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MOS管

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PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。收起

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  • 解鎖MOS管：溫度估算不再燒腦~
    解鎖MOS管：溫度估算不再燒腦~
    溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一，為防止過熱導(dǎo)致的MOS失效，使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過程中產(chǎn)生的各種損耗，能量不會(huì)憑空消失，損失的能量最終會(huì)通過轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃勘幌牡?，損耗越大發(fā)熱量也隨之越大。在MOSFET開啟的過程中隨著
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  • 反激式電源為什么上電最容易燒MOS管？
    反激式電源為什么上電最容易燒MOS管？
    這篇文章總結(jié)一下最近在研究的反激電源RCD吸收回路和VDS尖峰問題。這也是為什么MOS管在開機(jī)容易被電壓應(yīng)力擊穿的原因。下圖是反激電源變壓器部分的拓?fù)洹?/div>
  • 首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽圓滿舉辦
    首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽圓滿舉辦
    無籃球，不夏天！今年夏天，「首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽」火熱開場(chǎng)！本屆賽事是由德益會(huì)智造 SK廠BA籃球館承辦，Slkor薩科微半導(dǎo)體冠名贊助！自7月5日晚的開幕式至7月16日晚的頒獎(jiǎng)閉幕式，這期間德益會(huì)智造隊(duì)等11支球隊(duì)奮力拼搏，秉持“友誼第一，比賽第二”的賽事精神，用汗水、激情和活力傾力奉獻(xiàn)了29場(chǎng)精彩紛呈、亮點(diǎn)不斷的賽事！Slkor薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生出席開幕式，期間多次到場(chǎng)觀賽助戰(zhàn)，
  • 對(duì)標(biāo)學(xué)習(xí)世界級(jí)企業(yè) 薩科微Slkor半導(dǎo)體不斷微創(chuàng)新帶來大進(jìn)步！
    對(duì)標(biāo)學(xué)習(xí)世界級(jí)企業(yè) 薩科微Slkor半導(dǎo)體不斷微創(chuàng)新帶來大進(jìn)步！
    我國(guó)的科學(xué)研究和先進(jìn)技術(shù)，與先進(jìn)國(guó)家相比還有差距，這一點(diǎn)還體現(xiàn)在社會(huì)生產(chǎn)效率和人均GDP上面。宋仕強(qiáng)說，我們只有抓住科技進(jìn)步的風(fēng)口如人工智能（AI），再加上公司內(nèi)部的研發(fā)和管理等環(huán)節(jié)的微創(chuàng)新，才可以立于不敗之地。深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司近年來發(fā)展迅速，憑借碳化硅、氮化鎵等新材料、功率器件設(shè)計(jì)加工環(huán)節(jié)的先進(jìn)工藝、高效管理和快速擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，不斷降低產(chǎn)品價(jià)格、提高市場(chǎng)的占有率，受到了世界各地客戶的認(rèn)
  • AMEYA360：MOS管失效的六大原因
    功率器件在近幾年的市場(chǎng)方面發(fā)展的非常火爆，尤其是 MOS 管，他主要應(yīng)用在電源適配器，電池管理系統(tǒng)以及逆變器和電機(jī)控制系統(tǒng)中。而隨著計(jì)算器主板，AI 顯卡，服務(wù)器等行業(yè)的爆發(fā)，低壓功率 MOS 管將再次迎來爆發(fā)性的市場(chǎng)需求。
  • BMS 中的放電 MOS 是怎么燒毀的？
    BMS 中的放電 MOS 是怎么燒毀的？
    大多數(shù)人想到的原因要么是自己選的 MOS 耐流能力不夠大，要么就是嫌自己并的不夠多，然而當(dāng)我們換了更大的 MOS 管，或者多并聯(lián)了幾個(gè)后，還是會(huì)出現(xiàn)燒毀的情況，真是捉摸不透啊。其實(shí)并不是我們選擇 MOS 有問題，而是我們電路的設(shè)計(jì)上沒有注意 MOS 的微觀狀態(tài)，當(dāng)然一定的降額設(shè)計(jì)和良好的散熱是必不可少的。今天聊一下 BMS 中 MOS 管的過流損壞。我認(rèn)為半導(dǎo)體器件的損壞大體上可以分為三種：機(jī)械損壞，過流燒毀，過壓擊穿。
  • 【六】BMS 的保護(hù)電路設(shè)計(jì)及 MOS 管選型
    【六】BMS 的保護(hù)電路設(shè)計(jì)及 MOS 管選型
    BMS 系統(tǒng)中最主要的功能，當(dāng)為保護(hù)莫屬，無論是過壓欠壓保護(hù)，還是高溫低溫保護(hù)，亦或是過流及短路保護(hù)。這其中最考驗(yàn)電路設(shè)計(jì)的地方當(dāng)屬過流保護(hù)和短路保護(hù)，原因在于BMS 系統(tǒng)中溫度和電壓的突變幾乎是不可能的，而對(duì)于電流，是時(shí)常出現(xiàn)突變的。
  • 超結(jié)MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
    超結(jié)MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
