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8月28-30日，PCIM Asia 2024展在深圳舉行?！靶屑艺f(shuō)”進(jìn)行了為期2天的探館，合計(jì)報(bào)道了200+碳化硅相關(guān)參展企業(yè)（.點(diǎn)這里.）。
其中，“行家說(shuō)”還重點(diǎn)采訪了瑤芯微等十余家企業(yè)，深入了解了他們?cè)谔蓟桀I(lǐng)域的最新技術(shù)進(jìn)展、產(chǎn)品創(chuàng)新以及市場(chǎng)戰(zhàn)略。接下來(lái)我們還將推送更多受訪企業(yè)的的深度報(bào)道，敬請(qǐng)期待！
行家說(shuō)三代半： 本次展會(huì)上貴公司展示了哪些產(chǎn)品？能否介紹一下核心產(chǎn)品的創(chuàng)新點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)？
瑤芯微：瑤芯微在本次展會(huì)帶來(lái)了低壓SGT MOS、高壓SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET等一系列功率器件產(chǎn)品，其中：
●?SiC MOSFET：展出了650V G4 45/60mΩ、650V G5 25/45mΩ、1200V G4.5、1200V G5以及2300V G4等產(chǎn)品。
以上產(chǎn)品以其高耐壓、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的寄生電容參數(shù)而著稱，這些特性使得它們?cè)诠I(yè)和電動(dòng)汽車領(lǐng)域中能夠顯著降低功率損耗并提高能源轉(zhuǎn)換效率。特別是650V G5系列，相較于前代產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻上實(shí)現(xiàn)了顯著降低，提升了電源拓?fù)?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E7%94%B5%E8%B7%AF/">電路的效率。而1200V G5系列則在充電過(guò)程中更加節(jié)能高效，有助于降低充電樁的運(yùn)行成本和提高其使用壽命。
● IGBT：1200V/140A G3平臺(tái)H系列IGBT單管以其極低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，成為光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用的理想選擇。而650V/150A 650V H系列則以其大電流規(guī)格和多樣化的封裝選擇，為設(shè)計(jì)工程師提供了靈活的設(shè)計(jì)解決方案，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)構(gòu)建并提高了效率。
該產(chǎn)線專注于提供高速、高效率的解決方案，特別是在光儲(chǔ)、UPS、電動(dòng)汽車充電器和焊機(jī)等應(yīng)用中。
● SJ MOSFET系列：G2.5平臺(tái)SJ MOSFET基于超結(jié)技術(shù)，優(yōu)化了比導(dǎo)通電阻和高頻率高功率應(yīng)用的性能。
● SGT MOSFET：該系列展出了三大產(chǎn)品，其中AK1G4N009GAL是針對(duì)服務(wù)器電源設(shè)計(jì)的改良型MOSFET，具有較小的導(dǎo)通電阻和降低的開關(guān)損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率；AK1G15N072GAMF是新一代150V SGT MOSFET，品質(zhì)因子優(yōu)化了50%，改善了開關(guān)和導(dǎo)通損耗，適合高頻率高負(fù)載應(yīng)用；而AKG3N005GAL是30V SGT MOSFET新產(chǎn)品，采用PDFN5x6封裝，極低的導(dǎo)通電阻，適合緊湊和高密度設(shè)計(jì)，降低導(dǎo)通損耗。
行家說(shuō)三代半： 相比友商，貴公司有哪些競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)？
瑤芯微：首先，瑤芯微采取了人才為本的策略，將總部設(shè)立在上海，以吸引和保留頂尖人才，同時(shí)在深圳設(shè)立銷售中心，以更好地貼近和服務(wù)客戶。此外，公司在成都和西安建立了研發(fā)中心，以促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品開發(fā)。
第二、公司堅(jiān)持團(tuán)隊(duì)持股，確保了團(tuán)隊(duì)對(duì)公司的控制權(quán)，這有助于保持公司的長(zhǎng)期戰(zhàn)略穩(wěn)定，不受短期財(cái)務(wù)投資者的影響。在產(chǎn)業(yè)投資方面，公司吸引了多家行業(yè)龍頭企業(yè)的投資，這不僅為公司帶來(lái)了資金支持，也帶來(lái)了行業(yè)經(jīng)驗(yàn)和資源。
