SiC用量減少70%！英飛凌又有多項技術(shù)創(chuàng)新

8月28-30日，PCIM Asia 2024展在深圳舉行?！靶屑艺f”進(jìn)行了為期2天的探館，合計報道了200+碳化硅相關(guān)參展企業(yè)。

其中，“行家說”還重點采訪了英飛凌等眾多企業(yè)，深入了解了他們在碳化硅領(lǐng)域的最新技術(shù)進(jìn)展、產(chǎn)品創(chuàng)新以及市場戰(zhàn)略。

行家說三代半：這次PCIM展會上英飛凌展示了哪些產(chǎn)品？有哪些創(chuàng)新點和優(yōu)勢？

英飛凌：這次展會我們特別準(zhǔn)備了面向新能源主驅(qū)應(yīng)用的新產(chǎn)品，比如HybridPACK? Drive G2 Fusion混合模塊，這款產(chǎn)品混合了SiC芯片和硅基IGBT芯片，在有效減少SiC模塊成本的同時顯著提升了模塊的應(yīng)用效率。

第二個亮點產(chǎn)品是應(yīng)用于汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的Chip Embedding，其1200V SiC 芯片可直接嵌入到PCB里，能夠最大發(fā)揮SiC芯片性能，同時實現(xiàn)了參數(shù)的提升，能夠更好地應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)里面。

行家說三代半：相比友商來說，英飛凌有哪些競爭優(yōu)勢？

英飛凌：對比友商而言，英飛凌的優(yōu)勢在于能夠提供全方位的解決方案，涵蓋SiC、IGBT、GaN等新能源汽車應(yīng)用解決方案。同時，我們對于前沿的拓?fù)浜蛻?yīng)用，有非常深的研究和Know- how，我們可以幫助客戶實現(xiàn)新的技術(shù)突破和產(chǎn)品性能優(yōu)化。

行家說三代半：您如何看待SiC和GaN的市場前景？英飛凌有哪些最新的車規(guī)級合作以及技術(shù)進(jìn)展？

英飛凌：第三代半導(dǎo)體SiC和GaN目前是非常熱的話題。英飛凌的SiC目前已經(jīng)大規(guī)模上量，特別是在800V平臺的應(yīng)用和新能源汽車的應(yīng)用上。對于車規(guī)級GaN，我們認(rèn)為會逐步在OBC、DCDC這種需要高開關(guān)頻率的應(yīng)用場合逐漸上量。此外，未來三電平拓?fù)湓谥黩?qū)中會有上升的趨勢，未來GaN預(yù)計會有更大的市場規(guī)模。

行家說三代半：您如何看待不同功率半導(dǎo)體在新能源汽車市場的發(fā)展前景？

英飛凌：電動汽車發(fā)展確實是日新月異，目前SiC應(yīng)用越來越熱，800V車型越來越多。根據(jù)我們預(yù)測，未來400V車型里，IGBT依然是首選，因為它的成本相對低一點。對高性能的車型來說，800V平臺是首選，SiC模塊、SiC&IGBT混合模塊以及SiC半橋模塊會是其中的選擇方案。

行家說三代半：英飛凌如何看混合功率模塊的技術(shù)優(yōu)勢和發(fā)展前景？

英飛凌：我們今天展出了HybridPACK? Drive G2 Fusion混合模塊，這個模塊用30%左右的SiC芯片并聯(lián)IGBT芯片，能夠滿足WLTP條件下70%到80%的工況需求，同時實現(xiàn)效率和性能的提升，而IGBT芯片主要是滿足電動汽車的加速性能需求。

同時，我們現(xiàn)在推出的750V混合模塊，選用了我們最新一代的SiC芯片和最新的IGBT芯片，它們的開關(guān)速度是非常契合的。

在驅(qū)動設(shè)計方面，我們可以做到只用單顆、單路驅(qū)動IC就可以完全適配這個混合模塊，而不需要特別定制的雙路驅(qū)動芯片。簡而言之，我們的混合模塊可以直接當(dāng)做標(biāo)準(zhǔn)品去使用，同時能做到用30%的SiC去達(dá)成原來全SiC模塊60% ~70%的性能，從而在成本下降的同時，性能依舊比原來IGBT模塊略高一些。因此，我們的Fusion模塊既能降本又能提升性能，是目前這個時間段很好的產(chǎn)品。

行家說三代半：這種混合模塊還存在哪些技術(shù)挑戰(zhàn)呢？貴公司是如何解決驅(qū)動等技術(shù)挑戰(zhàn)？

英飛凌：由于混合模塊的硅基IGBT和SiC芯片并聯(lián)，因此如何實現(xiàn)均流是一個挑戰(zhàn)。第二個挑戰(zhàn)是它的短路能力，因為兩種芯片的材料特性不一樣。對于這兩個挑戰(zhàn)，我們在前期開發(fā)和驗證的過程中，就完成了單獨測試和驗證電流的分配。

在均流方面，考慮到芯片的自適應(yīng)能力，我們輔助了單路驅(qū)動IC，可以實現(xiàn)SiC自動均流。

針對短路問題，其實在Si和SiC芯片進(jìn)行電流自動分配的時候，IGBT的導(dǎo)通能力可以分擔(dān)一部分SiC的薄弱點，所以對于混合模塊來講，它的短路能力其實不比原來的全SiC模塊差。從我們現(xiàn)有的測試結(jié)果來看，它的短路能力是完全沒問題的。而對于其他一些技術(shù)難題，我們也會對客戶進(jìn)行針對性的指導(dǎo)。

驅(qū)動挑戰(zhàn)方面，英飛凌750V混合模塊的開關(guān)性能比較契合，速度也比較快。所以不需要單獨做專門的驅(qū)動芯片，這對于終端客戶來說，他們的設(shè)計成本會降低很多，不需要太多的控制邏輯，或者雙路驅(qū)動去做實驗，也不需要特殊的控制就能滿驅(qū)動模塊的性能需求。

行家說三代半：很多企業(yè)反映今年市場需求出現(xiàn)了下滑，內(nèi)卷加劇。據(jù)您了解，這對行業(yè)造成了哪些影響？

英飛凌：行業(yè)內(nèi)卷是一直存在的，從英飛凌的角度來講，我們還是堅持以我們最好的服務(wù)和技術(shù)來應(yīng)對市場的變化，通過最好的產(chǎn)品為客戶的技術(shù)創(chuàng)新賦能。