    MOS管在5G電源上的應(yīng)用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列，同步整流線路推薦低壓SGT MOS系列。5G基站是5G網(wǎng)絡(luò)的核心設(shè)備，實(shí)現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡(luò)與無線終端之間的無線信號(hào)傳輸，5G基站主要分為宏基站和小基站。5G基站由于通信設(shè)備功耗大，采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監(jiān)控模塊組成的電氣柜。所以顧名思義，5G電源就是指5G通訊設(shè)備專用電源。
  • 碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
    碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
    三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負(fù)載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號(hào)產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對(duì)正弦波進(jìn)行調(diào)制，就會(huì)得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。
  • 世微 dc-dc降壓恒流 LED汽車大燈 單燈 14V5A 68W車燈驅(qū)動(dòng)方案 AP5191
    世微 dc-dc降壓恒流 LED汽車大燈 單燈 14V5A 68W車燈驅(qū)動(dòng)方案 AP5191
    AP5191是一款PWM工作模式,高效率、外圍簡(jiǎn)單、外置功率MOS管，適用于4.5-150V輸入的高精度降壓LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片。輸出最大功率150W，最大電流6A。AP5191可實(shí)現(xiàn)線性調(diào)光和PWM調(diào)光，線性調(diào)光腳有效電壓范圍0.55-2.6V.AP5191 工作頻率可以通過RT 外部電阻編程來設(shè)定，同時(shí)內(nèi)置抖頻電路，可以降低對(duì)其他設(shè)備的 EMI 干擾。
  • 碳化硅MOS管與MOS管有何差異？碳化硅有什么優(yōu)勢(shì)？
    碳化硅MOS管是以碳化硅半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細(xì)介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應(yīng)用等方面的區(qū)別。
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    2023/09/27
  • MOS管的大信號(hào)模型和小信號(hào)模型--電路分析的基礎(chǔ)
    NMOS管，其電路模型可分為大信號(hào)模型和小信號(hào)模型。大信號(hào)模型，是一個(gè)完整的通用的模型，其對(duì)輸入交流信號(hào)沒有要求；而小信號(hào)模型，使用的前提，是輸入交流信號(hào)足夠的小。
  • MOS管的Miller 效應(yīng)
    本文對(duì)于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。
    2705
    2022/09/15
  • 芯片設(shè)計(jì)時(shí)，能動(dòng)MOS管哪些尺寸呢？
    在上篇MOS管的工作原理中，講到MOS管可以看成一個(gè)電容結(jié)構(gòu)，當(dāng)對(duì)該電容結(jié)構(gòu)添加如下圖所示外置電壓時(shí)，在導(dǎo)體板上會(huì)出現(xiàn)正電荷，而P型硅上則會(huì)感應(yīng)出負(fù)電荷。
  • 產(chǎn)研?| 中國(guó)功率分立器件產(chǎn)業(yè)分析（截止2022年1月）
    大缺貨時(shí)代，中國(guó)功率器件行業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
  • 小巧而優(yōu)雅的電路設(shè)計(jì)
    介紹了由 David Levi 的博客中他制作的一款小巧優(yōu)雅的電子琴。他巧妙的利用了電阻網(wǎng)絡(luò)形成了指數(shù)電壓電路，進(jìn)而產(chǎn)生了準(zhǔn)確的音節(jié)頻率。這樣的設(shè)計(jì)給與我們更多有趣的電路設(shè)計(jì)技巧。很可惜在其博客中并沒有找到完整的電路設(shè)計(jì)圖紙。
    841
    2021/10/07
  • MOS管寄生電容是如何形成的？
    MOS管規(guī)格書中有三個(gè)寄生電容參數(shù)，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該三個(gè)電容參數(shù)具體到管子的本體中，分別代表什么？是如何形成的？
    700
    2021/08/16
  • HT7179 12V升24V內(nèi)置MOS大電流升壓IC解決方案
    在很多電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)與應(yīng)用中經(jīng)常會(huì)涉及到升壓電路的設(shè)計(jì)，對(duì)于較大的功率輸出，比如70W以上的DC-DC升壓電路，由于專用升壓芯片封裝散熱的局限性，導(dǎo)致內(nèi)部開關(guān)管的功率受到限制，很難做到集成MOS開關(guān)管的大功率升壓轉(zhuǎn)換IC。
  • LC串聯(lián)諧振的意義
    我一直有一個(gè)感覺：咱們硬件工程師，會(huì)遇到各種各樣的問題，亦或是各種各樣的現(xiàn)象，總會(huì)有一個(gè)非常簡(jiǎn)單的解釋，一句話或者是幾句話，我們見多了這個(gè)解釋，就自以為明白了，當(dāng)別人再問起我們的時(shí)候，我們也會(huì)拿這句話去給別人解釋。
  • 非常精妙的主副電源自動(dòng)切換電路，并且“零”壓降，客官你GET到精髓了嗎？
    在國(guó)外看到一個(gè)電路，也是寫主副電源自動(dòng)切換的電路，設(shè)計(jì)的非常巧妙，剛看到標(biāo)題時(shí)，我就想我不是已經(jīng)分享過類似文章了么，但是還是點(diǎn)進(jìn)去看了。

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