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DDR

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ddr是一個內(nèi)存名稱,意思即雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器,是內(nèi)存的其中一種。 ddr,Data Direction Register的簡稱,是一種數(shù)據(jù)方向寄存器,用來設(shè)置端口的方向。

ddr是一個內(nèi)存名稱,意思即雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器,是內(nèi)存的其中一種。 ddr,Data Direction Register的簡稱,是一種數(shù)據(jù)方向寄存器,用來設(shè)置端口的方向。收起

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    PSIJ,那是一場無聲的風暴 在高速信號傳輸?shù)氖澜缋?,每一個細微的“波動”都可能引發(fā)巨大的影響。而如今,一個隱匿的“殺手”正悄然威脅著高速信號的穩(wěn)定性——那就是電源引起的高速信號抖動PSIJ(Power Supply Induced Jitter)。這個看似陌生的術(shù)語,卻在電子領(lǐng)域掀起了一場無聲的風暴。當高速信號供電電源受到挑戰(zhàn),高速信號便如同在波濤洶涌的大海中航行的船只,搖擺不定,失去了精準的方
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    在產(chǎn)品的設(shè)計過程中,等長匹配是需要關(guān)注的一項工作。串行信號常見的規(guī)則為+/-5mil,有的資料會給出<1ps的匹配要求。并行信號的規(guī)則就比較復(fù)雜一點。下面以常見的DDR為例,來進行相關(guān)的說明。
  • HBM革新浪潮下,AMD加速卡定義內(nèi)存與計算融合新方向
    在AMD Alveo V80加速卡中,Versal HBM 自適應(yīng) SoC 的支持是一大亮點。Alveo V80作為一個網(wǎng)絡(luò)附接的加速器卡,可以和存儲驅(qū)動器連接,應(yīng)對非常廣泛的工作負載和需求。
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    06/17 07:48
  • NUC980_NuWriter 燒寫或者重啟報錯Err-DDR
    在調(diào)試新唐的nuc980時,遇到一個問題,燒寫或者重啟時,有時會出現(xiàn)內(nèi)存錯誤:Err-DDR 這個問題在網(wǎng)上查到的信息不多,有一篇Issues在新唐的官方github上面:?NUC980_NuWriter 燒寫報錯Err-DDR · Issue #6 · OpenNuvoton/NUC980_NuWriter · GitHub[1]?從上面的討論中可以看出來可能是電源芯片的時序不匹配問題。
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    芯原可擴展且靈活的DC8200 IP可提供顯示設(shè)備自適應(yīng)能力和高質(zhì)量顯示效果,賦能沉浸式視覺體驗 芯原股份(芯原,股票代碼:688521.SH)今日宣布賽昉科技(簡稱“賽昉”)基于RISC-V架構(gòu)的量產(chǎn)SoC昉·驚鴻-7110(JH-7110)采用了芯原的顯示處理器IP DC8200。該SoC具有高性能、低功耗和高安全性的特點,為云計算、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)附加存儲(NAS)、平板電腦、人機界面(HMI
  • 2024年,存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩!
    2024年,存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩!
    邁過2023年的經(jīng)濟逆風行業(yè)下行周期,2024年存儲市場起勢,存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求,存儲新技術(shù)革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期;HBM加速邁進,HBM3/HBM3e持續(xù)突破,有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。
  • 服務(wù)器(DDR電源)
    MPS的控制器和穩(wěn)壓器以效率為先,同時保持較低的整體系統(tǒng)成本;其散熱管理專為高密度、高耗電的服務(wù)器而開發(fā),能夠節(jié)省能源并優(yōu)化輸出。MPS專有的Intelli-PhaseTM技術(shù)可維持并提高每個新設(shè)計的性能。這些可擴展的解決方案還提供了熱插拔功能和先進的FET技術(shù),可幫助簡化設(shè)計并實現(xiàn)節(jié)省空間的封裝。
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    01/22 09:37
  • DDR終端匹配電阻的長度多少合適?
    DDR終端匹配電阻的長度多少合適?
    上次我們對不加端接電阻和加端接電阻之后的仿真結(jié)果做了分析之后我們得出在DDR采用菊花鏈拓撲結(jié)構(gòu)的時候是需要加端接電阻的,這次我們看看DDR末端的端接電阻距離最后一片DDR遠一點效果好一些還是近一點效果好一些。本次采用的案例依舊是我們上期的DDR3一拖八正反貼菊花鏈拓撲結(jié)構(gòu)。
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    2023/12/28
