SPIE國際會議上的中國面孔 貢獻國產(chǎn)半導(dǎo)體檢測量測“智慧”

日前，第49屆SPIE Advanced Lithography + Patterning會議在美國加州圣何塞拉開帷幕。作為半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)于光刻和圖形成型技術(shù)最具影響力的國際會議，本屆大會吸引了來自全球各地的專家、學(xué)者，帶來近600篇論文，涉及極紫外光刻、新型圖形技術(shù)、微光刻的計量、檢驗和過程控制等六大領(lǐng)域。

SPIE（International Society for Optical Engineering）是致力于光學(xué)、光子學(xué)、光電子學(xué)和成像領(lǐng)域的研究、工程和應(yīng)用的著名專業(yè)學(xué)會，每年召開眾多學(xué)術(shù)會議，所形成的會議文獻反映了相應(yīng)專業(yè)領(lǐng)域的最新進展和動態(tài)，具有極高的學(xué)術(shù)價值。

東方晶源兩篇檢測量測技術(shù)相關(guān)論文被SPIE Advanced Lithography + Patterning會議論文集收錄，并受邀在會議現(xiàn)場通過演講及海報展示等形式進行分享，成為本次大會上出現(xiàn)為數(shù)不多的“中國面孔”。此外，東方晶源在本屆大會發(fā)布的論文數(shù)量和質(zhì)量均可比肩國際頭部公司，展現(xiàn)出在半導(dǎo)體檢測量測領(lǐng)域的技術(shù)實力，以及不斷探索前沿技術(shù)的前瞻性和領(lǐng)先性。

論文一：A noval flow of full-chip OPC model calibration and verification by utilizing SEM image contours

本篇論文中，東方晶源提出了優(yōu)化傳統(tǒng)基于CD數(shù)據(jù)（關(guān)鍵尺寸）進行OPC（光學(xué)鄰近校正）建模的方式，采用一種創(chuàng)新的流程，將掃描電鏡圖像輪廓數(shù)據(jù)加入OPC建模來提高最終OPC模型對芯片圖形的全面覆蓋能力。流程中引入了芯片圖形采樣技術(shù)，不僅可以確保對芯片圖形的全面覆蓋，還可以最大限度地減少OPC建模數(shù)據(jù)收集的工作量。在這項研究中，還實現(xiàn)了東方晶源軟件產(chǎn)品和硬件產(chǎn)品的協(xié)同優(yōu)化，可進行全過程自動化的高精度輪廓提取和OPC建模。同時也實現(xiàn)了輪廓提取結(jié)果與CD-SEM測量結(jié)果的高度匹配，使得同時利用CD數(shù)據(jù)和輪廓提取數(shù)據(jù)進行OPC建模成為可能。

東方晶源的研究結(jié)果顯示，當(dāng)引入SEM輪廓數(shù)據(jù)參與OPC模型建模后，新的OPC模型與傳統(tǒng)CD量測結(jié)果建模在1D Pattern上均有良好表現(xiàn)，同時使用了SEM輪廓建模的OPC模型對2D Pattern也有更好的預(yù)測性。這項研究證實了SEM輪廓數(shù)據(jù)用于OPC建模的可靠性和優(yōu)勢，后續(xù)東方晶源將在此領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，充分發(fā)揮在電子束量測和OPC領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，為提升集成電路制造良率管理探索更多可能。

該論文演講后，國際大廠的OPC部門對該技術(shù)方案產(chǎn)生了濃厚的興趣并與東方晶源接洽探討更多技術(shù)細節(jié)。

論文二：Innovative wafer defect inspection mode: self-adaptive pattern to pattern inspection

本篇論文中東方晶源提出了一種全新的自適應(yīng)Pattern-to-Pattern (P2P)的晶圓缺陷檢測模式。與傳統(tǒng)的Die-to-Die (D2D)、Cell-to-Cell (C2C)和Die-to-Database (D2DB)檢測方式不同， P2P檢測方式對檢測區(qū)域沒有限制，對圖像質(zhì)量依賴性低。因此這種方法可適用于SEM圖像，光學(xué)圖像等廣泛缺陷檢測領(lǐng)域。P2P檢測方式利用設(shè)計布局信息，將檢測圖像與設(shè)計圖形對齊，并根據(jù)設(shè)計圖形的幾何特征劃分基本單位。然后通過相同單位彼此比較來分析這些圖像區(qū)域，從而能夠檢查獨特和復(fù)雜的圖形。這種自適應(yīng)方法通過比較對齊的相似圖像模式消除了制造工藝變化的影響，從而防止了高度依賴于檢測算法造成的缺陷誤檢。論文中還提供了P2P缺陷檢測的實際結(jié)果，能相當(dāng)有效的檢出實際缺陷，并且?guī)缀醪恍枰M行Recipe設(shè)置。

會后，檢測設(shè)備的同行積極聯(lián)系并詢問技術(shù)細節(jié)，對東方晶源提出的上述技術(shù)理念給予了高度關(guān)注與肯定。

經(jīng)過十年的技術(shù)攻關(guān)和不斷積累，東方晶源已在計算光刻OPC、電子束量測檢測領(lǐng)域取得重大突破，以填補多項國內(nèi)空白的壯舉，成為國內(nèi)上述領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。本次兩篇論文被SPIE Advanced Lithography + Patterning會議論文集收錄，不僅體現(xiàn)出東方晶源的技術(shù)實力，以及充分將OPC、CD-SEM等技術(shù)優(yōu)勢進行結(jié)合的創(chuàng)新探索精神，同時也在國際舞臺上展現(xiàn)出中國半導(dǎo)體企業(yè)的良好風(fēng)貌。相信，隨著我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，會有越來越多的廠商登上國際舞臺，展現(xiàn)中國“芯”力量！