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今天這篇文章，是在白云機(jī)場(chǎng)寫(xiě)的，我都佩服我自己竟然這么勤奮，沒(méi)辦法，后臺(tái)小伙伴一直催更文章，我只能犧牲掉一切娛樂(lè)時(shí)間陪你們了?？吹竭@里，如果這篇文章你還不轉(zhuǎn)發(fā)朋友圈，那真是不夠意思了，感謝大家支持芯片之家，你們的轉(zhuǎn)發(fā)點(diǎn)贊就是我的最佳動(dòng)力！在國(guó)外看到一個(gè)電路，也是寫(xiě)主副電源自動(dòng)切換的電路，設(shè)計(jì)的非常巧妙，剛看到標(biāo)題時(shí)，我就想我不是已經(jīng)分享過(guò)類(lèi)似文章了么，但是還是點(diǎn)進(jìn)去看了下。之前的電路：USB 外接電源與鋰電池自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)，你 GET 到精髓了嗎？

上面電路設(shè)計(jì)也挺不錯(cuò)的，如果 VCC 端需要的電壓不一定要求等于 VUSB，那么這個(gè)電路是可以的，那么問(wèn)題來(lái)了，如果主副輸入電壓相等，同時(shí)要求輸出也是同樣的電壓，不能有太大的壓降，怎么設(shè)計(jì)？上面的電路肯定不能滿足了，因?yàn)?D1 的壓降最小也是 0.3V，我們看下面的電路。

這個(gè)電路咋一看復(fù)雜很多，其實(shí)很簡(jiǎn)單，巧妙的利用了 MOS 管導(dǎo)通的時(shí)候低 Rds 的特性，相比二極管的方式，在成本控制較低的情況下，極大的提高了效率。

本電路實(shí)現(xiàn)了，當(dāng) Vin1 = 3.3V 時(shí)，不管 Vin2 有沒(méi)有電壓，都由 Vin1 通過(guò) Q3 輸出電壓，當(dāng) Vin1 斷開(kāi)的時(shí)候，由 Vin 通過(guò) Q2 輸出電壓。因?yàn)檫x用 MOS 管的 Rds 非常小，產(chǎn)生的壓降差不多為數(shù)十 mV，所以 Vout 基本等于 Vin。

原理分析

1、如果 Vin1 = 3.3V，NMOS Q1 導(dǎo)通，之后拉低了 PMOS Q3 的柵極，然后 Q1 也開(kāi)始導(dǎo)通，此時(shí)，Q2 的柵極跟源極之間的電壓為 Q3 的導(dǎo)通壓降，該電壓差不多為幾十 mV，因此 Q2 關(guān)閉，外部電源 Vin2 斷開(kāi)，Vout 由 Vin1 供電，Vout = 3.3V。此時(shí)整個(gè)電路的靜態(tài)功耗 I1+I2 = 20uA。

2、現(xiàn)在，Vin1 斷開(kāi)了，Q1 截止，Q2 的柵極有 R1 的下拉，所以 Q2 導(dǎo)通，Q3 的柵極通過(guò) R2 上拉，所以 Q3 也截止，整個(gè)電路，Q1 跟 Q3 截止，Vout 由 Vin2 供電，Vout = 3.3V。此時(shí)上面電路 I1 跟 I2 的靜態(tài)功耗不存在。

分析完畢。當(dāng)存在主電源時(shí)，電路的靜態(tài)功耗為 20uA，否則，幾乎為零。所以電池適合在外部電源供電。

MOSFET Q1、Q2 跟 Q3 應(yīng)該選擇具有低壓柵極和非常低的導(dǎo)通電阻特性。例如：Q2 = Q3 = PMN50XP ，在 V gs = 3.3V 時(shí) R dsON 為 60mΩ。晶體管 T3 可以是流 2N7002，僅供參考，實(shí)際根據(jù)不同的情況選擇合適的 MOSFET。

本電路的一大優(yōu)點(diǎn)就是，整個(gè)電路幾乎不存在壓降，當(dāng)然電流很大的適合另說(shuō)，巧妙的控制三個(gè) MOS 管的開(kāi)啟與截止，最大效率的實(shí)現(xiàn)的主副電源的自動(dòng)切換。大家還有什么好的建議以及電路，可以留言大家一起交流！

最后，關(guān)于電路的學(xué)習(xí)，希望大家，enjoy！