加入星計劃，您可以享受以下權(quán)益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權(quán)保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

RDL

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論
  • 一文讀懂先進封裝的四大要素？TSV、Bump、RDL、wafer
    一文讀懂先進封裝的四大要素？TSV、Bump、RDL、wafer
    先進封裝的四大要素——TSV（硅通孔）、Bump（凸點）、RDL（重布線層）、Wafer（晶圓）——在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔(dān)的功能，從不同維度推動了芯片小型化、集成度和性能的提升。
  • 先進封裝中的RDL-first工藝
    先進封裝中的RDL-first工藝
    什么是RDL-first工藝？RDL（Redistribution Layer，重布線層）是半導(dǎo)體封裝中的一個關(guān)鍵部分。它的作用類似于城市中的交通網(wǎng)絡(luò)，將信號從一個地方重新分配到另一個地方，使得芯片中的各個部分能夠高效地通信。
    1.1萬
    05/20 10:50
  • 全球板級封裝部署加速，TGV技術(shù)值得關(guān)注
    全球板級封裝部署加速，TGV技術(shù)值得關(guān)注
    根據(jù)Yole 2022年12月發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，全球扇出型封裝產(chǎn)值預(yù)計將在2028年達到38億美元， 2022-2028年復(fù)合年增長率為12.5%。其中，F(xiàn)OPLP（扇出型板級封裝）占據(jù)了整個扇出型封裝市場約5-10%的市場，并且未來幾年還將不斷增長。
    8944
    03/29 22:43
  • 先進封裝技術(shù)之爭 | RDL線寬線距將破亞微米，賦能扇出封裝高效能低成本集成
    先進封裝技術(shù)之爭 | RDL線寬線距將破亞微米，賦能扇出封裝高效能低成本集成
    隨著先進封裝的深入進展，重新分布層（RDL）技術(shù)獲得了巨大的關(guān)注。這種革命性的封裝技術(shù)改變了我們封裝 IC 的方式。RDL 技術(shù)是先進封裝異質(zhì)集成的基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用扇出封裝、扇出基板上芯片、扇出層疊封裝、硅光子學(xué)和 2.5D/3D 集成方法，實現(xiàn)了更小、更快和更高效的芯片設(shè)計。OSAT、 IDM和代工廠在這條道上的競爭日益激烈。如今RDL L/S?擴展到最先進 2μm及以下。未來三年將進入亞微米，賦能扇出封裝更高效能集成。本文為各位看官匯報了相關(guān)趨勢展望與企業(yè)技術(shù)進展。
  • Manz 亞智科技FOPLP封裝技術(shù)再突破
    Manz 亞智科技FOPLP封裝技術(shù)再突破
    作為一家活躍于全球并具有廣泛技術(shù)組合的高科技設(shè)備制造商Manz 集團，繼打造業(yè)界最大700 x 700 mm生產(chǎn)面積的FOPLP封裝技術(shù)?RDL生產(chǎn)線，為芯片制造商提供產(chǎn)能與成本優(yōu)勢后，持續(xù)投入開發(fā)關(guān)鍵電鍍設(shè)備，并于近日在兩大重點技術(shù)的攻關(guān)上取得重大突破： 一是鍍銅厚度達100 μm以上，讓芯片封裝朝著體積輕薄化的演進下仍能使組件具有良好的導(dǎo)電性、電性功能與散熱性； 二是開發(fā)大于5 ASD的高電鍍