聊聊國(guó)內(nèi)首臺(tái)重大技術(shù)裝備（2）

上次，介紹了《首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024年版）》中介紹的硅外延爐，濕法清洗機(jī)，氧化爐，見(jiàn)文章：《聊聊國(guó)內(nèi)首臺(tái)重大技術(shù)裝備（1）》
這次來(lái)解讀一下目錄中提到的勻膠顯影機(jī)，光刻機(jī)及離子注入機(jī)。

勻膠顯影機(jī)，光刻機(jī)，離子注入機(jī)解讀

勻膠顯影機(jī)，也可以叫做track，一般勻膠顯影是集成在一起，而不是分開(kāi)的。因此track機(jī)臺(tái)的主要功能包括光刻膠旋涂，烘烤，顯影，清洗等功能。光刻膠旋涂是將光刻膠以高速旋轉(zhuǎn)的方式均勻地涂布在晶圓表面；烘烤則是為了以去除光刻膠中的溶劑，穩(wěn)定光刻膠層，提高其附著力；顯影是為了去除正膠的曝光區(qū)域或負(fù)膠的未曝光區(qū)域。

國(guó)產(chǎn)的光刻機(jī)中有KrF光刻機(jī)與ArF光刻機(jī)。從目錄上看，KrF光刻機(jī)分辨率小于110nm，ArF光刻機(jī)小于65nm。這應(yīng)該是上海微電子的產(chǎn)品，至于ArF光刻機(jī)應(yīng)當(dāng)是非浸沒(méi)式的。這兩款光刻機(jī)相對(duì)于主流機(jī)臺(tái)還落后不少，做IC芯片無(wú)法勝任，不過(guò)是可以應(yīng)用于MEMS，LED,先進(jìn)封裝領(lǐng)域。量產(chǎn)光刻機(jī)可用的波長(zhǎng)分別為：G線（436nm），i線（365nm），KrF（248nm），ArF（193nm），EUV（13nm）。G線和 i線屬于紫外線（UV），可以由汞燈，LED燈產(chǎn)生；KrF，ArF屬于深紫外線（DUV），分別由氟化氪準(zhǔn)分子激光器，氟化氬準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生；EUV是極紫外光，可以由激光等離子體產(chǎn)生。

離子注入機(jī)的種類繁多，如果按能量來(lái)分，有低能（＜100KeV）、中能(100～300KeV）、高能(300～1000KeV）和兆伏離子注入機(jī)（≥1000KeV）；按束流分，有小束流，中束流（1～2mA）和大束流。在目錄中看到了離子注入機(jī)的種類有高能離子注入機(jī)，低能離子注入機(jī)。高能離子注入機(jī)適用于深層摻雜，低能離子注入機(jī)適用于淺層摻雜或表面改性。由于集成電路制程已經(jīng)縮小至幾納米，源漏極的結(jié)深相應(yīng)減小，為了實(shí)現(xiàn)淺層摻雜，低能大束流日漸成為主流，其技術(shù)難度也最高。

國(guó)內(nèi)外廠家有哪些？

勻膠顯影機(jī)

國(guó)外：VEECO,TEL,DNS,ASAP,EVG,SUSS等

國(guó)內(nèi)：至純，芯源微，沈陽(yáng)科儀等光刻機(jī)

國(guó)外：ASML,Nikon，Canon，VEECO，EVG,SUSS等

國(guó)內(nèi)：上海微電子等離子注入機(jī)

國(guó)外：AMAT,AXCELIS,ULVAC

國(guó)內(nèi):漢辰（臺(tái)灣），凱士通，爍科中科信等

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