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MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱上包括NMOS、PMOS等。

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱上包括NMOS、PMOS等。收起

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  • 業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對(duì)稱瞬態(tài)抑制二極管系列
    業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對(duì)稱瞬態(tài)抑制二極管系列
    Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出SMFA非對(duì)稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場(chǎng)上首款非對(duì)稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護(hù)碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過(guò)壓事件影響而設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)速度更快、效率更高，因此越來(lái)越受到歡迎，對(duì)穩(wěn)健柵極
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    23小時(shí)前
  • 芯聯(lián)集成三季度實(shí)現(xiàn)毛利率轉(zhuǎn)正
    公司三季度實(shí)現(xiàn)毛利率轉(zhuǎn)正，單季度毛利率約為6%。 2024年10月13日，芯聯(lián)集成（688469.SH）發(fā)布2024年前三季度業(yè)績(jī)預(yù)告。公司營(yíng)收、凈利潤(rùn)、EBITDA(息稅折舊攤銷前利潤(rùn))等指標(biāo)均保持高增長(zhǎng)，這也是公司自去年5月份上市來(lái)一貫保持的業(yè)績(jī)?cè)鏊俟?jié)奏。 公司預(yù)計(jì)2024年前三季度： 營(yíng)業(yè)收入約為45.47億元，同比增加約7.16億元，增長(zhǎng)約18.68%； 歸母凈利潤(rùn)約為-6.84億元，同比
  • 4家SiC企業(yè)獲得汽車訂單，供應(yīng)廣汽等7家車企
    4家SiC企業(yè)獲得汽車訂單，供應(yīng)廣汽等7家車企
    近日，“行家說(shuō)三代半”獲悉，國(guó)內(nèi)外又有4家企業(yè)/機(jī)構(gòu)斬獲新訂單，推動(dòng)SiC“上車”：●?芯聯(lián)集成：獲廣汽埃安旗下全系車型定點(diǎn)，提供SiC MOSFET與硅基IGBT芯片和模塊?！?芯聚能：碳化硅功率模塊已定點(diǎn)海內(nèi)外6家車廠10個(gè)項(xiàng)目。●?CISSOID：SiC逆變器控制模塊被Hydro Leduc采用，將應(yīng)用于卡車和越野車。
  • 芯聯(lián)集成獲廣汽埃安旗下全系車型定點(diǎn)
    芯聯(lián)集成獲廣汽埃安旗下全系車型定點(diǎn)
    日前，在功率器件、MEMS、連接三大產(chǎn)品方向上擁有領(lǐng)先核心芯片技術(shù)的芯聯(lián)集成（688469.SH）與廣汽埃安簽訂了一項(xiàng)長(zhǎng)期合作戰(zhàn)略協(xié)議。 根據(jù)協(xié)議，芯聯(lián)集成將為廣汽埃安旗下全系新車型提供高性能的碳化硅（SiC）MOSFET與硅基IGBT芯片和模塊，這些芯片和模塊將被應(yīng)用于廣汽埃安未來(lái)幾年內(nèi)生產(chǎn)的上百萬(wàn)輛新能源汽車上，以提供更高效、更穩(wěn)定的能源轉(zhuǎn)換和控制，從而提升車輛的性能和駕駛體驗(yàn)。 通過(guò)與芯聯(lián)集
  • 高效率，全集成4-MOSFET 升降壓轉(zhuǎn)換器TMI5330
    一周前迎來(lái)Apple發(fā)布新機(jī)iPhone16，該系列新機(jī)繼續(xù)秉承Qi2無(wú)線充電協(xié)議并且最高功率可達(dá)15W。而無(wú)線充為適應(yīng)市面紛繁復(fù)雜的充電器，在發(fā)射端的電源供電最佳選擇便是升降壓轉(zhuǎn)換器。TOLL適時(shí)推出一款可支持45W的內(nèi)置4-MOSFET的升降壓轉(zhuǎn)換器，具有易散熱，高效率，小體積的特點(diǎn)，外加工作頻率可調(diào)，在體積受限的無(wú)線充電應(yīng)用中能夠調(diào)整出最佳的效率狀態(tài)。此外，TMI5330輸入耐壓高達(dá)30V，
  • 功率半導(dǎo)體各品類及下游應(yīng)用市場(chǎng)空間分析
    功率半導(dǎo)體各品類及下游應(yīng)用市場(chǎng)空間分析
    在功率半導(dǎo)體發(fā)展過(guò)程中，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20 世紀(jì)60-70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20 世紀(jì)70 年代末，平面型功率 MOSFET 發(fā)展起來(lái)。20世紀(jì)80年代后期，溝槽型功率 MOSFET 和 IGBT 逐步面世，半導(dǎo)體功率器件正式進(jìn)入電子應(yīng)用時(shí)代。20世紀(jì)90 年代，超級(jí)結(jié) MOSFET 逐步出現(xiàn)，打破了傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品的性能限制以
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    09/26 08:50
