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盡管目前6英寸仍是SiC產業(yè)主流，但8英寸熱度正在持續(xù)走高，近期，各大廠商頻頻在8英寸進展方面?zhèn)鞒隼孟ⅲ渲芯桶?strong>合盛硅業(yè)。
5月14日，合盛硅業(yè)在業(yè)績說明會上披露，其8英寸SiC襯底研發(fā)進展順利，并實現(xiàn)了樣品的產出，正在推進8英寸襯底的量產。具體來看，合盛硅業(yè)計劃今年二季度末實現(xiàn)8英寸襯底片量產。屆時，合盛硅業(yè)將成為SiC產業(yè)又一個實現(xiàn)8英寸襯底量產的玩家。
01、合盛硅業(yè)SiC業(yè)務提速
作為一家工業(yè)硅及有機硅等硅基新材料產品研發(fā)、生產及銷售企業(yè)，合盛硅業(yè)已發(fā)展成為國內硅基新材料行業(yè)中業(yè)務鏈較完整、生產規(guī)模較大的企業(yè)之一，為其切入SiC賽道進行了一定的技術儲備。在此基礎上，合盛硅業(yè)SiC業(yè)務近年來持續(xù)加速拓展。投融資方面，2022年，合盛硅業(yè)全資子公司合盛新材擬進行增資，本次增資總投資金額為2億元，增資資金在確保滿足子公司正常運作所需資金需求的同時，也在一定程度上加快合盛硅業(yè)SiC業(yè)務發(fā)展、擴大業(yè)務規(guī)模。
合盛第三代半導體研發(fā)&智造基地技術研發(fā)方面，合盛硅業(yè)目前已完整掌握了SiC材料的原料合成、晶體生長、襯底加工以及晶片外延等全產業(yè)鏈核心工藝技術，突破了關鍵材料（多孔石墨、涂層材料）和裝備的技術壁壘，據(jù)稱，其SiC產品良率處于國內先進水平，在關鍵技術指標方面已追趕上國際龍頭企業(yè)水平。市場拓展方面，合盛硅業(yè)6英寸襯底和外延片已得到國內多家下游器件客戶的驗證，并順利開發(fā)了日韓、歐美客戶，觸角從國內向全球延伸。
隨著合盛硅業(yè)8英寸襯底量產，通過降本增效提升競爭力，以及在技術水平方面比肩國內外主流廠商，其SiC業(yè)務規(guī)模有望實現(xiàn)進一步增長。
02、全面進擊8英寸SiC
目前，8英寸加速替代6英寸，成為SiC行業(yè)主流產品的趨勢已漸趨明朗，各大廠商積極布局，從襯底、外延、設備等環(huán)節(jié)，以及產線、供貨等方面全面掀起8英寸熱潮，以期搶占先機。
襯底方面，青禾晶元在4月宣布，通過技術創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得突破，在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。
據(jù)稱，先進SiC鍵合襯底技術可以將高、低質量SiC襯底進行鍵合集成，有效利用低質量長晶襯底，與長晶技術一同推進SiC材料成本的降低。青禾晶元本次突破8英寸SiC鍵合襯底制備，有望加速8英寸SiC襯底量產進程。外延方面，百識電子近期宣布正式具備國產8英寸SiC外延片量產能力。
至此，國內8英寸SiC外延賽道又多了一個新玩家。
目前一般外延技術只能控制表面尺寸較大的致命缺陷，密度大約1/cm2，表面微坑洞數(shù)量高達每片5,000顆以上。而百識電子獨有的外延技術可將表面缺陷數(shù)量控制在密度小于0.4/cm2，表面微坑洞每片小于1,000個。
設備方面，連科半導體近日發(fā)布新一代8英寸SiC長晶爐，正式實現(xiàn)了大尺寸SiC襯底設備的全面供應。該設備具有結構設計緊湊、長晶工藝靈活、節(jié)約環(huán)保的特點。產線建設方面，世紀金芯8英寸SiC加工線近期正式貫通并進入小批量生產階段，在8英寸SiC襯底量產方向更進一步，這對于緩解國內大直徑導電型SiC單晶襯底供應緊缺局面有積極意義。簽單方面，一家國內廠商近日與日本某客戶簽訂SiC襯底訂單。
按照協(xié)議約定，該廠商將于2024年、2025年、2026年連續(xù)三年向該客戶交付8英寸SiC襯底共13萬片，訂單價值約2億美元（約14.45億人民幣）。這項合作引發(fā)了廣泛關注，有望刺激更多廠商謀求8英寸供貨。上述各大廠商相關動態(tài)，彰顯了8英寸SiC賽道正在蓬勃發(fā)展，未來將有更多技術研發(fā)進展、擴產項目建設、簽約合作事項誕生。
03、小結
目前，合盛硅業(yè)客戶遍及國內、東亞、歐美等區(qū)域，隨著8英寸襯底正式量產，其合作伙伴數(shù)量有望進一步增長，進而不斷深化全球業(yè)務布局。同時，隨著合盛硅業(yè)8英寸量產，有望在一定程度上增強國內襯底廠商的整體實力，國產替代將更有底氣。
文：集邦化合物半導體Zac
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