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硬件設(shè)計(jì)

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  • 精通晶振電路選型：手把手教你通過(guò)計(jì)算來(lái)確認(rèn)你選的晶振和MCU是否匹配
    精通晶振電路選型：手把手教你通過(guò)計(jì)算來(lái)確認(rèn)你選的晶振和MCU是否匹配
    上篇文章我們講解了晶振電路的分類，以及如何計(jì)算晶振的負(fù)載電容和反饋電阻選型，今天我們講一下如何通過(guò)計(jì)算確認(rèn)你的晶振電路和MCU的是否匹配，能不能讓你的MCU穩(wěn)定工作。
  • 說(shuō)說(shuō)硬件調(diào)試中發(fā)現(xiàn)的那些低級(jí)錯(cuò)誤
    說(shuō)說(shuō)硬件調(diào)試中發(fā)現(xiàn)的那些低級(jí)錯(cuò)誤
    最近遇到很多debug相關(guān)的咨詢，曾經(jīng)我們說(shuō)過(guò)，我們做過(guò)的板子越多，遇到問(wèn)題的概率也越多，很多別人沒(méi)遇到過(guò)的問(wèn)題，說(shuō)不定我們?cè)缇陀|過(guò)雷，從而類似的問(wèn)題形成經(jīng)驗(yàn)總結(jié)，就不會(huì)再有同樣的問(wèn)題發(fā)生。一些問(wèn)題可能不一定和PCB設(shè)計(jì)相關(guān)，但由于找不到原因到底在哪里，最終需要進(jìn)行一一排除，所以兜兜轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)又回到PCB設(shè)計(jì)上來(lái)，這也是我們經(jīng)常要面對(duì)的工作之一。
  • Trent丨硬件設(shè)計(jì)與檢查
    Trent丨硬件設(shè)計(jì)與檢查
    硬件開(kāi)發(fā)是一個(gè)系統(tǒng)性的過(guò)程，無(wú)論是經(jīng)驗(yàn)豐富的硬件工程師還是熱衷于動(dòng)手的電子愛(ài)好者，都會(huì)經(jīng)歷相似的步驟來(lái)將想法轉(zhuǎn)化為實(shí)際的產(chǎn)品。對(duì)于專業(yè)工程師而言，深入掌握開(kāi)發(fā)流程能夠確保項(xiàng)目的高效推進(jìn)，減少錯(cuò)誤和返工，提升產(chǎn)品的質(zhì)量和競(jìng)爭(zhēng)力。而對(duì)于電子愛(ài)好者來(lái)說(shuō)，了解整個(gè)流程有助于他們更全面地理解硬件工作的原理，更好地實(shí)現(xiàn)自己的創(chuàng)意和想法，同時(shí)提升他們?cè)趯?shí)踐中的技能水平和解決問(wèn)題的能力。
  • 實(shí)戰(zhàn)分享：腫瘤電場(chǎng)治療硬件設(shè)計(jì)方案
    實(shí)戰(zhàn)分享：腫瘤電場(chǎng)治療硬件設(shè)計(jì)方案
    惡性腫瘤一直是困擾人類健康的公共衛(wèi)生問(wèn)題，腫瘤電場(chǎng)治療是當(dāng)前醫(yī)療市場(chǎng)上熱門的一種創(chuàng)新技術(shù)。這種技術(shù)是通過(guò)穿戴設(shè)備，對(duì)目標(biāo)位置腫瘤發(fā)出低強(qiáng)度交變電場(chǎng)來(lái)干擾癌細(xì)胞，讓它們發(fā)生紊亂，無(wú)法正常分裂增殖，從而實(shí)現(xiàn)抗癌效果。該療法有著非常好的耐受性，絕大部分副作用為輕度皮膚刺激。根據(jù)在2023年ASCO年會(huì)上發(fā)布的數(shù)據(jù)，來(lái)自LUNAR試驗(yàn)(NCT02973789)的結(jié)果顯示，在轉(zhuǎn)移性非小細(xì)胞肺癌(NSCLC)患者中，相比單獨(dú)使用標(biāo)準(zhǔn)治療，將腫瘤電場(chǎng)治療與肺癌標(biāo)準(zhǔn)治療中的免疫療法或化療相結(jié)合，可以提高患者總生存率，降低死亡風(fēng)險(xiǎn)。
  • 手機(jī)電路設(shè)計(jì)20問(wèn)
    手機(jī)電路設(shè)計(jì)20問(wèn)
    這個(gè)問(wèn)題本身其實(shí)并不準(zhǔn)確，首先，電壓和電流是由負(fù)載的需求來(lái)決定的，比如負(fù)載需要的是1.2V的電壓，前端電源就不能給他提供3.3V的電；負(fù)載需要500mA的電流，前端電源的輸出電牛就不能低于500mA，要知道負(fù)載是先決條件，電源要根據(jù)負(fù)載來(lái)選擇。
  • Xilinx Kintex-7系列XC7K410T-FFG900外設(shè)之DDR3硬件設(shè)計(jì)
    Xilinx Kintex-7系列XC7K410T-FFG900外設(shè)之DDR3硬件設(shè)計(jì)
    在數(shù)據(jù)速率帶寬約束方面，DDR3運(yùn)行速度受限于其與K7-410T FPGA互聯(lián)的I/O Bank 管腳以及FPGA器件的速度等級(jí)。如下表所示，當(dāng)FPGA選定時(shí)，如需DDR3運(yùn)行最大工作頻率時(shí)，需要將DDR3互聯(lián)至FPGA的HP I/O Bank上，同時(shí)也要將Vccaux_io的供電電壓調(diào)整為2.0V。
  • 《硬件設(shè)計(jì)指南 從器件認(rèn)知到手機(jī)基帶設(shè)計(jì)》解析：1300字，NMOS LDO原理！
    《硬件設(shè)計(jì)指南 從器件認(rèn)知到手機(jī)基帶設(shè)計(jì)》解析：1300字，NMOS LDO原理！
    圖2-16是一個(gè)NMOS LDO的基本框圖，在1.4節(jié)中已經(jīng)介紹了NMOS特點(diǎn)，在開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)電源中MOS是工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，在LDO電源中MOS工作在飽和區(qū)，注意：LDO一定是工作在飽和區(qū)（特殊情況會(huì)在可變電阻區(qū)），所以VG要大于VS，因此NMOS LDO除了有Vi引腳，一般還會(huì)有個(gè)Vbias引腳來(lái)給MOS的G極提供高壓驅(qū)動(dòng)源；或者只有一個(gè)Vi，而LDO內(nèi)部集成了CHARGE BUMP (電荷泵)來(lái)為G極提供高壓驅(qū)動(dòng)源。
  • Molex莫仕公布全球可靠性和硬件設(shè)計(jì)調(diào)研結(jié)果
    全球電子行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者和連接創(chuàng)新者M(jìn)olex莫仕今天公布了一項(xiàng)全球可靠性調(diào)研結(jié)果，揭示硬件（包括設(shè)備）系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)工程師所面臨的挑戰(zhàn)，亦即如何在日益增長(zhǎng)的可靠性期望與不斷增加的產(chǎn)品復(fù)雜性、縮短的測(cè)試時(shí)間，以及持續(xù)的成本和制造限制之間求取平衡。然而，調(diào)研結(jié)果同時(shí)也顯示出對(duì)未來(lái)的興奮，主要是歸功于人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）、模擬和高級(jí)分析等關(guān)鍵技術(shù)的機(jī)會(huì)。

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