  • 意法半導(dǎo)體推出集成化高壓功率級(jí)和節(jié)省空間的評(píng)估板讓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器變得更小、更可靠
    意法半導(dǎo)體推出集成化高壓功率級(jí)和節(jié)省空間的評(píng)估板讓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器變得更小、更可靠
    為加快緊湊可靠的電扇和電泵的開(kāi)發(fā)速度，意法半導(dǎo)體推出了PWD5T60三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及支持靈活控制策略的即用型評(píng)估板。 PWD5T60的工作電壓高達(dá) 500V，集成一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)RDS(ON) 1.38?的功率 MOSFET開(kāi)關(guān)管，能量面積比非常出色。該模塊還內(nèi)置零壓降自舉二極管，整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路只需很少的外部元器件，而占板面積僅為采用分立器件的等效驅(qū)動(dòng)器的30%。高低邊MOSFET開(kāi)關(guān)管的傳播延
  • 【新品發(fā)布】超強(qiáng)集成抗ESD型MOSFET 柵源IEC6100-4-2接觸放電大于±6kV
    新品發(fā)布】超強(qiáng)集成抗ESD型MOSFET 柵源IEC6100-4-2接觸放電大于±6kV 一、引言 MOSFET損壞的主要原因包括靜電損壞、過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱和寄生振蕩等。為了預(yù)防和解決這些問(wèn)題，可以采取一系列措施，包括合理設(shè)計(jì)電路、做好靜電與浪涌防護(hù)、選擇合適的MOSFET型號(hào)、加強(qiáng)散熱設(shè)計(jì)以及定期檢查和維護(hù)。 二、MOSFET簡(jiǎn)介 MOSFET，全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-O
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    09/20 16:43
  • Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
    Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
    Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。這些柵極驅(qū)動(dòng)器專為驅(qū)動(dòng)MOSFET而設(shè)計(jì)，通過(guò)增加其余兩個(gè)邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅(qū)動(dòng)器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本，為客戶提供了全面的選
  • 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Toshiba多樣化電子元器件和半導(dǎo)體產(chǎn)品
    授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Toshiba多樣化電子元器件和半導(dǎo)體產(chǎn)品
    專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Toshiba電子元器件和解決方案的全球授權(quán)代理商。貿(mào)澤有7000多種Toshiba產(chǎn)品開(kāi)放訂購(gòu)，其中3000多種有現(xiàn)貨庫(kù)存，豐富多樣的Toshiba產(chǎn)品組合可幫助買(mǎi)家和工程師開(kāi)發(fā)滿足市場(chǎng)需求的產(chǎn)品。 Toshiba TCKE9系列23V 4A電子熔斷器可保護(hù)電源線路免受外部過(guò)流和過(guò)壓的影
  • 聊聊低壓MOSFET
    聊聊低壓MOSFET
    低壓MOSFET憑借其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、硅面積小和快速開(kāi)關(guān)能力，廣泛用于低壓電源管理和數(shù)字電路中。然而，由于薄柵氧化層和較小的漏極漂移區(qū)，它只能承受較低的Vgs和Vds，因此不適用于高壓場(chǎng)合。
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    09/13 15:45
  • Nexperia現(xiàn)提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級(jí)小信號(hào)MOSFET
    Nexperia現(xiàn)提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級(jí)小信號(hào)MOSFET
    Nexperia今日宣布推出采用微型DFN封裝的單和雙小信號(hào)MOSFET器件，分別采用DFN1110D-3和DFN1412-6封裝，且符合汽車可靠性標(biāo)準(zhǔn)。特別是DFN1110D-3封裝得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，在用于汽車應(yīng)用的晶體管和MOSFET的行業(yè)中成為“基準(zhǔn)”封裝。 DFN1110D-3和DFN1412-6屬于無(wú)引腳封裝，具有出色的熱性能，從結(jié)到環(huán)境的熱阻(Rthj-s )降低了近50%，并采
  • ??Nexperia擴(kuò)展功率器件產(chǎn)品組合，新增標(biāo)準(zhǔn)和車規(guī)級(jí)理想二極管?
