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| 氮化鎵（GaN）是一種高電子遷移率晶體管(HEMT)，意味著GaN器件的臨界電場強度大于硅。對于相同的片上電阻和擊穿電壓，GaN的尺寸更小。GaN還具有極快的開關(guān)速度和優(yōu)異的反向恢復(fù)性能。 |
一、氮化鎵（GaN）器件介紹：
GaN器件分為兩種類型：
耗盡型：耗盡型GaN晶體管常態(tài)下是導(dǎo)通的，為了使它截止必須在源漏之間加一個負(fù)電壓。
增強型：增強型GaN晶體管常態(tài)下是截止的，為了使它導(dǎo)通必須在源漏之間加一個正電壓。
GaN VS MOSFET：
他們的關(guān)鍵參數(shù)都是導(dǎo)通電阻和擊穿電壓。GaN的導(dǎo)通電阻非常低，這使得靜態(tài)功耗顯著降低，提高了效率。GaN FET的結(jié)構(gòu)使其輸入電容非常低，提高了開關(guān)速度。意味著GaN具有更高的效率，并可以使用更少的電磁學(xué)和被動元件。
二、手機快充介紹：
能在極短的時間內(nèi)（0.5-1Hr）使手機電池達到或接近完全充電狀態(tài)的一種充電方法。
實現(xiàn)手機快速充電方法：
1.電壓不變，提高電流；
2.電流不變，提升電壓；
3.電壓、電流均提高。
手機快速充電技術(shù)目前分為“高壓小電流快充”和“低壓大電流快充”兩種方案。VOOC閃充和Dash閃充屬于后者“低壓大電流快速充電”?？焖俪潆妼κ謾C電池的壽命沒有影響，現(xiàn)在的電池都可以承受大電流。
三、氮化鎵（GaN）快充：
氮化鎵（GaN）快充在已有的快充技術(shù)上通過改用氮化鎵（GaN）核心器件，將手機快速充電器做到功率更大、體積更小、充電速度更快。
氮化鎵（GaN）快充方案包含兩個部分，充電器部分和電源管理部分
充電器部分：充電管理芯片根據(jù)鋰電池充電過程的各個階段的電器特性，向充電器發(fā)出指令，通知充電器改變充電電壓和電流，而充電器接收到來自充電管理系統(tǒng)的需求，實時調(diào)整充電器的輸出參數(shù)，配合充電管理系統(tǒng)實現(xiàn)快速充電。
電源管理部分：相應(yīng)的芯片置于移動智能終端內(nèi)，有獨立的電源管理芯片，也有的直接集成在手機套片中，電源管理芯片對鋰電池的整個充電過程實施管理和監(jiān)控，包含了復(fù)雜的處理算法，鋰電池充電包括幾個階段：預(yù)充階段、恒流充電階段，恒壓充電階段、涓流充電階段。
轉(zhuǎn)載自唯樣電子資訊。
