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英諾賽科

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英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),采用IDM(Integrated Device Manufacture)全產(chǎn)業(yè)鏈模式,建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。

英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),采用IDM(Integrated Device Manufacture)全產(chǎn)業(yè)鏈模式,建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 收起

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    08/29 10:45
  • 英飛凌對英諾賽科提起追加訴訟,并向美國國際貿(mào)易委員會(huì)起訴
    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于2024年7月23日在美國加利福尼亞北區(qū)地方法院,對英諾賽科(珠海)科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關(guān)聯(lián)公司(以下簡稱:英諾賽科)在現(xiàn)有訴訟基礎(chǔ)上,追加了新的訴訟請求,指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項(xiàng)與氮化鎵(GaN)技術(shù)相關(guān)的專利。此外,英飛凌今日還向美國國際貿(mào)易委員會(huì)(USITC)起訴,就前述訴訟所涉的四項(xiàng)相同專利提出
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    近日,包括英諾賽科、聯(lián)蕓科技、高裕電子、慧翰股份四家企業(yè)IPO迎來最新進(jìn)展。2023年8月以來,證監(jiān)會(huì)、交易所、國務(wù)院接連發(fā)布IPO市場重要政策,在釋放“階段性收緊IPO節(jié)奏”信號的同時(shí),也表明了“嚴(yán)把發(fā)行上市準(zhǔn)入關(guān)”的決心。
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    6月12日晚間,英諾賽科向港交所遞交上市申請,聯(lián)席保薦人為中金公司、招銀國際。自2019年10月,OPPO Reno Ace首次將氮化鎵技術(shù)應(yīng)用于充電器以來,基于氮化鎵材料而研制的功率器件,憑借更高的電流密度、遷移率以及優(yōu)秀的耐熱性、導(dǎo)電性和散熱性,在諸多應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)開疆拓土。
  • 募資近22億!這家國內(nèi)GaN企業(yè)即將IPO?
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    就在剛剛,據(jù)《路透社》旗下IFR最新消息,英諾賽科計(jì)劃最早于今年內(nèi)在香港進(jìn)行IPO,融資規(guī)模約3億美元(約21.6億人民幣)。目前,英諾賽科正與中金公司和招銀國際就上市事宜進(jìn)行合作。英諾賽科成立于2015年,是全球領(lǐng)先的氮化鎵IDM企業(yè)。今年2月初,英諾賽科公布了2023年出貨量等一系列成果——截止12月,英諾賽科氮化鎵出貨量突破5億顆,市占率全球第一。