    ??Nexperia擴(kuò)展功率器件產(chǎn)品組合，新增標(biāo)準(zhǔn)和車規(guī)級(jí)理想二極管?
    ??Nexperia宣布為其持續(xù)擴(kuò)展的功率器件產(chǎn)品組合新增兩款理想二極管IC。其中，NID5100適用于標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用，而NID5100-Q100已獲得認(rèn)證，可用于汽車應(yīng)用。這兩款理想二極管均以MOSFET為基礎(chǔ)，擁有比傳統(tǒng)二極管更低的正向壓降，非常適合用來(lái)替換系統(tǒng)中的標(biāo)準(zhǔn)二極管，進(jìn)而滿足相關(guān)的超高能效要求。 ? ??NID5100和NID5100-Q100理想二極管采用小型TSSP6/SOT
  • 芯聯(lián)集成2024年上半年答卷：營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)14.27%，同比減虧57.53% ?
    芯聯(lián)集成2024年上半年答卷：營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)14.27%，同比減虧57.53% ?
    疾風(fēng)知?jiǎng)挪荨?8月30日晚，芯聯(lián)集成（688469，SH）交出2024年上半年業(yè)績(jī)答卷。 芯聯(lián)集成半年度營(yíng)業(yè)收入為28.80億元，同比增長(zhǎng)14.27%；主營(yíng)業(yè)務(wù)收入為27.68億元，同比增長(zhǎng)為11.51%；2024年半年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為-4.71億元，與上年同期相比減虧6.38億元，同比減虧57.53%。 主營(yíng)收入和凈利潤(rùn)的大幅提升受益于行業(yè)下游比如新能源汽車及消費(fèi)市場(chǎng)需求復(fù)蘇，
  • 羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動(dòng)汽車品牌“極氪”3種主力車型
    羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動(dòng)汽車品牌“極氪”3種主力車型
    日前，搭載了羅姆（總部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊成功應(yīng)用于浙江吉利控股集團(tuán)（以下簡(jiǎn)稱“吉利”）的電動(dòng)汽車（以下稱“EV”）品牌“極氪”的“X”、 “009”、 “001”3種車型的主機(jī)逆變器上。自2023財(cái)年起，這款功率模塊經(jīng)由羅姆和正海集團(tuán)的合資公司—上海海姆希科半導(dǎo)體有限公司批量供貨給吉利旗下Tier1廠商——寧波威睿電動(dòng)汽車技術(shù)有限公司。
  • AMEYA360：上海雷卯MOSFET器件參數(shù)：TJ、TA、TC到底講啥？
    近日，經(jīng)常被問(wèn)及MOSFET器件的參數(shù)計(jì)算問(wèn)題。在本文中，AMEYA360將分享關(guān)于MOSFET中幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法：TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。 1. MOSFET溫度參數(shù)的重要性 在電力電子應(yīng)用中，溫度是影響MOSFET性能和壽命的關(guān)鍵因素。過(guò)高的溫度會(huì)導(dǎo)致器件性能下降，甚至損壞。因此，了解和計(jì)算這些溫度參數(shù)對(duì)于確保MOSFET器件的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。 2. 溫度
  • 【新品發(fā)布】圣邦微電子推出 2.9V 至 6V 輸入，6A，車規(guī)級(jí)同步降壓轉(zhuǎn)換器 SGM61060Q
    【新品發(fā)布】圣邦微電子推出 2.9V 至 6V 輸入，6A，車規(guī)級(jí)同步降壓轉(zhuǎn)換器 SGM61060Q
