電子封裝中的錫須現(xiàn)象及其控制策略

錫須（Tin whiskers）是在純錫（Sn）或含錫合金表面自發(fā)形成的細長、針狀的錫單晶。這些錫須通常只有幾個微米的直徑，但長度可以長達數(shù)毫米甚至超過10毫米，從而可能引發(fā)嚴重的可靠性問題。以下是關于錫須生長機制、影響因素以及抑制措施的綜合解釋：

錫須生長機制

1.驅動力：錫須生長的驅動力
主要來源于Sn和Cu之間在室溫下反應生成的Cu?Sn?金屬間化合物。這種反應在Sn內部產(chǎn)生壓應力。

2.壓應力釋放：由于Sn的室溫均勻化溫度較高，Sn原子沿晶界擴散較快。壓應力通過原子擴散和重新排列來釋放，導致垂直于應力方向的Sn原子層遷移，沿著晶界向錫須根部擴展，促使錫須生長。

3.自發(fā)過程：只要存在自由的Sn和Cu原子，錫須生長就會持續(xù)進行，是一個自發(fā)過程。

圖2笛狀晶須和呈尖銳角度完全的晶須

影響錫須生長的主要因素

1.晶粒取向和尺寸：柱狀晶和單晶柱狀晶更容易導致錫須生長，而細小晶粒也更容易產(chǎn)生錫須。

2.鍍層厚度：2~3μm厚的涂層在高應力下發(fā)生錫須的可能性最大。

3.鍍層下材料：Ni作為底襯材料時錫須生長傾向小，而Cu作為底襯材料時錫須生長傾向大。

4.溫度和濕度：錫須的增長取決于溫度與濕度，低溫低濕條件下錫須生長的可能性較小。

5.材料純度：純錫表面最容易使錫須增長。

抑制錫須生長的措施

1.合金化：在鍍槽中加入合金元素如Bi或Ag，可以有效防止錫須生長，但需注意合金加工性和成本問題。

2.擴散阻礙層：在Sn和Cu之間添加一擴散阻礙層，如電鍍一薄層Ni，可以減緩Sn和Cu之間的反應，從而抑制錫須生長。

3.表面預處理：在Cu基體或引線框架表面預先電鍍NiPdAu等，也可以有效地抑制錫須生長。

4.優(yōu)化工藝參數(shù)：控制焊接溫度盡可能低，濕度盡可能小，以減少錫須生長的可能性。

圖3純Sn涂層上短晶須的SEM照片

表面氧化物對錫須生長的影響

1.必要條件：只有會產(chǎn)生表面氧化膜的金屬才會出現(xiàn)錫須生長。

2.氧化膜厚度：表面氧化膜太厚會阻止錫須生長，而太薄則有利于錫須生長。

3.氧化膜不連續(xù)性：氧化膜的不連續(xù)性為錫須生長提供了通道。

4.錫須形態(tài)：表面氧化膜的存在阻止了錫須向側面長大，保持了錫須的均勻橫截面。

總之，錫須生長是一個復雜的過程，涉及多個因素。通過深入理解錫須生長機制并采取相應的抑制措施，可以有效地減少錫須對電子器件可靠性的影響。