載設(shè)備及航空測(cè)試設(shè)備的研制和銷售業(yè)務(wù)的公司?，F(xiàn)已建成大陸首條第二代 / 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線，部分產(chǎn)品現(xiàn)已開端量產(chǎn)，其旗下控股子公司海威華芯的 GaN 工藝已成功突破 6 英寸 GaN 晶圓鍵合技術(shù)。
能華微電子
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信息源：天眼查
江蘇能華微電子的"科能芯"系列由在氮化鎵功率外延片、器件設(shè)計(jì)、工藝流程及封裝技術(shù)領(lǐng)域有著卓越專業(yè)貢獻(xiàn)一批同路人開創(chuàng)的，公司主要從事氮化鎵功率器件系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)以及制造。
富滿電子
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信息源：superchip
深圳市富滿電子集團(tuán)股份有限公司創(chuàng)立于 2001 年，是一家從事高性能模擬及數(shù)?；旌?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E8%AE%BE%E8%AE%A1/">集成電路設(shè)計(jì)研發(fā)、封裝、測(cè)試和銷售的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。目前擁有電源管理、LED 驅(qū)動(dòng)、MOSFET 等涉及消費(fèi)領(lǐng)域 IC 產(chǎn)品四百余種，曾與 OPPO 合作研發(fā) GaN 技術(shù)的充電器。
三安光電
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信息源：sanan-e
三安光電是傳統(tǒng)照明 LED 芯片巨頭，是一家專門從事化合物半導(dǎo)體制造的代工廠，服務(wù)于射頻、毫米波、功率電子和光學(xué)市場(chǎng)，具備 襯底材料、外延生長(zhǎng)以及芯片制造的產(chǎn)業(yè)整合能力。2019 年公司實(shí)現(xiàn)了深紫外 LED 芯片量產(chǎn)，其 Mini/Micro LED 研發(fā)基地正在建設(shè)中，建成后，該基地將用于 GaN 和 GaAs Mini/Micro LED 芯片以及 4K 顯示器的研發(fā)。而目前，據(jù)三安光電表示，公司集成電路氮化鎵產(chǎn)品正處在產(chǎn)能擴(kuò)張狀態(tài)。
??? ?GaN 終端設(shè)備系統(tǒng)商（下游）
對(duì)于 GaN 終端這各板塊來說，太寬泛了。眾所周知，GaN 的應(yīng)用領(lǐng)域主要包括三大塊，分別是：micro-LED、GaN Power（GaN 功率器件） 和 GaN RF（GaN 射頻器件），而這三個(gè)方向上的設(shè)備、系統(tǒng)商都有可能會(huì)采用 GaN 元器件或模組。
就 micro-LED 領(lǐng)域而言，國外在應(yīng)用領(lǐng)域布局已比較成熟，包括 Apple、Sony 與 Lumiode 等，而國內(nèi)產(chǎn)業(yè)還停留在上游和中游，不過隨著物聯(lián)網(wǎng)和 5G 的普及，相信其滲透率會(huì)不斷上升。
就 GaN Power 領(lǐng)域而言，下游主要有汽車電子廠商、智能移動(dòng)設(shè)備廠商等，比如汽車領(lǐng)域的 Toyota Motor，電源快充領(lǐng)域的小米、OPPO、三星、ANKER、RAVpower、AUKEY、ELIXAGE 等，未來將會(huì)遍地開花。
就 GaN RF 領(lǐng)域而言，下游主要有 5G 通信設(shè)備商、傳感器廠商、國防雷達(dá)和通信設(shè)備商等，比如 5G 通信領(lǐng)域的華為、三星。
寫在最后
GaN 的時(shí)代即將帶來，雖然本土產(chǎn)業(yè)鏈和國外在技術(shù)、知識(shí)產(chǎn)權(quán)和產(chǎn)品成熟度上還存在差距，但面對(duì)這塊大蛋糕，我們已有上、中游的強(qiáng)有力支撐，我們還將擁有下游發(fā)展最寶貴的市場(chǎng)需求，因此我想說：這次，中國已經(jīng)準(zhǔn)備好了。?
《小彩蛋》
有網(wǎng)友擔(dān)心：充電器功率這么高，電池能否頂?shù)米?？?huì)加劇安全事件的發(fā)生概率嗎？
其實(shí)，快充的方式無非就是三種，第一種保持電壓不變，提高電流；第二種保持電流不變，提高電壓；第三種電流、電壓都提高，但具體提高多少需要由廠商自己來作一個(gè)平衡。當(dāng)我們采用原裝的快充設(shè)備對(duì)電池進(jìn)行充電時(shí)，阻抗匹配和電流、電壓的控制都是可以得到保障的，這也是出廠測(cè)試后的結(jié)果，此時(shí)不會(huì)加劇電池安全事件的發(fā)生概率。但假設(shè)你使用一個(gè)山寨充電器對(duì)手邊隨意一個(gè)接口匹配的設(shè)備進(jìn)行充電，那就不能保證了。
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