5億元、1400萬(wàn)只！安徽新增1個(gè)IGBT項(xiàng)目

前幾日，安徽再次簽約1個(gè)IGBT項(xiàng)目！

6月18日，據(jù)“黟縣發(fā)布?”消息，黟縣舉行2024年二季度工業(yè)招商重點(diǎn)項(xiàng)目集中簽約儀式。本次儀式現(xiàn)場(chǎng)集中簽約5個(gè)項(xiàng)目，其中億元以上項(xiàng)目3個(gè)，總投資7.6億元，涉及電子信息、綠色食品等領(lǐng)域。其中包括一個(gè)IGBT項(xiàng)目——旺榮IGBT封裝和模組生產(chǎn)基地項(xiàng)目。

據(jù)了解，該項(xiàng)目由浙江旺榮半導(dǎo)體有限公司投資建設(shè)，項(xiàng)目總投資5億元，擬在黟新建封裝、模組生產(chǎn)線，建設(shè)集生產(chǎn)、測(cè)試、銷(xiāo)售于一體的年產(chǎn)1400萬(wàn)只IGBT封裝和模組生產(chǎn)基地。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年?duì)I收1.5億元，年繳納稅收400萬(wàn)元。

公開(kāi)資料顯示，浙江旺榮半導(dǎo)體成立于2021年，是一家以“芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、器件封裝測(cè)試、產(chǎn)品應(yīng)用”為一體的垂直整合制造模式運(yùn)營(yíng)的公司，主要聚焦于被海外巨頭壟斷的中高壓IGBT、MOSFET、FRD等功率芯片和功率模塊產(chǎn)品。

早在2023年，旺榮半導(dǎo)體就已布局半導(dǎo)體領(lǐng)域：

據(jù)“行家說(shuō)動(dòng)力總成”此前報(bào)道，2023年12月，旺榮半導(dǎo)體有限公司旗下《年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸晶圓項(xiàng)目》正式宣布竣工投產(chǎn)。該項(xiàng)目位于麗水南城七百秧D-30-5工業(yè)地塊，總用地面積102畝，由浙江旺榮半導(dǎo)體有限公司投建。項(xiàng)目總投資50億元，一期計(jì)劃投資24億元，主要建設(shè)兩條年產(chǎn)24萬(wàn)片的8英寸功率器件生產(chǎn)線，其中FRD芯片2.4萬(wàn)片/年、MOSFET芯片10.8萬(wàn)片/年、IGBT芯片10.8萬(wàn)片/年。

該項(xiàng)目將聚焦于被海外巨頭壟斷的中高壓IGBT、MOSFET、FRD等功率芯片和功率模塊產(chǎn)品，專(zhuān)注于0.18μm～0.35μm功率分立器件研發(fā)與制造，有力打破國(guó)外芯片廠商在該領(lǐng)域的壟斷，有效填補(bǔ)國(guó)內(nèi)8英寸功率器件芯片產(chǎn)能缺口，進(jìn)一步加快國(guó)產(chǎn)替代，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)新的機(jī)遇。