加入星計劃，您可以享受以下權(quán)益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權(quán)保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

憶阻器

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)。它是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。憶阻具有電阻的量綱，但和電阻不同的是，憶阻的阻值是由流經(jīng)它的電荷確定。因此，通過測定憶阻的阻值，便可知道流經(jīng)它的電荷量，從而有記憶電荷的作用。1971年，蔡少棠從邏輯和公理的觀點指出，自然界應(yīng)該還存在一個電路元件，它表示磁通與電荷的關(guān)系。2008年，惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實現(xiàn)非易失性隨機存儲器。并且，基于憶阻的隨機存儲器的集成度，功耗，讀寫速度都要比傳統(tǒng)的隨機存儲器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質(zhì)，可以產(chǎn)生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應(yīng)用。

憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)。它是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。憶阻具有電阻的量綱，但和電阻不同的是，憶阻的阻值是由流經(jīng)它的電荷確定。因此，通過測定憶阻的阻值，便可知道流經(jīng)它的電荷量，從而有記憶電荷的作用。1971年，蔡少棠從邏輯和公理的觀點指出，自然界應(yīng)該還存在一個電路元件，它表示磁通與電荷的關(guān)系。2008年，惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實現(xiàn)非易失性隨機存儲器。并且，基于憶阻的隨機存儲器的集成度，功耗，讀寫速度都要比傳統(tǒng)的隨機存儲器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質(zhì)，可以產(chǎn)生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應(yīng)用。收起

查看更多
  • 【對話前沿專家】基于憶阻器科研，展望系統(tǒng)和器件協(xié)同測試未來可能性
    【對話前沿專家】基于憶阻器科研，展望系統(tǒng)和器件協(xié)同測試未來可能性
    人工智能內(nèi)容生成（AIGC）技術(shù)在近一年來引起了科技界的廣泛關(guān)注，因為它對各個行業(yè)有著顛覆性的影響。但是，要支持AIGC技術(shù)，需要消耗很大的功率和算力，隨著摩爾定律接近極限，新的計算架構(gòu)和信息器件成為了學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的研究重點。
  • 【未來可測】系列之二： 憶阻器單元基礎(chǔ)研究和性能研究測試方案
    憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器（RRAM）。
  • 從晶體管到憶阻器——徹底改變微電子行業(yè)！
    貝爾實驗室于1947 年發(fā)明的晶體管開創(chuàng)了一個電子設(shè)備的時代，電子設(shè)備比體積龐大且易碎的真空管電子設(shè)備更小、運行更冷，耗電量遠低于同類產(chǎn)品。晶體管用作二進制開關(guān)，以促進電流從關(guān)閉狀態(tài)變?yōu)殚_啟狀態(tài)。
  • 連華為都在秘密布局的憶阻器，到底是什么“黑科技”？
    公開資料顯示，憶阻器全稱記憶電阻，即表示具有記憶能力的電阻，是繼電阻器、電容器和電感器之后的第四個基本電路元件。較于晶體管芯片，它具有尺寸小、能耗低，可同時儲存并處理信息等優(yōu)勢，被認為是能夠突破摩爾定律的新方向。有數(shù)據(jù)統(tǒng)計稱，一個憶阻器的工作量相當(dāng)于一枚CPU芯片中十幾個晶體管共同產(chǎn)生的效用。
  • 憶阻器
    憶阻器，又稱為記憶電阻器或可變電阻器，是一種特殊類型的電阻器件。它具有“記憶”特性，這意味著它可以保持其電阻值在沒有外部電場刺激的情況下長時間保持。憶阻器的特殊性質(zhì)賦予了它廣泛的應(yīng)用，例如在數(shù)字電路中作為存儲器件和傳感器中作為輸入元素等。
  • 憶阻器是什么 憶阻器工作原理
    憶阻器（Memristor）是一種特殊類型的電子元件，具有記憶和可變電阻性質(zhì)。它被認為是第四類基本電路元件，與傳統(tǒng)的電阻器、電容器和電感器相互補充，可以在電路中存儲信息并實現(xiàn)非易失性內(nèi)存。由于其獨特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用潛力，憶阻器引起了科學(xué)界和工程界的高度關(guān)注。

正在努力加載...