DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別

DDR采用菊花鏈拓撲結構時，由于信號傳輸線較長通常需要在DDR末端加上終端匹配電阻，端接的方式有很多，但是都是為了解決信號的反射問題，通常為了消除信號的反射可以在信號的源端或者終端進行解決，在源端處消除反射是采用電阻串聯(lián)的方式，在終端處消除反射是采用電阻并聯(lián)的方式（還有很多種端接），今天我們一起來看一下在采用菊花鏈拓撲結構時，末端加匹配電阻和不加匹配電阻時信號的質(zhì)量有多大的區(qū)別。

信號末端終端匹配電阻

本次我們將從這個內(nèi)存條PCB板中提取地址線拓撲以SigXplorer軟件觀察添加匹配電阻和不添加匹配電阻時信號的傳輸質(zhì)量，本次案例為雙通道DDR3一拖8正反貼菊花鏈拓撲結構，通過軟件提取在經(jīng)過我們整理之后的拓撲如下圖所示

信號從驅(qū)動端U21開始傳輸，依次經(jīng)過的DDR顆粒為U14和U5 ?U6和U15 ?U7和U16 ??U8和U17,最后接上39ohm終端匹配電阻RN106，我們提取了其中一根地址線A3，激勵信號為533MHZ，觀察他的眼圖結果

以上為地址線A3的眼圖情況，根據(jù)菊花鏈的信號流向我們可以分辨出最左邊黃色信號為信號的驅(qū)動端，右邊信號為8個DDR3顆粒的信號。

我們觀察眼圖結果會發(fā)現(xiàn)整體信號有效，可以很明顯的觀察到眼寬與眼高，在加了端接電阻之后，最靠近驅(qū)動端的兩片DDR顆粒信號質(zhì)量和靠近匹配電阻的兩片DDR顆粒相對比會發(fā)現(xiàn)，靠近匹配電阻的兩片DDR顆粒信號質(zhì)量較差，過沖和下沖嚴重一些。但是信號質(zhì)量合格沒有出現(xiàn)跌破VIH和VIL的情況。

上圖為不加端接電阻時的信號眼圖結果，我們可以看到信號的眼寬與眼高非常的窄，信號的VIH和VIL過線之后保持時間短，信號質(zhì)量差，我們再次觀察了靠近驅(qū)動端的兩個DDR顆粒的眼圖結果和最末端的兩顆DDR顆粒的眼圖結果，我們會發(fā)現(xiàn)在不加端接電阻的時候眼圖結果和加端接電阻的時候結果相反，靠近驅(qū)動端的兩個DDR顆粒質(zhì)量非常差，眼寬與眼高非常窄，然而最遠端的兩片DDR顆粒質(zhì)量反而會好很多，雖然也有明顯的上沖和下沖，但是眼寬和眼高相對來說比較清晰。

我們可以通過以上仿真結果分析出，在采用菊花鏈拓撲結構時，端接電阻是很有必要加的，端接電阻有非常明顯的改善效果，但是需要注意的是，端接電阻務必要和傳輸線阻抗相匹配才可以達到最佳的改善能力。