基于SD2405的RTC高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊原理圖+例子程序+應(yīng)用說(shuō)明等

SD2405AL實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊介紹：

• SD2400系列是一種具有內(nèi)置晶振、支持IIC串行接口的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片，CPU可使用該接口通過(guò)5位地址尋址來(lái)讀寫(xiě)片內(nèi)32字節(jié)寄存器的數(shù)據(jù)(包括時(shí)間寄存器、報(bào)警寄存器、控制寄存器、通用SRAM寄存器)。
• SD2400系列內(nèi)置晶振,該芯片可保證時(shí)鐘精度為±5ppm(在25℃下)，即年誤差小于2.5 分鐘；該芯片內(nèi)置時(shí)鐘精度調(diào)整功能，可以在很寬的范圍內(nèi)校正時(shí)鐘的偏差(分辨力3ppm)，通過(guò)外置或內(nèi)置的數(shù)字溫度傳感器可設(shè)定適應(yīng)溫度變化的調(diào)整值，實(shí)現(xiàn)在寬溫范圍內(nèi)高精度的計(jì)時(shí)功能。
• SD2400系列內(nèi)置的一次性工業(yè)級(jí)電池或充電電池可保證在外部掉電情況下時(shí)鐘使用壽命為5～8年時(shí)間；內(nèi)部具備電源切換電路，當(dāng)芯片檢測(cè)到主電源VDD掉到電池電壓以下,芯片會(huì)自動(dòng)轉(zhuǎn)為由備電電池供電。
• SD2400系列內(nèi)置單路定時(shí)/報(bào)警中斷輸出,報(bào)警中斷時(shí)間最長(zhǎng)可設(shè)至100年；內(nèi)置頻率中斷輸出和倒計(jì)時(shí)中斷輸出。
• SD2400系列采用了多種提高芯片可靠性的技術(shù),可滿足對(duì)實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片的各種需要，是在選用高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘時(shí)的理想選擇。
• 該模塊采用Gadgeteer接口，同時(shí)很好的兼容Arduino（UNO、MegaDue等）和Maple系列控制板，也可與其他微控制器協(xié)同使用。

SD2405AL實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊特性：

• 低功耗： 1.0μA 典型值(時(shí)鐘電路部分，Ta=25℃)。
• 工作電壓：3.3V～5.5V，工作溫度：民用級(jí)0℃～70℃，工業(yè)級(jí)－40℃～85℃。
• 標(biāo)準(zhǔn)IIC總線接口方式, 時(shí)鐘電路最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。
• 年、月、日、星期、時(shí)、分、秒的BCD碼輸入/輸出,并可通過(guò)獨(dú)立的地址訪問(wèn)各時(shí)間寄存器
• 閏年自動(dòng)調(diào)整功能(從2000年～2099年)。
• 可選擇12/24小時(shí)制式.
• 內(nèi)置年、月、日、星期、時(shí)、分、秒共7字節(jié)的報(bào)警數(shù)據(jù)寄存器及1字節(jié)的報(bào)警允許寄存器。
• 內(nèi)置12字節(jié)通用SRAM寄存器可用于存儲(chǔ)用戶的一般數(shù)據(jù)。
• 三種中斷均可選擇從INT腳輸出,并具有兩個(gè)中斷標(biāo)志位.
• 可設(shè)定并自動(dòng)重置的單路報(bào)警中斷功能（時(shí)間范圍最長(zhǎng)設(shè)至100年）,年、月、日、星期、時(shí)、分、秒報(bào)警共有96種組合方式，并有單事件報(bào)警和周期性報(bào)警兩種中斷輸出模式.
• 周期性頻率中斷輸出:從32768Hz～1/16Hz……1秒共十五種方波脈沖.
• 自動(dòng)重置的8位倒計(jì)時(shí)定時(shí)器,可選的4種時(shí)鐘源（4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ）。
• 內(nèi)置晶振，出廠前已對(duì)時(shí)鐘進(jìn)行校準(zhǔn)，時(shí)鐘精度為±5ppm(在25℃±1℃下)，即年誤差小于2.5 分鐘。
• 內(nèi)置時(shí)鐘精度數(shù)字調(diào)整功能，可通過(guò)程序來(lái)調(diào)整走時(shí)的快慢。用戶采用外置或內(nèi)置的溫度傳感器，設(shè)定適應(yīng)溫度變化的調(diào)整值，可實(shí)現(xiàn)在寬溫范圍內(nèi)高精度的計(jì)時(shí)功能(在-10℃～50℃小于5 ppm, 在-40℃～85℃小于10ppm)。
• 內(nèi)置備電自動(dòng)切換功能 ，芯片依據(jù)不同的電壓自動(dòng)從VDD切換到VBAT或從VBAT切換到VDD。
• 在VBAT模式下，芯片具有中斷輸出允許或禁止的功能,可滿足在備用電池供電時(shí)輸出中斷的需要。
• 內(nèi)置的充電電池及充電電路，累計(jì)電池電量超過(guò)550mAh,電池使用壽命為5～8年時(shí)間；內(nèi)置的一次性民用級(jí)電池使用壽命為3～5年，一次性工業(yè)級(jí)電池使用壽命為5～8年時(shí)間。
• 內(nèi)置的16kbit～256kbit非易失性SRAM（C/D/E型）,其讀寫(xiě)次數(shù)為100億次，且內(nèi)部寫(xiě)延時(shí)小于300ns。
• 內(nèi)置的2kbit～256kbitE2PROM（F/B/C/D/E型）,其擦寫(xiě)次數(shù)100萬(wàn)次
• 內(nèi)置IIC總線0.5秒自動(dòng)復(fù)位功能(從Start命令開(kāi)始計(jì)時(shí)),保證時(shí)鐘數(shù)據(jù)的有效性及可靠性,避免總線掛死問(wèn)題。
• 內(nèi)置三個(gè)時(shí)鐘數(shù)據(jù)寫(xiě)保護(hù)位, 避免對(duì)數(shù)據(jù)的誤寫(xiě)操作，可更好地保護(hù)時(shí)鐘數(shù)據(jù)。
• 內(nèi)置VBAT模式IIC總線通信禁止功能，從而避免在電池供電時(shí)CPU對(duì)時(shí)鐘操作所消耗的電池電量，也可避免在主電源上、下電的過(guò)程中因CPU的I/O端口所輸出的不受控的雜波信號(hào)對(duì)時(shí)鐘芯片的誤寫(xiě)操作，進(jìn)一步提高時(shí)鐘芯片的可靠性。
• 內(nèi)置上電復(fù)位電路及指示位;內(nèi)置電源穩(wěn)壓,內(nèi)部計(jì)時(shí)電壓可低至1.5V。
• 芯片管腳抗靜電(ESD)>4KV。
• 外形尺寸：36x31x14mm

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