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    • 1. Wafer(晶圓):基礎(chǔ)材料和封裝載體
    • 2. Bump(凸點):芯片與封裝基板的電氣和機械連接
    • 3. RDL(Redistribution Layer,重布線層):重新分配電氣信號
    • 4. TSV(Through-Silicon Via,硅通孔):實現(xiàn)垂直方向的電氣互連
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一文讀懂先進封裝的四大要素?TSV、Bump、RDL、wafer

09/18 10:21
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先進封裝的四大要素——TSV(硅通孔)、Bump(凸點)、RDL(重布線層)、Wafer(晶圓)——在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔(dān)的功能,從不同維度推動了芯片小型化、集成度和性能的提升。

1. Wafer(晶圓):基礎(chǔ)材料和封裝載體

Wafer 是先進封裝的基礎(chǔ),作為芯片制造的載體和平臺。它由高純度的硅材料制成,晶圓的質(zhì)量和尺寸直接影響芯片的性能和良率。先進封裝中,Wafer不僅是芯片制造的核心,也是未來異質(zhì)集成和多芯片封裝的基礎(chǔ)。

技術(shù)作用:晶圓是所有半導(dǎo)體電路加工的基礎(chǔ),芯片的電路都是在晶圓上進行光刻、刻蝕和沉積等復(fù)雜工藝加工而成。

隨著晶圓尺寸的增大(如從200mm到300mm),可以在單個晶圓上制造更多芯片,從而提升生產(chǎn)效率,降低成本。

晶圓的純度和表面平整度對于芯片的性能至關(guān)重要,尤其是在先進制程(如3nm、2nm)下,對結(jié)構(gòu)缺陷的控制要求極高。

為什么Wafer是四大要素之一:Wafer作為封裝和集成電路的核心材料,是所有后續(xù)封裝步驟的基礎(chǔ)載體。沒有高質(zhì)量的晶圓,后續(xù)的TSV、Bump、RDL等技術(shù)也無法實現(xiàn)高效集成。

2. Bump(凸點):芯片與封裝基板的電氣和機械連接

Bump 是實現(xiàn)芯片與封裝基板之間連接的重要元素,類似于橋梁連接兩者。通過Bump,電信號可以從芯片傳輸?shù)椒庋b基板,完成芯片與外部系統(tǒng)的通訊。

技術(shù)作用:Bump的尺寸和密度對芯片封裝的整體性能起著重要作用,尤其是在微型化封裝(如倒裝芯片技術(shù)Flip-Chip)中,凸點的大小和排列會直接影響封裝的可靠性和散熱性能。

現(xiàn)代無鉛材料如銅柱Bump替代了傳統(tǒng)的錫鉛合金凸點,不僅在環(huán)保方面更優(yōu),還具有更高的導(dǎo)電性和機械強度,適合高性能計算和移動設(shè)備。

為什么Bump是四大要素之一:Bump承擔(dān)著實現(xiàn)芯片與部基板的可靠電氣連接,并確保穩(wěn)定的信號傳輸。它是實現(xiàn)芯片封裝接口的核心技術(shù),直接影響芯片的散熱、導(dǎo)電性和機械強度。

3. RDL(Redistribution Layer,重布線層):重新分配電氣信號

RDL是用于在芯片封裝中重新分配電信號的金屬層,類似于一座城市中的道路網(wǎng)絡(luò)。它通過改變芯片上引腳的布局,實現(xiàn)更高密度的信號連接,從而在有限空間內(nèi)提高封裝性能。

技術(shù)作用:RDL能夠擴展和重新分配信號路徑,將芯片上的輸入/輸出引腳(I/O)從密集區(qū)域重新布線至較大區(qū)域,避免傳統(tǒng)封裝中引腳密度不足的問題。

現(xiàn)代封裝中,RDL層的設(shè)計已經(jīng)從單層發(fā)展為多層結(jié)構(gòu),以應(yīng)對復(fù)雜信號和高密度集成的需求。尤其是在Fan-Out(扇出型)封裝和WLP(晶圓級封裝)中,RDL的精細化布線技術(shù)成為核心。

為什么RDL是四大要素之一:RDL通過重新布線,有效提升了芯片的I/O密度和信號傳輸效率,能夠支持多層電路互連以及先進封裝中的異質(zhì)集成。這使其成為封裝高性能化和小型化不可或缺的技術(shù)。

4. TSV(Through-Silicon Via,硅通孔):實現(xiàn)垂直方向的電氣互連

TSV 是一種在硅片中開孔,允許電信號在芯片的不同層之間垂直傳輸?shù)募夹g(shù),主要用于3D集成電路和2.5D封裝。

技術(shù)作用:通過TSV技術(shù),芯片可以通過垂直方向的電氣互連,實現(xiàn)多層芯片堆疊,顯著提高了芯片的互連密度和集成度,降低了信號延遲和功耗。

2.5D TSV通過轉(zhuǎn)接板(interposer)將多個芯片集成在一起,而3D TSV則通過芯片直接垂直堆疊,實現(xiàn)更高的集成度和效率。

為什么TSV是四大要素之一:TSV為垂直方向上的芯片互連提供了有效解決方案,特別是在3D封裝中,TSV可以大大縮短信號傳輸距離,提升芯片集成度,適應(yīng)了高性能計算和AI芯片對高效能的需求。

小結(jié)一下:Wafer、Bump、RDL和TSV是先進封裝中的四大關(guān)鍵技術(shù)要素,它們分別從材料基礎(chǔ)、連接、信號分配和垂直互連四個角度,解決了高性能封裝中的不同問題。Wafer是芯片封裝的載體,Bump連接芯片與外部基板,RDL優(yōu)化了信號布線,TSV則實現(xiàn)了垂直互連。它們共同推動了半導(dǎo)體封裝技術(shù)向更小尺寸、更高密度和更高性能的方向發(fā)展。

跟老虎說芯學(xué)習(xí)芯片:通俗理解半導(dǎo)體行業(yè)基礎(chǔ)知識(入門或轉(zhuǎn)行必備)

作者:胡工,北京大學(xué)微電子本碩,北京大學(xué)半導(dǎo)體校友會成員,在半導(dǎo)體行業(yè)工作多年,常駐深圳。歡迎交流,備注姓名+公司+崗位。

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