英特爾：三星10nm工藝？沒啥好擔心的！

這周早些時候，三星正式發(fā)布了其10nm芯片生產(chǎn)技術，我們并不清楚這一技術的具體細節(jié)（報告在這方面語焉不詳），但很多媒體暗示三星在超越英特爾。

對此論調(diào)，我深表懷疑。

來挖掘一下細節(jié)
我們談論半導體制造技術的時候，通常會用“節(jié)點標簽”，如28nm，20nm，16/14nm，但要知道，這些只是標簽。制造技術的核心是這種工藝在給定的引腳封裝內(nèi)能實現(xiàn)怎樣的性能、功耗和功能。

主要的半導體廠商通常會在一些行業(yè)論壇上公布一些報告，展示其最新芯片制造技術的關鍵特性。三星確實也發(fā)布了一篇文章介紹了其10nm工藝的一些特性參數(shù)。

盡管三星沒有提及晶體管性能和功耗，但它給出了兩個可用來比較工藝密度的指標：最小金屬間距和柵極間距。

和英特爾的14nm工藝很接近
英特爾披露其14nm工藝技術特點中最小金屬間距為52nm，柵極間距為70nm。三星公布的10nm工藝技術中這兩個數(shù)據(jù)分別為48nm和64nm。

如果綜合最小金屬間距和柵極間距這兩個指標可以作為衡量工藝密度的有用信息（這也是被廣泛接受的方法），那么同樣一個設計，采用三星10nm工藝實現(xiàn)的產(chǎn)品在面積上將為英特爾14nm工藝實現(xiàn)的產(chǎn)品的85%。

換句話說，三星10nm工藝看似領先于英特爾的14nm工藝，但要考慮到一個時間差的問題，即英特爾的14nm工藝已經(jīng)在去年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)，而三星10nm工藝可能還要推遲幾年才會真正量產(chǎn)。

再看下SRAM位元尺寸：完整性檢查
比較兩種工藝的相關密度，最好的辦法是看下兩個有可比性的設計。一種通用結構是SRAM位元。眾所周知SRAM是當前很多芯片設計的重點部分，因此也被認為是比較給定工藝密度的合理方法。

三星在10nm工藝描述中提到其SRAM位元是0.053mm²，英特爾14nm工藝中的相關數(shù)據(jù)是0.0588mm²。這些數(shù)字剛好印證了上面提到的柵極間距和最小金屬間距比較的結果（三星10nm工藝實現(xiàn)SRAM位元面積是英特爾14nm工藝的90%），是我上述分析的一個很好的論據(jù)補充。

撥開市場營銷的迷霧
我堅信三星10nm工藝技術更接近英特爾的14nm工藝，而不是英特爾的下一代10nm工藝。三星和英特爾很可能在同一時間實現(xiàn)10nm工藝的量產(chǎn)，而任何把三星和英特爾相提并論的報道都只不過是輕信了三星的市場營銷，在幫三星造勢而已。

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