    圣邦微電子推出 SGM61060Q，一款 2.9V 至 6V 輸入，6A，車規(guī)級(jí)同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件可應(yīng)用于汽車數(shù)字儀表、ADAS 傳感器融合、環(huán)視電控單元、數(shù)字座艙等。 SGM61060Q 是一款高效的 6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，集成了功率 MOSFET，支持2.9V 至 6V 寬輸入范圍。該芯片采用固定頻率的峰值電流模式控制，針對(duì)高密度應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，使用極少量外部元件?？赏ㄟ^(guò)選擇高達(dá) 2MHz
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    08/23 07:23
  • 【測(cè)試案例分享】使用示波器自動(dòng)化測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗
    【測(cè)試案例分享】使用示波器自動(dòng)化測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗
    開(kāi)關(guān)電源是當(dāng)前電子信息飛速發(fā)展不可或缺的電源方式之一。開(kāi)關(guān)電源以其功耗小、效率高、節(jié)能效果顯著的優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)類電子以及各類供電系統(tǒng)當(dāng)中，成為一種主流的電源產(chǎn)品。 測(cè)試需求 開(kāi)關(guān)電源集成化是電源未來(lái)發(fā)展的主要趨勢(shì)，這也就意味著功率密度將會(huì)越來(lái)越大，對(duì)工藝要求也會(huì)越來(lái)越高，在半導(dǎo)體器件和磁性材料沒(méi)有新的突破之前，技術(shù)創(chuàng)新的重點(diǎn)將集中在如何提高開(kāi)關(guān)電源的效率和減小重量上。 典型開(kāi)關(guān)式電源的效
  • 淺談光電探測(cè)器和圖像傳感器（五）-原理、材料、器件結(jié)構(gòu)
    續(xù)（四） /00 前言/ 前面介紹了按波長(zhǎng)分類的紫外、可見(jiàn)、紅外探測(cè)器。在器件結(jié)構(gòu)選擇上，不同波段的探測(cè)器結(jié)構(gòu)沒(méi)有明顯的區(qū)別，三個(gè)波段的探測(cè)器件都可以基于光伏、光電導(dǎo)效應(yīng)設(shè)計(jì)不同的器件結(jié)構(gòu)，其中光熱電主要應(yīng)用于紅外波段。材料選擇上，主要基于不同的探測(cè)波段選擇對(duì)應(yīng)帶隙的材料，其中紅外需要窄帶隙的材料，而紫外探測(cè)對(duì)應(yīng)寬帶隙的材料。本文主要基于”淺談光電探測(cè)器和圖像傳感器（四）“的基礎(chǔ)上分別從材料、器件
  • 安森美設(shè)計(jì)工具入門(mén)指南
    安森美設(shè)計(jì)工具入門(mén)指南
    就系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)而言，開(kāi)發(fā)工具的重要性不亞于為您的應(yīng)用找到合適的方案。安森美 (onsemi) 提供豐富全面的工具和軟件，助您輕松掌控設(shè)計(jì)過(guò)程。我們的工具致力于幫助您找到合適的產(chǎn)品，并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期的產(chǎn)品選型、測(cè)試和分析等環(huán)節(jié)中，為您提供全程支持。 本文介紹了我們?nèi)娴墓ぞ邘?kù)中的一些工具，以便您可以輕松開(kāi)始設(shè)計(jì)工作。 圖 1：安森美設(shè)計(jì)工具 Product Recommendation Tools+?

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