晶圓代工廠“頭疼”？阿斯麥Hyper-NA EUV售價或超7.24億美元

近日，據(jù)朝鮮日報報道，阿斯麥（ASML）將針對1納米以下制程，計劃在2030年推出更先進Hyper-NA EUV光刻機設(shè)備，但可能超過7.24億美元一臺的售價會讓臺積電、三星、英特爾等半導(dǎo)體晶圓代工廠商望而卻步。

約123億美元，臺積電今明兩年訂購60臺EUV

在AI人工智能、汽車電子等產(chǎn)業(yè)的推動下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸向好。

當(dāng)前，臺積電、三星、英特爾等晶圓代工廠商之間的競爭已進入先進制程賽道，在此過程中，擁有更多先進制程所用的EUV極紫外光刻設(shè)備對廠商而言起著至關(guān)重要的作用。

臺積電作為全球最大的晶圓代工廠商，其在搶奪EUV光刻機方面也顯示出了強大的購買力。據(jù)臺灣地區(qū)媒體報道，2024-2025兩年，臺積電將接受60臺EUV光刻機，預(yù)估總投資額將超新臺幣4000億元（約122.7億美元）。

ASML是全球最大的光刻設(shè)備廠商，其對2025年規(guī)劃的產(chǎn)能目標(biāo)是，90臺EUV極紫外光刻機、600臺DUV深紫外光刻機和20臺High-NA EUV高數(shù)值孔徑光刻機。

晶圓代工廠商頭疼？Hyper-NA EUV售價或超7.24億美元

據(jù)悉，目前EUV光刻機的售價約為1.81億美元每臺，新一代的High-NA EUV倍增至2.9至3.62億美元一臺，Hyper-NA EUV光刻機售價則有可能超過7.24億美元。

如此高昂的光刻機費用，對大部分半導(dǎo)體廠商而言無疑是一種負(fù)擔(dān)。例如2023年半導(dǎo)體廠商英特爾代工業(yè)務(wù)虧損70億美元，其中，采用下一代EUV光刻機而造成成本負(fù)擔(dān)便是原因之一。

此外，臺積電也曾多次表示下一代EUV設(shè)備價格太貴。據(jù)悉，臺積電高級副總裁張曉強今年5月在技術(shù)研討會上評論ASML最新高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(High-NA EUV)時指出，“這個價格實在太高了?！北M管對光刻機的性能表示滿意，但其高達3.5億歐元的售價令人望而卻步。其甚至表示，A16先進制程節(jié)點并不一定需要EUV。

不過，進入1納米以下的埃米世代后，ASML即將推出的Hyper-NA EUV光刻機設(shè)備售價可能會讓臺積電等廠商更加“頭疼”。

對此，ASML亦有自己的考量，ASML認(rèn)為，Hyper-NA是未來埃米級制程的必要設(shè)備，其進一步指出，許多公司將采用Hyper-NA EUV，以降低多重圖形化制程的風(fēng)險。

至于未來ASML能否降低售價維系合作，亦或是臺積電、三星、英特爾等頂住壓力繼續(xù)高額采購，這場設(shè)備與制造廠商之間的拉鋸戰(zhàn)結(jié)果如何，尚需時間驗證！