  • DDR拓撲結(jié)構(gòu)的詳細解析
    DDR拓撲結(jié)構(gòu)的詳細解析
    在進行多片DDR設(shè)計的時候,通常DDR會存在拓撲結(jié)構(gòu),下面我們將詳細介紹一下各種拓撲結(jié)構(gòu)的區(qū)別以以及應(yīng)用場景。首先我們先介紹一下,當只存在一片DDR的時候通常是采用點對點的連接方式,點對點的布線方式優(yōu)點是結(jié)構(gòu)簡單,阻抗以及時序容易控制,適合高速率雙向傳輸。
  • DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別
    DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別
    DDR采用菊花鏈拓撲結(jié)構(gòu)時,由于信號傳輸線較長通常需要在DDR末端加上終端匹配電阻,端接的方式有很多,但是都是為了解決信號的反射問題,通常為了消除信號的反射可以在信號的源端或者終端進行解決,在源端處消除反射是采用電阻串聯(lián)的方式,在終端處消除反射是采用電阻并聯(lián)的方式(還有很多種端接),今天我們一起來看一下在采用菊花鏈拓撲結(jié)構(gòu)時,末端加匹配電阻和不加匹配電阻時信號的質(zhì)量有多大的區(qū)別。
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    2023/12/25
  • Hailo AI視覺處理器采用芯原ISP和VPU,賦能智慧監(jiān)控攝像頭
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  • AI時代,服務(wù)器內(nèi)存轉(zhuǎn)向GDDR
    AI時代,不斷增長的服務(wù)器芯片算力,激發(fā)了對內(nèi)存性能的全新需求。GDDR內(nèi)存正逐步成為CPU+GPU架構(gòu)服務(wù)器的新寵。 ChatGPT出現(xiàn)后,科技巨頭紛紛下注AI,不同領(lǐng)域的AI大模型你方唱罷我登場。在AI狂歡的背后,服務(wù)器芯片算力與通信需求也在不斷攀升。然而以CPU為主的串行處理架構(gòu)已經(jīng)不能滿足 AI 時代的算力需求,CPU+GPU架構(gòu)的服務(wù)器占有率正逐步提高。不過,在算力向前狂奔時,“內(nèi)存墻”
  • Rambus GDDR6 PHY 賦能AI服務(wù)器
    內(nèi)存,對于裝機愛好者來說已經(jīng)再熟悉不過了。它是計算機的重要部件,用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù),以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。簡單來說,內(nèi)存就是CPU的“草稿紙”,負責將CPU這個大腦暫時用不到的數(shù)據(jù)存放起來,以備隨時取用。這種將數(shù)據(jù)放在CPU外暫存的結(jié)構(gòu)被稱為“馮·諾依曼結(jié)構(gòu)”。即使將CPU升級為服務(wù)器級別,其數(shù)據(jù)交換方式仍舊是這樣。 不過,隨著AI時代來臨,服務(wù)器核心的算力越來越高,它與內(nèi)
  • 芯和半導(dǎo)體在DesignCon2023大會上發(fā)布新品Notus,并升級高速數(shù)字解決方案
    芯和半導(dǎo)體在近日舉行的DesignCon 2023大會上正式發(fā)布了針對封裝及板級的信號完整性、電源完整分析和熱分析的全新EDA平臺Notus。本屆DesignCon大會在美國加州的圣克拉拉會展中心舉辦,從1月31日到2月2日,為期三天。 Notus平臺基于芯和半導(dǎo)體強大的電磁場和多物理仿真引擎技術(shù),為設(shè)計師提供了一種更加高效且自動的方式,滿足在信號完整性、電源完整性和熱分析方面的設(shè)計需求。Notu
  • 接口IP:值得重視的新力量
    從集成電路產(chǎn)業(yè)構(gòu)成來看,IP屬于底層技術(shù),非常關(guān)鍵。值得一提的是,通常留給設(shè)計者完成熱門IC設(shè)計的周期一般只有3個月,但IC的復(fù)雜度以每年55%的速率遞增,設(shè)計能力每年僅提高21%,因此,IP的復(fù)用可以大大節(jié)約時間。 數(shù)據(jù)顯示,去年全球50億美元的IP銷售額帶動了5000億美元的全球半導(dǎo)體銷售額,換言之每1美元的IP支出能夠帶動和支撐100倍價值的芯片市場。從市場價值來看,IP的全球市場規(guī)模約為5
  • 芯動科技高性能計算“三件套”IP解決方案行業(yè)領(lǐng)先,滿足新一代SoC帶寬需求
    云服務(wù)、高性能計算等高端芯片都離不開底層IP的加持,其中尤以DDR技術(shù)、Chiplet、高速 SerDes為重中之重。面向HPC常用的CPU/GPU/DPU/NPU等高算力SoC場景,芯動科技推出以高性能計算“三件套”為核心的共性IP平臺。
  • 這場DRAM技術(shù)困局誰來破?
    據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計,由DRAM與NAND Flash所主導(dǎo)的傳統(tǒng)存儲市場規(guī)模已超過1600億美元,其中最大的內(nèi)存細分市場DRAM,正逼近當前技術(shù)材料和工藝使用的基本物理極限。
  • 貿(mào)澤電子《PCB設(shè)計大師課》第二十五集 PCIE PCB設(shè)計
    貿(mào)澤電子《PCB設(shè)計大師課》第二十五集 PCIE PCB設(shè)計
    PCB是產(chǎn)品設(shè)計的“地基”,小到元器件布局、金屬連線和通孔布局,大到電磁保護、熱耗散等因素的考量。

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