第三、在知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面，公司擁有200多項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，其中22項(xiàng)為碳化硅領(lǐng)域的發(fā)明專利，這體現(xiàn)了公司在技術(shù)創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)方面的堅(jiān)定立場(chǎng)。公司完全自主可控的碳化硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)，為公司在國(guó)際市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
行家說(shuō)三代半：請(qǐng)問您如何看待碳化硅的市場(chǎng)前景？貴公司在該領(lǐng)域有哪些技術(shù)進(jìn)展？
瑤芯微：目前我們可以看到，整個(gè)碳化硅行業(yè)目前都是處在虧損的狀態(tài)，很多的廠商是基于融資，所以事實(shí)上是虧損狀態(tài)去給客戶供產(chǎn)品，但是瑤芯微4.5代產(chǎn)品是能保持正向的盈利，并且在價(jià)格上能夠符合市場(chǎng)的預(yù)期，這樣我們就可以持續(xù)的在碳化硅領(lǐng)域持續(xù)投入，保證下一代5代的產(chǎn)品持續(xù)出來(lái)。
在技術(shù)進(jìn)展方面，我們公司在今年7月成功下線了中國(guó)首塊8英寸碳化硅晶圓，這標(biāo)志著我們5代產(chǎn)品的誕生。盡管這些產(chǎn)品在上市前還需經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試和調(diào)試，但目前所有的測(cè)試數(shù)據(jù)都符合甚至超出了我們的預(yù)期。預(yù)計(jì)在不久的將來(lái)，我們將向重要的戰(zhàn)略合作伙伴提供5代產(chǎn)品進(jìn)行驗(yàn)證。
在性能指標(biāo)方面，我們最新一代的碳化硅MOS產(chǎn)品的核心性能指標(biāo)RSP值達(dá)到了2.5，這一指標(biāo)可以與全球一線廠商相媲美。
此外，我們的5代產(chǎn)品是在8英寸晶圓生產(chǎn)線上生產(chǎn)的。在全球范圍內(nèi)，能夠大規(guī)模生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的企業(yè)并不多，而在國(guó)內(nèi)，我們是首家。這不僅提升了我們的產(chǎn)品性能和市場(chǎng)布局，也大幅增加了我們的晶圓出貨量。通過(guò)嚴(yán)格的生產(chǎn)管理，我們確保了碳化硅產(chǎn)線的良率達(dá)到了92%，與硅基產(chǎn)線的水平相當(dāng)。
行家說(shuō)三代半：目前新能源汽車產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速發(fā)展期，請(qǐng)問貴公司在該領(lǐng)域有哪些合作應(yīng)用進(jìn)展？
瑤芯微：瑤芯微的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車的關(guān)鍵部件，如空壓機(jī)、車載充電機(jī)（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器（DC-DC）以及電池管理系統(tǒng)（BMS）。特別值得一提的是，我們公司是首家也是目前唯一一家進(jìn)入新能源汽車龍頭公司全球供應(yīng)鏈的中國(guó)功率器件供應(yīng)商，這標(biāo)志著我們?cè)谛履茉雌囶I(lǐng)域的領(lǐng)先地位。目前，我們的出貨產(chǎn)品已供應(yīng)200萬(wàn)臺(tái)車，成為車載功率器件領(lǐng)域的主要供應(yīng)商。
行家說(shuō)三代半：今年以來(lái)，貴公司在市場(chǎng)開拓、技術(shù)研發(fā)等方面有哪些新的成績(jī)和亮點(diǎn)？接下來(lái)有哪些發(fā)展計(jì)劃？
瑤芯微：今年以來(lái)，我們公司在市場(chǎng)開拓和技術(shù)研發(fā)方面取得了顯著的成績(jī)和亮點(diǎn)：
在消費(fèi)電子領(lǐng)域，我們的出貨量每年已超過(guò)10億顆，這一成就不僅證明了我們服務(wù)的廣泛性和質(zhì)量的可靠性，也展示了我們的供應(yīng)鏈體系能夠滿足大規(guī)模出貨的需求。
在車載領(lǐng)域，我們的產(chǎn)品已經(jīng)證明了我們的質(zhì)量體系是完全可靠的，這為我們?cè)?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E6%B1%BD%E8%BD%A6%E8%A1%8C%E4%B8%9A/">汽車行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
在工業(yè)領(lǐng)域，我們?cè)诠I(yè)變頻器和工業(yè)電源領(lǐng)域取得了良好的成績(jī)，同時(shí)在新能源領(lǐng)域，尤其是在光伏儲(chǔ)能逆變器方面，我們也取得了不俗的表現(xiàn)。盡管新能源行業(yè)近兩年受到庫(kù)存問題的影響，導(dǎo)致整體數(shù)字增長(zhǎng)受限，但我們依然保持了穩(wěn)健的發(fā)展態(tài)勢(shì)。
展望未來(lái)，我們有著明確的發(fā)展規(guī)劃。隨著我們碳化硅MOS產(chǎn)品的RSP值接近2，我們已經(jīng)將平面碳化硅MOS技術(shù)推向了極限，達(dá)到了全球頂尖水平。在此基礎(chǔ)上，我們正在研發(fā)下一代6代產(chǎn)品，這將實(shí)現(xiàn)在碳化硅核心技術(shù)上的突破。
