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有消息稱，華為分別于 2019 年 3 月（2015 年 6 月申請(qǐng)）、2020 年 1 月（2018 年 6 月申請(qǐng)）公開了兩份憶阻器芯片的專利信息。?憶阻器到底是什么器件？
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公開資料顯示，憶阻器全稱記憶電阻，即表示具有記憶能力的電阻，是繼電阻器、電容器和電感器之后的第四個(gè)基本電路元件。較于晶體管芯片，它具有尺寸小、能耗低，可同時(shí)儲(chǔ)存并處理信息等優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是能夠突破摩爾定律的新方向。有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)稱，一個(gè)憶阻器的工作量相當(dāng)于一枚 CPU 芯片中十幾個(gè)晶體管共同產(chǎn)生的效用。
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國(guó)際上，Micron、IBM、東芝等企業(yè)都在研發(fā)憶阻器芯片，不過大多數(shù)仍然處于實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證階段。
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不久前，清華大學(xué)微電子所、未來芯片技術(shù)高精尖創(chuàng)新中心錢鶴、吳華強(qiáng)團(tuán)隊(duì)與合作者聯(lián)合在英國(guó)《自然》雜志（Nature）在線發(fā)表論文表示，研制出基于憶阻器陣列芯片卷積網(wǎng)絡(luò)的完整硬件實(shí)現(xiàn)。
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據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》報(bào)道，國(guó)內(nèi)的閃億半導(dǎo)體也在進(jìn)行憶阻器芯片研發(fā)，閃億成立于 2017 年。其核心創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)成員均畢業(yè)于東京大學(xué)、清華大學(xué)、加州大學(xué)等微電子名校，且部分成員有高通、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等大廠工作經(jīng)驗(yàn)，六位核心成員在行業(yè)頂級(jí)國(guó)際會(huì)議上以第一作者身份發(fā)文共 30 篇，合計(jì)論文專利 500 余篇。
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其創(chuàng)始人魯辭莽表示，閃億實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)為 PLRAM，芯片的生產(chǎn)工藝開發(fā)則與華虹宏力緊密合作。目前，其芯片產(chǎn)品完全可基于傳統(tǒng)的硅材料實(shí)現(xiàn)，且在華宏 90nm 生產(chǎn)線即可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，無需改動(dòng)產(chǎn)線。
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根據(jù)企業(yè)給出的價(jià)格，這款芯片的成本價(jià)比同類型芯片降低了 3-4 倍，同時(shí)計(jì)算效率提升 10 倍。在智能家電、藍(lán)牙耳機(jī)等對(duì)價(jià)格敏感的消費(fèi)類電子領(lǐng)域，具有明顯優(yōu)勢(shì)。
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