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以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進展。
“蛇吞象”式并購，中瓷電子擬38億買入標的
3月6日晚間，中瓷電子發(fā)布公告稱，公司于2023年3月3日收到深交所關(guān)于恢復(fù)審核公司本次重大資產(chǎn)重組的通知。此前，該事項被中止的原因是中瓷電子重大資產(chǎn)重組申請文件中記載的評估資料已過有效期。
中瓷電子還發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。
三大交易標的基本情況如下：
據(jù)悉，中瓷電子成立于2009年，2021年在深交所上市。目前，中瓷電子的主營業(yè)務(wù)為電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
而一旦三大交易標的成功注入中瓷電子，中瓷電子將新增氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點對點通信射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用業(yè)務(wù)，業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)將發(fā)生較大改變。
值得注意的是，根據(jù)中瓷電子發(fā)布的公告，中瓷電子在2022年三季度末的資產(chǎn)總額為188,425.22萬元、負債總額為65,459.11萬元，也即凈資產(chǎn)為122,966.11萬元。
而本次交易價格為383,098.68萬元，是中瓷電子凈資產(chǎn)的3倍有余。中瓷電子以“蛇吞象”的態(tài)勢，彰顯進軍第三代半導(dǎo)體的強烈愿望。
募資25億，加碼第三代半導(dǎo)體
中瓷電子還同時宣布擬向不超過35名特定對象發(fā)行股份，募集配套資金總額不超過25億，投向以下項目：
其中，“氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項目”主要建設(shè)以封裝測試環(huán)節(jié)為主的氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線，項目涉及的具體產(chǎn)品和產(chǎn)能情況如下：
“通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項目”的研發(fā)課題包括：5G通信大功率基站用新一代高效率氮化鎵射頻芯片與器件技術(shù)開發(fā)、5G通信MIMO基站/Qcell基站用高集成度GaN塑封功放技術(shù)開發(fā)、射頻微波功率器件可靠性技術(shù)、面向6G、星鏈通信用功率器件技術(shù)研究、無線通信終端用GaN功率器件技術(shù)研究、GaN射頻能量芯片與器件技術(shù)研究。
“第三代半導(dǎo)體工藝及封測平臺建設(shè)項目”將在國聯(lián)萬眾現(xiàn)有碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)線基礎(chǔ)上，搭建碳化硅功率模塊封測線，建設(shè)滿足車規(guī)級、風(fēng)力發(fā)電、高壓電網(wǎng)等應(yīng)用的SiC功率模塊產(chǎn)品生產(chǎn)能力，并不斷提高SiC功率模塊生產(chǎn)效率，提升產(chǎn)品品質(zhì)。項目產(chǎn)品涵蓋SiC功率模塊R1、SiC功率模塊R2、SiC功率模塊R3和SiC功率模塊R4產(chǎn)品。
“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目”擬圍繞碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)進行研發(fā)，制定了3,300V SiC MOSFET芯片窄線條溝槽刻蝕技術(shù)研發(fā)、3,300V SiC MOSFET芯片柵極氧化技術(shù)研發(fā)、3,300V SiC MOSFET芯片晶圓減薄技術(shù)研發(fā)、3,300V SiC高壓功率模塊封裝技術(shù)研發(fā)四個研發(fā)課題，滿足3,300V SiC高壓功率模塊對柵極氧化技術(shù)、刻蝕技術(shù)、減薄技術(shù)和封裝技術(shù)等方面的要求，最終實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)的技術(shù)目標。
可以看到，若發(fā)行股份購買資產(chǎn)及募集配套資金均得以順利完成，中瓷電子將實現(xiàn)GaN通信射頻芯片設(shè)計、制造、封裝、測試和銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，并具備碳化硅功率模塊的設(shè)計、生產(chǎn)、銷售能力，第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)有望在未來成為公司的長期增長點。
第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道
事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems共同宣布，英飛凌擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購GaN Systems，雙方已就此達成最終協(xié)議。在此之前，英飛凌的業(yè)務(wù)重心以SiC為主；收購GaN Systems后，英飛凌在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的業(yè)務(wù)版圖變得更加全面；
2023年2月，韓媒報道，韓國LED廠商Lumens已成為氮化鎵材料商Soft-Epi的最大股東。據(jù)悉，Soft-Epi在2022年5月成功開發(fā)了紅色GaN外延片，同年6月又宣布Micro LED用紅色GaN外延片已量產(chǎn)出貨；
2023年1月，美國設(shè)備廠宣布收購CVD化學(xué)氣相沉積外延設(shè)備系統(tǒng)廠Epiluvac AB，加速切入SiC外延設(shè)備領(lǐng)域，瞄準高速成長的電動汽車市場的發(fā)展機遇；
2022年11月29日，國星光電宣布正式完成對風(fēng)華芯電的股權(quán)收購，國星光電也借此順利實現(xiàn)從硅基封測到第三代半導(dǎo)體封測全覆蓋、實現(xiàn)從LED封測向半導(dǎo)體封測的跨越；
2022年10月，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASM宣布已完成對LPE的收購，而LPE是硅基和碳化硅基半導(dǎo)體外延爐設(shè)備廠商；
2022年8月，納微半導(dǎo)體正式宣布收購GeneSiC。據(jù)悉，GeneSiC擁有深厚的碳化硅功率器件設(shè)計和工藝方面的專業(yè)知識，順利合并后納微半導(dǎo)體將在下一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域創(chuàng)建了一個全面的、行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)組合。
對第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)標的的收購案例數(shù)不勝數(shù)，這主要是得益于SiC、GaN所擁有的廣闊的未來。TrendForce集邦咨詢表示，SiC、GaN在800V汽車電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費電子適配器、數(shù)據(jù)中心及通訊基站電源等領(lǐng)域的滲透率正快速提升。
市場容量方面，TrendForce集邦咨詢研究推估，第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)值將在2025年成長至47.1億美元，年復(fù)合成長率達48%。
